US10608039
[0011] As the light rays 24 continue downward from the lens into the polymer layers 18 a and 18 b ,
【0011】
光線24は、レンズからポリマー層18a及び18b内へと下に進み続けるので、
they are reflected by the interface (shown at reference numerals 26 a and 26 b ) between the respective polymer layers 18 a and 18 b and the dielectric layer 14 (having an index of refraction of about n=1.53) in which they are formed.
これらの光線は、それらが形成される各ポリマー層18a及び18bと誘電層14(約n=1.53の屈折率を有する)との間の境界面(参照番号26a及び26bで示される)によって反射される。
This interface is not 100% reflective and so some of the light shown in dashed lines at reference numerals 28
この境界面は、100%反射するものではなく、したがって、参照番号28の破線で示される光の一部は、
passes through the interface, through the dielectric layer separating the two adjacent pixels,
境界面を通過し、2つの隣接する画素を分離する誘電層を通って、隣接する画素センサー内に不所望に入り、
and undesirably into adjacent pixel sensors causing undesirable crosstalk.
望ましくないクロストークを生じさせる。
WO2020092471
2. The photodetector device of Claim 1 , wherein
the at least one photodiode comprises two or more photodiodes that define a pixel(*実際は複数であるだろうが単数)of the photodetector device,
【請求項2】
前記少なくとも1つのフォトダイオードは、前記光検出器デバイスの画素を画定する2つ以上のフォトダイオードを含み、
and wherein the optical structures are configured to direct the incident photons to any of the two or more photodiodes of the pixel for the detection thereby.
前記光学構造は、前記画素の前記2つ以上のフォトダイオードのうちのいずれかに前記入射光子を誘導することで検出するように構成されている、
請求項1に記載の光検出器デバイス。
3. The photodetector device of Claim 2, further comprising:
respective isolation regions separating the pixel from neighboring pixels(*初出で複数)of the photodetector device,
【請求項3】
前記光検出器デバイスの隣接画素から前記画素を分離するそれぞれの分離領域を更に含み、
wherein the pixel is free of the respective isolation regions between the two or more photodiodes thereof.
前記画素には、該画素の前記2つ以上のフォトダイオード間に前記それぞれの分離領域が存在しないものである、
請求項2に記載の光検出器デバイス。
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