レーザダイオード、積層体、劈開、リッジ

JP2012124273
[0028] 図１等に示すように、ｐ型半導体層１２は、その一部が除去されることによって、直線状のリッジ２０を形成している。より具体的には、ｐ型コンタクト層１９、ｐ型ＡｌＩｎＧａＮクラッド層１８およびｐ型ＩｎＧａＮガイド層１７の一部がエッチング除去され、横断面視ほぼ台形形状（メサ形）のリッジ２０が形成されている。このリッジ２０は、ｃ軸をIII族窒化物半導体積層構造２の結晶成長面に射影した射影ベクトルの方向（以下「ｃ軸射影方向」という。）に平行な方向に沿って形成されている。

[0031] III族窒化物半導体積層構造２は、リッジ２０の長手方向両端における劈開により形成された鏡面からなる一対の端面２１，２２（劈開面）を有している。この一対の端面２１，２２は、互いに平行であり、この実施形態では、いずれも｛２０−２１｝面へのｃ軸の射影ベクトルに垂直（すなわち、｛−１０１４｝面）である。こうして、ｎ型ＩｎＧａＮガイド層１５、発光層１０およびｐ型ＩｎＧａＮガイド層１７によって、端面２１，２２をレーザ共振面とするファブリペロー共振器が形成されている。すなわち、発光層１０で発生した光は、レーザ共振面２１，２２の間を往復しながら、誘導放出によって増幅される。そして、増幅された光の一部が、レーザ共振面２１，２２からレーザ光として素子外に取り出される。