介して、via, through, interposed therebetween

US2002064906
(Ab)
"... The element may include one of a substrate used for thermal spreading, impedance matching or for RF isolation, an antenna, and a matching network comprised of passive elements. A second thermal spreading substrate may be bonded to the remaining portion of the semiconductor device. Interconnections may be made through the first or second substrates. "

素子は、放熱、インピーダンス整合に、又はＲＦ分離に用いられる基板、アンテナ及び受動素子からなる整合ネットワークの１つを含む。第１の放熱基板は、半導体デバイスの残部に接着することができる。配線は、第１又は第２の基板を介して（＊通って）形成することができる

US2017258354
"20. The headset of claim 19, wherein the pin is electrically coupled to the shielding electrode via（＊通って） printed circuit board disposed in the band."

前記ピンは、前記バンド内に配置されたプリント回路基板を介して前記遮蔽電極に結合される、請求項３２に記載のヘッドセット。

US2017084551
"13. The method of claim 12, wherein the method includes forming at least one interposer core comprising:
forming a plurality of through-glass via (TGV) openings that extend entirely through （＊通って）the glass substrate between the first surface and the second surface; and
forming a metal via structure in each of the plurality of TGV openings."

前記方法は、
  前記ガラス基板を介して前記第１の表面および前記第２の表面の間に完全に延びる複数のガラス貫通ビア（ＴＧＶ）開口部を形成することと、
  金属ビア構造を前記複数のＴＧＶ開口部の各々に形成することと、
  を備える少なくとも１つのインターポーザコアを形成することを含む、請求項６に記載の方法。

WO2016161524
"2. The cartridge according to claim 1 wherein said porous substrate has a plurality of pores with a cross section and size of individual pores configured to 
provide flow resistance at liquid-gas interfaces to provide control of flow of liquid through （＊通って）the porous substrate and block flow of gas bubbles through the porous substrate."

前記多孔性基板は複数の孔を有し、
  前記孔の断面とサイズは、液体−気体境界において流体抵抗を提供して、前記多孔性基板を介して液体流を制御し、前記多孔性基板を介して気泡流をブロックするように構成されている
  ことを特徴とする請求項１記載のカートリッジ。

WO2016081043
"1 . A scanning array antenna comprising:

an outer housing;

 

a cold plate rotatably mounted within and relative to the outer housing, said cold plate including a top surface and a bottom surface;

 

a waveguide aperture including an array of antenna elements mounted to the top surface of the cold plate;

 

a multi-layer circuit board mounted to the bottom surface of the cold plate; and

 

a plurality of amplifier modules mounted to the cold plate through the circuit board, said circuit board including a plurality of openings that allow the amplifier modules to be directly mounted to the cold plate through the circuit board, said cold plate including a plurality of RF signal channels that allow RF signals from the amplifier modules to travel through （＊通って）the cold plate to the antenna elements, wherein the plurality of amplifier modules are controlled to provide phase weighting for electronic signal scanning in an elevation direction and rotation of the cold plate allows signal scanning in an azimuth direction."

走査アレイアンテナであって、
  アウターハウジングと、
  前記アウターハウジング内で前記アウターハウジングに対して回転可能に設置され、上面および底面を含む冷却板と、
  前記冷却板の前記上面に設置されたアンテナ素子のアレイを含む導波管開口面と、
  前記冷却板の前記底面に設置された多層回路基板と、
  前記回路基板を介して前記冷却板に設置された複数の増幅器モジュールであって、前記回路基板は前記増幅器モジュールが前記回路基板を介して前記冷却板に直接設置されることを可能にする複数の開口を含み、前記冷却板は前記増幅器モジュールからのＲＦ信号が前記冷却板を介して前記アンテナ素子に伝わることを可能にする複数のＲＦ信号チャネルを含み、前記複数の増幅器モジュールは位相重み付けを仰角方向の電子信号走査のために提供するよう制御され、前記冷却板の回転が方位角方向の信号走査を可能にする、複数の増幅器モジュールと、
を備える、走査アレイアンテナ。

US2018339816
"5. Closure or lock device according to claim 1, wherein the closure cover is arranged via （＊通って）a plurality of restoring elements on the frame which are spaced apart from each other and wherein a sum of all the restoring forces from all of the restoring elements acting on the closure cover is greater than the weight force of the closure cover."

前記閉鎖カバー（１８）が、互いに離間している前記フレーム上の複数の復元要素（８２）を介して配置されており、前記閉鎖カバー（１８）に作用する前記復元要素（８２）のすべてからの復元力（Ｒ）すべての合計が、前記閉鎖カバー（１８）の重力（Ｇ）より大きい、請求項１から４の何れか一項に記載の閉鎖又はロックデバイス。

WO2015183964
"1. An integrated circuit, comprising:

 

a substrate comprising semiconductor material at a top surface of the substrate;

 

field oxide formed by a shallow trench isolation (STI) process disposed at the top surface of the substrate;

 

a well resistor disposed in the semiconductor material under the field oxide;

 

resistor head active areas disposed through （＊通って？）the field oxide proximate to ends of the well resistor; and

 

resistor dummy active areas disposed through the field oxide in an area for the well resistor, the resistor dummy active areas being free of electrical connections above the substrate, and the resistor dummy active areas having a density of 10% to 80%."

集積回路であって、
  頂部表面において半導体材料を含む基板、
  前記基板の前記頂部表面に配置される、シャロートレンチアイソレーション（ＳＴＩ）プロセスによって形成されるフィールド酸化物、
  前記フィールド酸化物の下の前記半導体材料に配置されるウェルレジスタ、
  前記ウェルレジスタの端部に近接して前記フィールド酸化物を介して配置されるレジスタヘッドアクティブエリア、及び
  前記ウェルレジスタのためのエリアにおいて前記フィールド酸化物を介して配置されるレジスタダミーアクティブエリア、
  を含み、
  前記レジスタダミーアクティブエリアには前記基板の上に電気的接続がなく、前記レジスタダミーアクティブエリアが１０％〜８０％の密度を有する、
  集積回路。

WO2015108616
"1. A gas turbine engine blade root shim (40) comprising:

 

a longitudinally extending base (60) having distal first and second transversely spaced apart ends (64, 68),

 

transversely spaced apart first and second longitudinally extending legs (70, 72) extending away from the base (60) and acutely angled inwardly towards the base (60) from the first and second ends (64, 68) respectively, and

 

one or more apertures (46) disposed through （＊通って）each of the longitudinally extending first and second legs (70, 72)."

遠位の第１および第２の横方向に離間した端部（６４，６８）を有する長手方向に延びる基部（６０）と、
  前記基部（６０）から離れて延び、前記第１および第２の端部（６４，６８）それぞれから鋭角に前記基部（６０）に向かって内側に曲げられた横方向に離間した第１および第２の長手方向に延びる脚部（７０，７２）と、
  前記長手方向に延びる第１および第２の脚部（７０，７２）の各々を介して配置された１つ以上の開口（４６）と、を備えるガスタービンエンジンのブレード根元部シム（４０）。

 

「挟んで」の意味なら"with ... (disposed) therebetween"

"via"でもいいのか？

"through"は違うと思う。