赤系色

WO2004042431
To address this, the systems and methods described herein, in one embodiment, allow a user to distinguish between colors along the line 55 by adding a temporal characteristic related to the color information being displayed.
【００３８】
  これに対処するため、本明細書で説明するシステムおよび方法は一実施形態において、表示された色情報に関する暫定的特性を付加することにより、使用者が千５５に沿った色の識別をできるようにするものである。

Figure 6 depicts a method in accordance with this one practice of the invention where the red or green value of the specific color 42 is determined and converted into a selected value 62 on an axis 64 running from light to dark.
図６は、特定色４２の赤または緑値が決定され、明から暗に延びる軸６４上の選択値６２に変換される、本発明の実例による方法を図示する。

To this end, and as discussed above, the color map and color 42 is now shown in relation to the axis 64, which represents different degrees of lightness and darkness and which is common in the LAB color space, that also employs a blue-yellow axis.
この目的のため、および上記に論じたように、色マップおよび色４２を軸６４との関連で示すが、これは明度および暗度の際の度合いを示し、青－黄軸もまた使用しているＬＡＢ色空間に共通のものである。

The computer display is then instructed to intermittently change the lightness/darkness value of the specific color 42 to the new value 62, which is lighter or darker depending on the red or green value of the specific color 42.
その後、コンピュータディスプレイは、特定色４２の明度／暗度値を新しい値６２に間欠的に変化させるように指示され、この値６２は特定色４２の赤または緑値に応じて明暗になる。

The two values, 62 — which is represented temporally by means of a change in lightness/darkness — and 54 are sufficient to locate the actual hue of specific color 42 in a standard color space 44, even though the red/green color blind person has intrinsically only one axis of color perception that lies on the blue-yellow axis 56.
赤／緑視覚障害者は青－黄軸５６上に置かれた色知覚の１本の軸のみを先天的に持っているが、値６２－明度／暗度の変化の方法により暫定的に表される－および５４の２つの値は、標準色空間４４における特定色４２の実色相の配置に十分である。

Note that in this method, any color that does not have a red or green bias, such as blue or a neutral color, for example, will not have s lightness/darkness intermittently changed.
この方法では、青または無色等の赤または緑バイアスを持たない色は、例えば、間欠的に変化する明度／暗度を持たないので注意されたい。

Moreover, note that in one embodiment, the user selects colors having a red component or colors having a green component. In this way, the user can more easily distinguish between reds and greens.
さらに、一実施形態において、使用者は赤用を持つ色または緑要素を持つ色を選択することに注意されたい。このようにして、使用者は、より容易に赤と緑を識別することができる。

Optionally however, the user can have both the red and green color components translated into a degree of lightness/darkness at the same time.
かしながら、使用者は状況に応じて、明度／暗度に変換された赤および緑色要素を同時に有することができる。

The display can lighten flash green-based colors at a rate that is much higher than red- based colors, or can lighten the red-based colors while darkening green-based colors.
しディスプレイは、赤系色よりかなり高いレートで緑系色を発光させることができ、または、緑系色を暗くしながら赤系色を発光させることができる。

Either way the systems and methods described herein can recode the green and red hue component of the color 42 onto a temporal variation channel that can be perceived by the user.
本明細書で説明するシステムおよび方法のいずれも、色４２の赤および緑色相要素を、使用者が知覚できる暫定変化チャネルに記録することができる。

電荷蓄積

WO2014120447
In some embodiments, the global charge storage nodes may be positioned on the transistor array chip 172 rather than the photodiode chip 170.
【０１６１】
  いくつかの実施形態では、包括的な電荷蓄積ノードは、フォトダイオードチップ１７０ではなくトランジスタアレイチップ１７２上に配置され得る。

In these embodiments, a light shielding layer (such as a metallic layer) may be positioned between the storage node and the photodiode chip 170.
これらの実施形態では、蓄積ノードとフォトダイオードチップ１７０との間に（金属層のような）遮光層が配置され得る。

The shield or shielding layer may substantially prevent light leakage into the storage node, helping to reduce noise or other artifacts into the stored data (charge).
シールド又は遮光層は蓄積ノードへの光漏れを実質的に防止することができ、蓄積されたデータ（電荷）に入るノイズ又は他のアーチファクトの低減に役立つ。

Additionally, in some embodiments, the storage node may be separated from the photodiode by two or more gates, such as transistors.
更に、いくつかの実施形態では、蓄積ノードは、トランジスタのような２つ以上のゲートによって、フォトダイオードか離隔され得る。

The two gates may electrically isolate the storage node from the photodiode,
２つのゲートは、フォトダイオードから蓄積ノードを電気的に絶縁することができ、

which may further reduce inadvertent or noise light transmission from reaching the storage node (e.g., in instances where the photodiode is receiving light, but not during integration, such as after the initial charge dump to the storage node).
それにより、（例えば、初期電荷が蓄積ノードにダンピングした後のような集積中ではなく、フォトダイオードが光を受光する事例において）偶発的な又はノイズ光透過が蓄積ノードに達することを更に低減することができる。

WO2019123303
[0080] FIG. 16 depicts an embodiment to store the weight in the FET 800 according to one or more embodiments of the present invention.
【００８２】
  図１６に、本発明の１つまたは複数の実施形態によるＦＥＴ８００に重みを記憶するための一実施形態を示す。

A charge storage layer 1610, such as a floating gate is added to the gate stack 840.
ゲート・スタック８４０にフローティング・ゲートなどの電荷蓄積層１６１０が付加される。

The charge can be stored in the charge storing layer 1610 to provide the gate voltage.
ゲート電圧を供給するために電荷蓄積層１６１０に電荷を蓄積することができる。

The charge storing layer 1610 is composed of polysilicon.
電荷蓄積層１６１０はポリシリコンからなる。

In one or more examples, another the gate dielectric layer 841 is added after the charge storing layer 1610,
１つまたは複数の実施例では、電荷蓄積層１６１０の後に別のゲート誘電体層８４１が付加され、

followed by the further layers in the gate stack 840, such as the conductive material layer 842 for the electrode.
その後、電極のための導体層８４２などの他の層がゲート・スタック８４０に付加される。

WO2019094100
[0014] For example, some contamination in a received signal may be due to spectral crosstalk which occurs because of imperfect color filters passing through some amount of unwanted hght of the colors being filtered out.
【０００８】
  例えば、受信信号の一部の汚染は、フィルタによって除去される色の望ましくない光のいくつかの量が通過する不完全なカラーフィルタのために起こるスペクトルクロストークに起因する場合がある。

Optical spatial crosstalk contamination is due to color filters being located at some distance from an image pixel surface due to metal and insulation layers.
光学的空間クロストーク汚染は、金属及び絶縁層のために画像画素の表面からある程度離れて位置するカラーフィルタに起因する。

The light coming at angles other than orthogonal passes through a filter and can partially be absorbed by the adjacent pixel being generated rather than one below.
直交以外の角度で入射する光は、フィルタを通過し、下にある画素ではなく隣接して生成された画素によって部分的に吸収され得る。

Depending on the f-number of the lens, this portion of the light absorbed by a neighboring pixel can vary significantly and can be big enough for low f-numbers.
レンズのＦ値によっては、隣接する画素によって吸収される光のこの部分が大幅に変化する場合があり、Ｆ値を小さくするのに十分な大きさである場合がある。

Micro-lenses located on the top of color filters can reduce this component of crosstalk significantly when appropriate form of micro-lenses and optimum position of them are chosen.
カラーフィルタの上部に配置されたマイクロレンズは、マイクロレンズの適切な形状及びこれらの適切な位置が選択された場合に、クロストークのこの成分を著しく低減することができる。

Electrical crosstalk contamination results from photo-generated carriers having the possibility to move to neighboring charge accumulation sites. Electrical crosstalk occurs in both monochrome and color image sensors.
電気的クロストーク汚染は、隣接する電荷蓄積部位に移動する可能性を有する光生成キャリアから生じる。電気的クロストークは、モノクロ画像センサ及びカラー画像センサの両方で発生する。

The quantity of the carriers that can be accumulated by the neighboring pixel and the corresponding crosstalk depends on the pixel structure, collection area, and distribution of sensitivity inside a pixel.
隣接する画素及び対応するクロストークによって蓄積されるキャリアの量は、画素構造、収集領域及び画素内の感度分布に依存する。

Accordingly, infrared light can contaminate the visible component of a received RGBIR image, and visible light can contaminate the infrared component of the received RGBIR image.
したがって、赤外線は、受信したＲＧＢＩＲ画像の可視光成分を汚染する可能性があり、可視光は、受信したＲＧＢＩＲ画像の赤外線成分を汚染する可能性がある。

WO2018208668
[0037] With this in mind, in present implementations, each pixel 96 comprises an array of sub-pixels 98, such as a 10 x 10 array of sub-pixels 98 having a 100 μιη pitch.
【００３３】
  これを念頭に置いて、本実施態様では、各画素９６は、１００μｍピッチを有するサブ画素９８の１０×１０アレイなどのサブ画素９８のアレイを備える。

This structure differs from what is conventionally seen in a CT detector. In the rightmost aspect of FIG. 3, a circuitry schematic of a sub-pixel 98 in accordance with one such implementation is shown.
この構造は、ＣＴ検出器で従来見られているものとは異なる。図３の最も右側の態様では、１つのそのような実施態様によるサブ画素９８の回路図が示されている。

In this example, the photo sensitive element is a photodiode 102 that generates a photocurrent current proportional to the X-ray photon energy absorbed in the scintillator pixel above it.
この例では、感光素子は、その上のシンチレータ画素に吸収されたＸ線光子エネルギーに比例する光電流を生成するフォトダイオード１０２である。

Each sub-pixel has a built-in amplifier 104that improves the signal-to-noise ratio. Unlike a conventional image sensor pixel, there is more than one charge storage element (e.g., capacitors 106A and 106B) in one implementation.
各サブ画素は、信号対ノイズ比を改善する内蔵増幅器１０４を有する。従来の画像センサ画素とは異なり、一実施態様では、２つ以上の電荷蓄積素子（例えば、コンデンサ１０６Ａおよび１０６Ｂ）が存在する。

This additional storage and the associated integrated readout electronics enable readout of the pixel 96 during an X-ray image data acquisition.
この追加の蓄積部および関連する統合読み出し電子回路は、Ｘ線画像データ取得中に画素９６の読み出しを可能にする。

This in turn enables global shutter operation and ultra-fast frame rate (e.g., >10 kHz) that facilitates certain CT acquisition modes (e.g. ultra-fast kV switching in dual energy imaging).
これにより、グローバルシャッタ動作と、特定のＣＴ収集モード（例えば、二重エネルギー撮像での超高速ｋＶスイッチング）を促進する超高速フレームレート（例えば、＞１０ｋＨｚ）が可能になる。

The implementation of the charge storage elements 106 is also relevant to CT applications which benefit from highly linear signal response.
電荷蓄積素子１０６の実施態様は、高度に線形な信号応答の恩恵を受けるＣＴ用途にも関連している。

The combination of a pinned photodiode 102 (which carries negligible capacitance) with a linear metal-insulator-metal (MIM) capacitor is one suitable design option.
ピン止めフォトダイオード１０２（無視できる程度の静電容量を運ぶ）と線形金属－絶縁体－金属（ＭＩＭ）コンデンサの組合せは、１つの適切な設計オプションである。

In particular, using a pinned photodiode as the photodiode 102 provides benefits in terms of linearity of the pixel response as well as improving the radiation hardness of the pixel 96.
特に、フォトダイオード１０２としてピン止めフォトダイオードを使用すると、画素応答の直線性の点で利点が得られるだけでなく、画素９６の耐放射線性が向上される。

注視する

WO2009124097
[0269] As discussed above with respect to figures 18 and one be, it can be desirable that an electrosurgical tool for use in the electrosurgical system includes one or more audio and/or visual indicators.
【０１５４】
  図１８などに関して上述したように、電気外科システムにおいて使用する電気外科ツールが１つ又はそれよりも多くの音響及び／又は視覚インジケータを含むことが望ましいとすることができる。

In some embodiments, the electrosurgical tool can include an array of LEDs, or a multi-color LED assembly such as a three-color LED assembly capable of generating many combined colors.
一部の実施形態では、電気外科ツールは、ＬＥＤのアレイ、又は多くの組み合わされた色を発生させることができる三色ＬＥＤアセンブリのような多色ＬＥＤアセンブリを含むことができる。

The visual indicator can be configured to illuminate with a color corresponding to the type of electrosurgical procedure performed by the tool.
視覚インジケータは、ツールによって実行される電気外科処置のタイプに対応する色で照明するように構成することができる。

Were a tool is configured to perform multiple different types of electrosurgical procedures, desirably the visual indicator updates to reflect the currently-selected electrosurgical procedure.
ツールが複数の異なるタイプの電気外科処置を行うように構成されている場合、視覚インジケータは、現在選択された電気外科処置を反映するように更新することが望ましい。

Thus, advantageously, a user can tell, while watching the surgical field, what type of electrosurgical procedure the tool is configured to perform.
従って、有利な態様では、ユーザは、手術領域を注視しながら、ツールがどのタイプの電気外科処置を行うように構成されているか見出される。

WO2015117039
[0027] The viewer 220 will perceive a coherent scene containing a coffee cup with a wine glass a small distance behind it.
【００２７】
  視認者２２０は、その背後からわずかな距離にワイングラスを伴うコーヒーカップを含有する、コヒーレント場面を知覚するであろう。

When the viewer looks at the coffee cup, the wine glass will appear slightly blurred, and when he/she shifts eye fixation and accommodation to the wine glass, it will come into sharp focus while the coffee becomes slightly blurred.
視認者が、コーヒーカップを見ると、ワイングラスは、若干ぼけて現れ、眼固定および遠近調節をワイングラスにシフトさせると、鮮明に合焦するであろう一方、コーヒーは、若干ぼける。

The top 302 of Figure 3 shows the two display layers 210 positioned at -3 and -2.7 diopters viewing distance.
図３の上側３０２は、－３および－２．７ジオプトリ視認距離に位置付けられた２つのディスプレイ層２１０を示す。

In our example, the coffee cup would be optically positioned at -3 diopters (i.e., 0.333 meter distance) and the wine glass would be positioned at -2.7 diopters (i.e., 0.370 meter distance).
我々の実施例では、コーヒーカップは、－３ジオプトリ（すなわち、０．３３３メートル距離）に光学的に位置付けられ、ワイングラスは、－２．７ジオプトリ（すなわち、０．３７０メートル距離）に位置付けられるであろう。

The even and odd DLP frames may each additionally include
偶数および奇数ＤＬＰフレームはそれぞれ、加えて、

a somewhat blurred rendering of a flower vase, such that when the viewer gazes at either the coffee cup or the wine glass, he/she will perceive a flower vase in the background of the 3D scene (e.g., at 0.500 meters apparent distance), with the amount of blur that would be expected if it were a real object that were not focused upon at the moment.
視認者がコーヒーカップまたはワイングラスのいずれかを注視するとき、それが瞬間的に合焦されない実物体である場合に予期されるであろうぼけの量を伴って３Ｄ場面の背景に花瓶を知覚するであろうように（例えば、０．５００メートル見掛け距離に）、花瓶の幾分ぼけたレンダリングを含んでもよい。

この順序で、順で、順序に、順に

US7729039
1. An electro-optic display comprising, in this order:

a light-transmissive electrically-conductive layer;

a layer of electro-optic material covering part of the electrically-conductive layer, the layer of electro-optic material not covering a tab portion of the electrically-conductive layer;

an adhesive layer, the adhesive layer not covering the tab portion of the electrically-conductive layer;

a backplane comprising at least one pixel electrode disposed adjacent the layer of electro-optic material, and a contact pad in electrical contact with the tab portion of the electrically-conductive layer.

 

US20200324287

In a methods of manufacture embodiment, what is embraced is a method for synthesizing a release-monitor bead, wherein the release-monitor bead comprises a bead, a quencher, a fluorophore, and a photocleavable linker that couples the fluorophore to the bead, the method comprising, in this order, (i) Providing a resin, (ii) Coupling a lysine linker to the resin, wherein the reagent containing the lysine linker is L-Fmoc-Lys(4-methyltrityl)-OH, (iii) Removing the Fmoc protecting group, (iv) Coupling the quencher using a reagent that is quencher-N-hydroxysuccinimide (quencher-NETS) as the source of quencher, (v) Removing the 4-methyltrityl protecting group using a reagent comprising trifluoroacetic acid, (vi) Coupling a photocleavable linker to the epsilon amino group of lysine, wherein the photocleavable linker is provided by a reagent that is, Fmoc-photocleavable linker-OH, (vii) Coupling the fluorophore. Also provided is the above embodiment, but without regard to the ordering of steps. In other methods embodiments, what is provided is the above method wherein the fluorophore is TAMRA and wherein the quencher is QSY7.

 

US7993463

1. A method of producing a fermentation product, comprising in this order:

a) leaching a lignocellulosic feedstock comprising greater than about 20% (w/w) cellulose to reduce the level of compounds in said feedstock that interfere with a subsequent treatment with acid, said leaching comprising contacting said feedstock with at least one aqueous solution for a period greater than about 2 minutes, said aqueous solution having a pH of between about 6 and about 9, to produce a leached feedstock and a leachate;

b) removing said leachate from said leached feedstock;

c) acidifying said leached feedstock with acid to a pH between about 0.5 and about 3 to produce an acidified feedstock;

d) pretreating said acidified feedstock subsequent to step (c) under conditions to disrupt fiber structure to increase the accessibility of the leached feedstock to being hydrolyzed, to produce a composition comprising xylose and a pretreated feedstock;

e) treating said composition comprising xylose and pretreated feedstock with cellulase under conditions which hydrolyse cellulose in said pretreated feedstock to glucose, producing a sugar solution comprising xylose and glucose; and

f) treating said sugar solution with a microorganism under conditions which permit fermentation of said xylose and/or said glucose to the fermentation product.

 

EP2968668

Other embodiments provide for a method of making the biodegradable intraocular implants of the invention, the method comprising in this order a) blending the therapeutic agent with a biodegradable polymer or two or more biodegradable polymers and one or more excipients, if any, to form a mixture, b) extruding the mixture to form a filament, and c) cutting the filament to lengths suitable for placement in an eye of a patient suffering from elevated intraocular, thereby forming the intraocular implants. In particular embodiments the filament is cut to lengths suitable for placement in the anterior chamber of an eye. The therapeutic agent comprises Compound 1 as defined herein. In some instances the therapeutic agent used for blending with the polymer(s) (step a) may be in the form of a solid. The mixture may be extruded at a temperature of from 60°C to 150°C.

 

US7243276

1. A method, comprising in the order recited:

(a) placing a DDR DRAM having a test mode and an operational mode in test mode, said DDR RAM comprising an array of storage cells arranged in rows and columns, storage cells each row addressable by a respective wordline of a set of wordlines and each storage cells in each column addressable by a respective bitline of a set of bitlines;

(b) issuing a bank activate command on an occurrence of a rising edge of a first clock signal of a pair of adjacent clock signals of a test clock to select and bring up a wordline selected from said set of wordlines for write of said wordline selected for write;

(c) issuing a write with auto-precharge command on an occurrence of a rising edge of a second clock signal of said pair of adjacent clock signals to write a test pattern to storage cells corresponding to said wordline selected for write;

(d) repeating steps (b) and (c) until all wordlines of said set of wordlines have been selected and written;

(e) issuing a bank activate command on an occurrence of a rising edge of a first clock signal of a subsequent pair of adjacent clock signals to select and bring up a wordline selected from said set of wordlines for read of said wordline selected for read;

(f) issuing a read with auto-precharge command on an occurrence of a rising edge of a second clock signal of said subsequent pair of adjacent clock signals to read the stored test pattern from storage cells corresponding to said wordline selected for read; and

(g) repeating steps (e) and (f) until all wordlines of said set of wordlines have been selected and read.

 

WO2018200760

The micro -perforated glass or glass-ceramics laminate of claim 1 , further comprising, in order:

 

the first substrate;
【請求項２】
  前記第１の基板と、

 

the first polymer interlayer;
前記第１のポリマー中間層と、

 

the second substrate;
前記第２の基板と、

 

a second polymer interlayer; and
第２のポリマー中間層と、

 

a third substrate laminated to the second substrate by the second polymer interlayer, wherein the third substrate is selected from glass and glass-ceramics.
前記第２の基板に前記第２のポリマー中間層によって積層された第３の基板であって、ガラスおよびガラスセラミックから選択されたものである第３の基板と

をこの順で更に含む、請求項１に記載の微細穿孔ガラスまたはガラスセラミック積層体。

 

WO2017185224

A process for the production of a composition according to any one of claims 1 to 11, comprising in this order at least the following steps:
【請求項１２】
  少なくとも以下の工程：

 

(a) reacting a basic compound with an aqueous solution comprising at least a zirconium chloride salt, a cerium salt and optionally at least one rare earth salt, other than cerium salt and lanthanum salt, said aqueous solution containing sulphate anion (SO₄^2-) , to form a hydroxide precipitate；
（ａ）塩基性化合物を、少なくともジルコニウム塩化物塩と、セリウム塩と、任意選択的にセリウム塩及びランタン塩以外の少なくとも１種の希土類塩とを含む水溶液であって、硫酸アニオン（ＳＯ_４^２－）を含有する水溶液と反応させて、水酸化物の析出物を形成する工程、

 

(b) separating off the precipitate from the liquid medium；
（ｂ）前記析出物を液体媒体から分離する工程、

 

(c) heating the precipitate obtained in step (b) in an aqueous medium and optionally in presence of lanthanum salt with a basic compound；
（ｃ）工程（ｂ）で得られた前記析出物を水性媒体中で且つ任意選択的に塩基性化合物を伴うランタン塩の存在下で加熱する工程、

 

(d) optionally adding lanthanum salt, optionally with a basic compound；
（ｄ）任意選択的に塩基性化合物と共に、任意選択的にランタン塩を添加する工程、

 

(e) adding an organic texturing agent；
（ｅ）有機テクスチャリング剤を添加する工程、

 

(f) separating off the precipitate from the liquid medium； and
（ｆ）前記析出物を前記液体媒体から分離する工程、及び

 

(g) calcining the precipitate.
（ｇ）前記析出物を焼成する工程

をこの順で含む、請求項１～１１のいずれか一項に記載の組成物を製造する方法。

 

WO2019084523

15. An article prepared according to the method of claim 1 , wherein the article comprises the following in sequence:
【請求項１５】
  請求項１に記載の方法により調製された物品であって、

 

the polymeric film or laminate comprising the polymeric film outwardly exposed on the article;
 前記物品において外側に露出した前記高分子フィルムまたは前記高分子フィルムを含むラミネートと、

the second solidified interlayer; and
前記第２の固化中間層と、

 

the underlying surface of the article.
下地となる前記物品の前記表面と、

がこの順に配設される物品。

真性半導体

WO2010078054
[0022] In certain embodiments, drain region 120 (in an NTFET) contains a material having a charge neutrality level that lies above a bottom of its conduction band.
【００１９】
  特定の実施形態において、（ＮＴＦＥＴにおける）ドレイン領域１２０は、その伝導帯の底より上に電荷中性レベルが位置する材料を含む。

This means that its Fermi level pinning position is in the conduction band, i.e., it is an intrinsic semiconductor.
これは、そのフェルミレベルピニング位置が伝導帯内にあること、すなわち、それが真性半導体であることを意味する。

Introducing layers which pin in the conduction band can diminish or eliminate the need for high doping in the drain.
伝導帯内でピニングするレイヤ群を導入することは、ドレインにおける高濃度ドーピングの必要性を低減あるいは排除し得る。

In one embodiment, the material of drain region 120 comprises a third compound semiconductor such as InAs, InN, or the like.
一実施形態において、ドレイン領域１２０の材料は、例えばＩｎＡｓ、ＩｎＮ又はこれらに類するものなど、第３の化合物半導体を有する。

(The foregoing discussion also applies to the source region of a PTFET.)
（以上の議論はＰＴＦＥＴのソース領域にも当てはまる。）

In a particular embodiment, Ino_.53Gao_.47As may be used for the third compound semiconductor, i.e., for the drain region of an NTFET,
特定の一実施形態において、Ｉｎ_０．５３Ｇａ_０．４７Ａｓが第３の化合物半導体すなわちＮＴＦＥＴのドレイン領域に用いられ、

while GaAso.5Sbo.5, and Ino.53Gao.47As may be used, respectively, for the first and second compound semiconductors of the NTFET, i.e., for the source and the channel regions. 
ＧａＡｓ_０．５Ｓｂ_０．５及びＩｎ_０．５３Ｇａ_０．４７Ａｓが、それぞれ、ＮＴＦＥＴの第１及び第２の化合物半導体すなわちソース領域及びチャネル領域に用いられ得る。

WO2019106475
[0024] The term "p-type" refers to the addition of impurities to an intrinsic semiconductor that creates deficiencies of valence electrons.
【００２４】
  「ｐ型」という用語は、価電子の不足を作り出す真性半導体への不純物の添加を指す。

In a silicon-containing semiconductor material, examples of p-type dopants, i.e., impurities, include, but are not limited to, boron, aluminum, gallium and indium.
シリコン含有半導体材料では、ｐ型ドーパント、すなわち、不純物の例には、限定はしないが、ホウ素、アルミニウム、ガリウム、およびインジウムが含まれる。

The term "n-type dopant" refers to the addition of impurities that contributes free electrons to an intrinsic semiconductor.
「ｎ型ドーパント」という用語は、真性半導体に自由電子を与える不純物の添加を指す。

In a silicon containing semiconductor material, examples of n-type dopants, i.e., impurities, include, but are not limited to, antimony, arsenic and phosphorous.
シリコン含有半導体材料では、ｎ型ドーパント、すなわち、不純物の例には、限定はしないが、アンチモン、ヒ素、およびリンが含まれる。

The source/drain regions 12L, 12R have a dopant concentration (p- or n-type) that is within ranges well known to those skilled in the art.
ソース／ドレイン領域１２Ｌ、１２Ｒは、当業者によく知られている範囲内のドーパント濃度（ｐ型またはｎ型）を有する。

In one example, the source/drain regions 12L, 12R have a dopant concentration that is from 1 E18 atoms/cm³ to 1 E20 atoms/cm³.
１つの例では、ソース／ドレイン領域１２Ｌ、１２Ｒは、１Ｅ１８原子／ｃｍ^３から１Ｅ２０原子／ｃｍ^３のドーパント濃度を有する。

剥離残留物

US2009053901
Example 3
 ［実験例３］

[0067] In another example, the effect of using different gas compositions at different stations was investigated relative to silicon loss and strip residue.
別の実験例では、異なるステーションにおいて異なるガス組成を用いた場合のシリコン損失及び剥離残留物への影響を調べた。

The process conditions were the same as that of Example 1, except that the wafer support temperature is 250 degrees Celsius.
プロセス条件は、実験例１のものと同じであるが、ウェハ支持体の温度は、２５０℃である。

In a first recipe, carbon tetrafluoride was employed in all stations at a total flow rate of 40 sccm.
第１のレシピでは、四フッ化炭素が、４０ｓｃｃｍの総流量で全てのステーションにおいて用いられた。

In a second recipe, carbon tetrafluoride was delivered only to RF stations 1 and 2 at a total flow rate of 20 sccm (10 sccm per station). Carbon dioxide flow rate was held constant at 150 sccm.
第２のレシピでは、四フッ化炭素は、２０ｓｃｃｍの総流量で第１のＲＦステーション及び第２のステーションだけに供給された（即ち、各ステーションに１０ｓｃｃｍ）。二酸化炭素の流量は、１５０ｓｃｃｍで一定に維持された。

WO2010047970
[0073] In accordance with another embodiment of the present invention, the timing/sequence of introducing the process gas(es) and the water vapor
【００７３】
  本発明の別の実施形態によると、１または複数の処理ガスと水蒸気とを導入するタイミング／順序は、

may be changed in order to control effects on the photoresist strip process, such as the strip rate, strip residue, amount of material loss, or other on-wafer results in general.
剥離速度、剥離残留物、材料欠損の量、または、一般に他のウエハ上での結果など、フォトレジスト剥離処理に対する影響を制御するために変更されてよい。

When a wafer is placed in the second chamber separate from the first chamber where the plasma is generated,
プラズマが生成される第１のチャンバから離れた第２のチャンバ内にウエハが配置される場合、

the timing of introducing the process gases into the first chamber also controls the timing of the reaction medium to flow into the second chamber with respect to the water vapor injection. 
処理ガスを第１のチャンバ内に導入するタイミングにより、水蒸気注入に対して反応媒体が第２のチャンバに流入するタイミングが制御される。

WO03061615
The ASAP rheology modifying, hair setting polymers of this invention, in addition to concurrently providing rheology modification,
本発明のＡＳＡＰレオロジー改質性整髪用ポリマーは、レオロジー改質を行うと同時に、

provide clarity to gel products, provide a surprisingly long lasting, cosmetic hair style retention,
ゲル製品に透明度を付与し、驚くほど長持ちする見映えの良いヘアスタイルを提供し、

remain non-tacky under high humidity conditions, leave no unwanted flaking residue on the hair,
高湿度条件下においても粘着きが出ず、不必要な剥離残留物を毛髪上に残さず、

provide control of static fly away on hair, impart luster, body, and a natural feel to the hair, and
静電気による毛髪の毛羽立ちを制御し、毛髪に光沢、腰および自然な感触を付与し、

are removable from the hair as by washing with shampoo.
そしてシャンプーで毛髪から洗い流すことができる。

常伝導

WO2009120638
Superconducting Probe Card
【００８１】
超伝導プローブカード

The various embodiments described herein provide systems and devices for superconducting probe cards.
本明細書に記述する各種の実施形態は、超伝導プローブカード用のシステムおよび装置を提供する。

 

A superconducting probe card may include at least one superconducting needle that is capable of establishing a superconducting connection with a superconducting integrated circuit.
超伝導プローブカードは、超伝導集積回路との超伝導接続を確立できる少なくとも１個の超伝導針を含んでいてよい。

 

While normal-metal and non-superconducting probe cards are well known in the art (such as those sold by, for example, Wentworth Laboratories, Inc. of 500 Federal Road, Brookfield, CT 06804, USA),
常伝導金属および非超伝導プローブカードが当該技術分野で公知である（例えば、Wentworth Laboratories, Inc. of 500 Federal Road, Brookfield, CT  06804, USAから販売されている）が、

 

no previous description or implementation of a superconducting probe card are known by the inventors.
超伝導プローブカードに関する過去の記述または実装を本発明者は知らない。

 

WO2018009779
[00259] Each set of coils may be a split pair of annular coils to receive electrical current.
【０２１７】
  コイルの各セットは、電流を受け取るための分離された一対の環状コイルでありうる。

 

In some situations, both sets of coils are superconducting.
いくつかの状況において、両方のセットのコイルが超伝導である。

 

In other situations, only one set of the coils is superconducting and the other set is non- superconducting or normal conducting (also discussed further below).
別の状況において、１つのセットのコイルのみが超伝導であり、もう一方のセットが非超伝導または常伝導であ
る（以下でさらに議論される）。

 

It is also possible that both sets of coils are non-superconducting.
両方のセットのコイルが非超伝導であることも可能である。

 

Suitable superconducting materials for use in the coils include niobium-3 tin (Nb3Sn) and/or niobium-titanium.
コイルに使用するのに適した超伝導材料は、ニオブ３スズ（Ｎｂ３Ｓｎ）及び／またはニオブ－チタンを含む。

 

Other example conducting materials can include copper. 
別の例示的な導体材料は銅を含むことができる。

 

Examples of the coil set constructions are described further below.

コイルセット構成の例は以下にさらに説明される。

 

WO2017158173
It is also possible to use permanent or resistive magnets.
【００２６】
  永久又は常伝導磁石を使用することも可能である。

 

The use of different types of magnets is also possible for instance it is also possible to use both a split cylindrical magnet and a so called open magnet.
異なるタイプの磁石の使用も可能であり、例えば、分割円筒（split cylindrical）磁石及びいわゆる開放（open）磁石の両方を使用することも可能である。

 

A split cylindrical magnet is similar to a standard cylindrical magnet, except that the cryostat has been split into two sections to allow access to the iso-plane of the magnet,
分割円筒磁石は、前記磁石のイソプレイン（iso-plane）に対するアクセスを可能にするようにクライオスタットが２つのセクションに分割されていることを除いて、標準的な円筒磁石と同様であり、

 

such magnets may for instance be used in conjunction with charged particle beam therapy.
このような磁石は、例えば、荷電粒子ビーム治療と併せて使用されてもよい。

 

An open magnet has two magnet sections, one above the other with a space in-between that is large enough to receive a subject:
開放磁石は、２つの磁石セクションを持ち、一方は、対象を受けるのに十分に大きい間の空間とともに他方の上であり、

 

the arrangement of the two sections area similar to that of a Helmholtz coil.
前記２つのセクションの構成は、ヘルムホルツコイルのものと同様である。

 

Open magnets are popular, because the subject is less confined.
開放磁石は、対象が閉じ込められる度合いが低いので、人気である。

 

Inside the cryostat of the cylindrical magnet there is a collection of superconducting coils.
前記円筒磁石のクライオスタットの中には、超電導コイルの一群が存在する。

 

The magnet 22 shown in this embodiment is a standard cylindrical superconducting magnet.
本実施例に図示される磁石２２は、標準的な円筒形超伝導磁石である。

 

The magnet 22 has a cryostat 24 with superconducting coils 26 within it.
磁石２２は、中に超電導コイル２６を持つクライオスタット２４を持つ。

 

The magnet 22 has a bore 28. Within the bore 28 of the cylindrical magnet 22 there is an imaging zone where the magnetic field is strong and uniform enough to perform magnetic resonance imaging.

磁石２２は、ボア２８を持つ。円筒磁石２２のボア２８内には、磁場が磁気共鳴撮像を実行するのに十分に強力かつ一様である撮像ゾーンが存在する。

 

WO2015116289
[0048] Once the exposed region 302 becomes a non- superconductor material,
【００３９】
  露出領域３０２が非超伝導体材料になった後には、

 

the remaining superconductor regions 118 define a pattern within the substrate 100 that has the dimensions and shape of the metal structure 116, as shown in FIGs. 1A, IB, and 3E.
残存する超伝導体領域１１８は、図１Ａ、１Ｂ及び３Ｅに示すように、金属構体１１６の寸法及び形状を有するパターンを基板１００内に画定する。

 

Thus, an integrated superconductor device is formed that provides a conductive path in a tape-like structure that contains a layer stack
このようにして、集積超伝導体デバイスが形成され、層スタックを含むテープ状構体としての導電経路を得ることができ、

 

in which a normal conductor (metal structure 116) is disposed over a superconductor region 118.
層スタックにおいて、常伝導体（金属構体１１６）が超伝導体領域１１８上に位置する。

 

However, unlike free-standing superconductor tapes, the tape-like structure is integrated within a substrate such as the substrate base 110.

しかし、独立の超伝導体テープとは異なり、このテープ状構体は基板ベース１１０のような基板内に集積させる。

永久電流

WO2017058194
[0046] A flux qubit is an example of a qubit that can be realized in a physical system using superconducting materials.
【００２４】
  磁束量子ビットは、物理システムにおいて、超伝導材料を使用して実現され得る量子ビットの一例である。

Flux qubits store information in the phase or flux states of the device.
磁束量子ビットは、デバイスの位相状態または磁束状態に情報を記憶する。

An example of a flux qubit is the persistent current qubit that includes a loop of superconducting material interrupted by three Josephson junctions.
磁束量子ビットの一例には、3つのジョセフソン接合によって中断された超伝導材料のループを含んでいる永久電流量子ビットがある。

FIG. lA is a schematic that illustrates an example of a persistent current flux qubit 100.
図1Aは、永久電流磁束量子ビット100の一例を示す概略図である。

The persistent current flux qubit 100 includes a loop 102 of superconducting material interrupted by multiple Josephson junctions 104, 106, and 108.
永久電流磁束量子ビット100は、複数のジョセフソン接合104、106、および108によって中断された超伝導材料のループ102を含む。

Each Josephson junction has a certain critical current.
それぞれのジョセフソン接合が特定の臨界電流を有する。

US2021035722
[0100] The solenoidal magnet sections 1a-1c are of equal length in the axial direction (see axis A) and their lengths align.
【００８７】
  マグネットコイル部１ａ～１ｃは、ここでは、軸方向に（軸Ａ参照）同じ長さであり、かつ位置合わせされている。

Here, the solenoidal magnet sections 1a-1c and the further solenoidal magnet sections 61, 62 are
マグネットコイル部１ａ～１ｃとさらなるマグネットコイル部６１、６２とは、ここでは、

electrically connected in series with one another via the connecting sections 31b, 32b of the follow-on superconductors and the further connecting sections 63, 64, outer joints 41 being implemented here.
ＳＬ後続導体の接続部分３１ａ、３２ａと、さらなる接続部分６３、６４とを介し、また、ここでは外側の接合部４１を用いて、互いに電気的に直列接続されている。

In the embodiment shown, the magnet coil assembly 40 may be superconductively short-circuited via the superconducting switch 42,
図示された実施形態では、マグネットアセンブリ４０は、超伝導スイッチ４２を介して超伝導性に短絡することができ、

and thus switched into a persistent mode
それにより、永久電流モード（「永久モード」）に切り替えることができ、

in which no external power supply is required and the magnetic field in the sample volume PV may be maintained permanently and with practically no drift.
このモードでは、外部電流供給を必要とせず、試料容積ＰＶ内での磁場を、持続的にかつ実際にドリフトなしに保持することができる。

An electrical power source 43 is arranged here in parallel with the switch 42, it being possible to charge and discharge the magnet coil assembly 40 by means of the power source.
ここでは電源４３がスイッチ４２に対して並列に配置されていて、この電源４３を介して、マグネットアセンブリ４０を充放電することができる。

EP3378162
[0018] A first flux state, as referred to herein, describes that a loop comprising a bias transformer secondary inductor and two JTL stages (e.g. first and third or second and fourth, as described herein), encloses a magnetic flux of +Φ0/2,
【０００９】
  本明細書に記載される第１の磁束状態とは、バイアス変換器の２次インダクタと２つのＪＴＬ段（例えば、本明細書に記載される第１および第３のＪＴＬ段または第２および第４のＪＴＬ段）とを含むループが＋Φ_０／２の磁束を有し、

and therefore a persistent current in the loop is flowing away from the Josephson junctions of one of the JTL stages in the loop and towards the Josephson junctions of the other JTL stage in the loop.
これによりループ内の永久電流がループ内の複数のＪＴＬ段のうちの１つのジョセフソン接合からループ内の他のＪＴＬ段のジョセフソン接合に向かって流れることを指す。

A second flux state, as referred to herein, describes that the same loop encloses a magnetic flux of −Φ0/2,
また、本明細書に記載される第２の磁束状態とは、その同じループが－Φ_０／２の磁束を有し、

and therefore the persistent current in the loop is flowing in the opposite direction relative to the first flux state,
これによりループ内の永久電流が第１の磁束状態に対して逆の方向に流れる、

and thus towards the Josephson junctions of the other JTL stage and away from the Josephson junctions of the one JTL stage (relative to the first flux state).
すなわち（第１の磁束状態に対して）一つのＪＴＬ段のジョセフソン接合から他のＪＴＬ段のジョセフソン接合に向かって流れることを指す。

A JTL stage is described herein as “reset” when the persistent DC current in the respective bias transformer secondary inductor is flowing towards the Josephson junctions of the respective JTL stage.
本明細書では、それぞれのバイアス変換器の２次インダクタにおける永久ＤＣ電流がそれぞれのＪＴＬ段のジョセフソン接合に向かって流れるときに、ＪＴＬ段が「リセット」されると言う。

A JTL stage is described herein as “set” when the persistent current in the respective bias transformer secondary inductor is flowing away from the Josephson junctions of the respective JTL stage.
また、それぞれのバイアス変換器の２次インダクタにおける永久電流がそれぞれのＪＴＬ段のジョセフソン接合から流れるときに、ＪＴＬ段が「セット」されると言う。

Therefore, in a given flux state, one JTL stage in a given loop is in the set state and the other JTL stage is in the reset state.
このため、所与の磁束状態において、所与のループ内の１つのＪＴＬ段はセット状態にあり、他のＪＴＬ段はリセット状態にある。

Accordingly, an SFQ propagating through the one JTL stage of the loop sets the respective one JTL stage, causing a transition to the second flux state and causing a reset of the other JTL stage of the loop.
したがって、ループの１つのＪＴＬ段を伝播するＳＦＱが、それぞれ１つのＪＴＬ段をセットすると、第２の磁束状態への遷移を生じさせるとともに、そのループの他のＪＴＬ段のリセットを生じさせる。

WO2014124295
The state of qubit 201 is defined by the persistent current of qubit 201 .
【００３５】
  キュービット２０１の状態は、キュービット２０１の永久電流によって定義される。

The persistent current of qubit 201 is read out by coupling qubit 201 to DC-SQUID magnetometer 241 through latching device 251 as described in US Patent 8,169,231 .
キュービット２０１の永久電流は、米国特許第８，１６９，２３１号明細書で説明されているように、ラッチ素子２５１を通じてキュービット２０１をＤＣ－ＳＱＵＩＤ磁力計２４１と結合することによって読み出される。

Latching device 251 is illustrated as being inductively coupled to a shift register 271 in accordance with the teachings of US Patent 8,169,231 .
ラッチ素子２５１は、米国特許第８，１６９，２３１号明細書の教示に従って、シフトレジスタ２７１と誘導結合されるものとして示されている。

Latching device 251 is controlled by programming interface 227 and magnetometer 241 is controlled by programming interface 228. 
ラッチ素子２５１は、プログラミングインターフェース２２７によって制御され、磁力計２４１は、プログラミングインターフェース２２８によって制御される。

WO2014096995
The present invention generally pertains to a low-loss persistent current switch, and in particular, to a low-loss persistent current switch for use with a superconducting persistent magnet in a cryogenic environment.
【０００１】
  本発明は、一般的に、低損失な永久電流スイッチに関する。より特定的には、低温環境における超伝導永久磁石を用いた使用のための低損失な永久電流スイッチに関する。

US2013178366
[0051] The dimensions and geometry of IR reflection patches 405 can affect the performance of probe coil 205 in various ways.
【００３９】
  ＩＲ反射パッチ４０５の寸法および幾何学構造は、種々の点でプローブコイル２０５の性能に影響しうる。

For example, if the patches are too large, persistent currents may arise in the superconductor material.
例えば、パッチが大きすぎる場合、超伝導体素材内で永久電流が生じるかもしれない。

These persistent currents create their own magnetic field, which can disturb the homogeneity of the static magnetic field and interfere with NMR measurements.
これらの永久電流はそれら自身の磁場を生成し、これが静磁場の均一性を乱し、ＮＭＲ測定に干渉する可能性がある。

On the other hand, if the patches are too small, the proportional area covered by the patches, or filling factor, may decrease.
他方で、パッチが小さすぎる場合、パッチで覆われた面積割合または充填率は減少するかもしれない。

A reduction in filling factor tends to increase the amount of IR energy absorbed by substrate 210, which can contribute to thermal gradients in an NMR sample.
充填率の減少は、基板２１０により吸収されるＩＲエネルギーの量を増加する傾向があり、これはＮＭＲサンプル内の温度勾配に寄与しうる。