ダイシングダイボンディングフィルム

US2007003758(NAT STARCH CHEM INVEST [US])
[0002] This invention relates to a multi-layer adhesive film comprising a combination of thermoplastic rubbers and thermoset resins, particularly for use as a dicing die bonding film within semiconductor packages. 
本発明は、熱可塑性ゴムおよび熱硬化性樹脂の組み合わせを含む多層接着性フィルム、特に半導体パッケージ内のダイシングダイボンディングフィルムとして使用されるためのフィルムに関する。

US10689550(FURUKAWA ELECTRIC CO LTD [JP])
The present invention relates to an electrically conductive composition.
【０００１】
  本発明は、導電性組成物に関する。

More specifically, the present invention relates to an electrically conductive paste, an electrically conductive adhesive composition, an electrically conductive adhesive film composed thereof,
具体的には、導電性ペーストや、導電性接着剤組成物、およびそれよりなる導電性接着フィルム、

as well as a dicing die bonding film that is obtained by bonding a pressure-sensitive adhesive tape thereto.
およびそれと粘着テープとを貼り合せてなるダイシングダイボンディングフィルムに関する。

US2017152411(FURUKAWA ELECTRIC CO LTD [JP])
[0001] The present invention relates to an adhesive film that shows conductivity, which can be used for packaging semiconductor device and heat radiation member etc., a dicing die bonding film obtained by combining said film with a dicing tape,
【０００１】
  本発明は、半導体素子や放熱部材などを実装する際に用いることができる、導電性を有する接着フィルム、およびそれとダイシングテープとを組み合わせたダイシングダイボンディングフィルムと、

and a method for processing semiconductor wafer using the same.
それらを用いた半導体ウェハの加工方法に関する。

EP4045564(PROMERUS LLC [US])
From the above, according to the photosensitive adhesive composition of the present invention, it is possible to realize the adhesive layer having sufficiently both adhesiveness and stress relaxation.
【０１０２】
  本発明の感光性接着剤組成物によれば、接着力に優れながらも応力を緩和する接着層を実現することができる。

In other words, since the adhesive layer has both element protective function of buffer coat film (or, buffer coat function) and adhesive function of die bonding film (or, die bonding function) with a single layer,
言い換えれば、接着層は単一層としてバッファ塗膜の素子保護機能（またはバッファ塗膜機能）と、ダイボンディングフィルムの接着機能（またはダイボンディング機能）を両方有するので、

it is possible to form the chip laminate without decreasing the reliability and to thin the chip laminate as compared to the conventional one in two layers as well.
信頼性の低下なしにチップ積層体を形成することは勿論、２層で構成し、既存のチップ積層体に比べて薄く作製することができる。

Further, it is possible to reduce the volume of the mold portion and to shorten the bonding wire due to thinning of the chip laminate, thereby these factors contribute to light-weight and cost-savings.
また、チップ積層体の薄型化によるモールド部の体積減少およびボンディングワイヤの短縮が可能であるため、軽量化およびコスト節減に寄与する。

US7790502(HONEYWELL INT INC [US])
[0032] Alternatively, the wafer assembly 200 may be held by other means.
【００２３】
  代替として、ウェーハ組立体２００は、他の手段により保持することもできる。

For example, the wafer assembly 200 may be fixed to a work surface other than a dicing tape frame 402 by means other than dicing tape 400 .
例えば、ウェーハ組立体２００は、ダイシングテープ４００以外の手段によってダイシングテープフレーム４０２以外の作業表面に固定することができる。

For example, a bonding agent (not shown), such as one of many die-bonding adhesive pastes known in the art, may be used to hold the wafer assembly 200 to an alternative work surface (not shown).
例えば、当該技術分野で公知の多くのダイボンディング接着ペーストの１つのような結合剤（図示せず）を用いて、ウェーハ組立体２００を別代替の作業表面（図示せず）に保持することができる。

Alternatively, the bonding agent may be a die bonding film.
代替として、結合剤は、ダイボンディングフィルムとすることができる。

US10461032(HONEYWELL INT INC [US])
[0025] Also disclosed herein are methods of fabricating coreless substrates with embedded stacked through-silicon via die. In an embodiment, a process includes bonding a backside of a first die to a panel with a die-bonding film. A backside of a second die including one or more through-silicon vias disposed therein (TSV die) is disposed above and bonded to a device side of the first die, through the one or more through-silicon vias. An encapsulation layer is formed above a device side of the TSV die, the encapsulation layer surrounding the first die and the TSV die. Subsequently, the panel is removed from the die-bonding film.