US2021384250(JP)
[0002] In recent years, a back-illuminated solid-state imaging device that receives light from a side opposite to a side on which a wiring layer is formed on a substrate has been proposed (see, for example, PTL 1).
【０００２】
近年、基板上の配線層が形成される側とは反対側から光を受光する、裏面照射型の固体撮像装置が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
In the solid-state imaging device described in PTL 1, a groove portion is provided between adjacent photoelectric conversion portions of the substrate, the inside of the groove portion is covered with a fixed charge film, and an insulation film is embedded without any void in order to reduce optical color mixing.
特許文献１に記載の固体撮像装置では、光学混色を低減するために、基板の、隣接する光電変換部の間に溝部が設けられ、この溝部内に固定電荷膜が被覆されるとともに、絶縁膜が隙間なく埋め込まれている。
US10284799(JP)
[0109] The dummy light-condensing element structures 53 are formed between the shared on-chip lens 52 that covers the phase-difference detection pixels 60 and the individual on-chip lenses 31 that cover the adjacent normal pixels 30 .
【００５３】
ダミー集光素子構造５３は、位相差検出画素６０を覆う共有型オンチップレンズ５２と隣接する通常画素３０を覆う個別型オンチップレンズ３１との間に形成される。
Due to the provision of the dummy light-condensing element structures 53 , the individual on-chip lenses 31 and the shared on-chip lens 52 can be tessellated having substantially no gaps between the adjacent pixels.
ダミー集光素子構造５３を設けることにより、個別型オンチップレンズ３１および共有型オンチップレンズ５２は隣接画素間でほぼギャップなく平面充填することができ、
In addition, structure deformation thereof can be minimized and it is possible to realize a phase-difference detection pixel in which optical color mixing is reduced.
さらにその構造変形を最小限に留め光学混色の少ない位相差検出画素を実現することができる。
US11211416(JP)
[0016] A back surface irradiation type complementary metal oxide semiconductor (CMOS) sensor is a photoelectric conversion apparatus.
【００１０】
光電変換装置の１つに裏面照射型のＣＭＯＳセンサーがある。
Such a CMOS sensor has no wiring structure in a region where light enters the sensor and, thus, the CMOS sensor has the advantage of improved sensitivity.
光が入射する領域に配線構造がないため、感度が向上する利点がある。
Meanwhile, in a case in which a light beam with a small incidence angle enters, if there is no member to block the light beam with a small incidence angle, part of the incident light beam will leak into an adjacent pixel in the light transmitting member or semiconductor layer, and thus optical color mixture will occur.
一方で、入射角が小さい光線が入射した場合、入射角が小さい光線を遮る部材がないと、入射した光線の一部が透光部材内あるいは半導体層の内部で隣接する画素に漏れ、光学混色が発生する。
