数か月前にLUXMAN LV-103の電源回路 整流ダイオードをお気に入りのシリコンカーバイドDiに換装したわけですが、、、
実は想定外の事故が発生しまして、、、
電流容量のうえでは十分だとは思うのですが(数値的に明確なエビデンスは無く､感覚的なところですが)、なぜかRohm社のSiC SBDでは数日間は良好に動作するものの その後にショート状態になったり 小爆発(破裂)したりしました。それも2回も交換したのですがダメでした！！
そこで少しでも電流容量の大きいモノにすれば大丈夫だろうと、またまたebayにて中国業者からCREE社のSiC SBDを入手いたしました。
で、さらに安全策として 少しでも放熱効果を高めようと放熱板まで準備したわけです。
ただでさえ電源回路付近は 無理やり電解コンデンサを増やしており狭いので、基板の裏・表に2個ずつ振り分けての取付です。(放熱板と配線が触れ合っているという危険きわまりないヒドイ状態)
カタログスペックではRohm社製よりも数Aも余裕があるので、恐らく大丈夫だろうと思いますが、、
残念ながら、サウンドに関してはCREE社のSiCはRhom社製に比べて劣っている感じがいたします。Rohm社のSiBだと、静寂感が深くて "オッ､オ～"という感動がありましたが、CREE社だと それほどの感覚がありません。また 最低音の響き感が "こりゃ スッゲ～"とうれしくなりましたが、CREE社だと低域まで伸びてはいるなぁ・・ という程度の感覚です。
ここからは別件になりますが、ついでながらパワーアンプ部の出力段MOS-FETをebayで調達しました！！
が、しかし、、、 やはり中国業者だと こんなモノですか・・・
一応ebayでの商品説明では、MOS-FET コンプリメンタリーのペアー となっておりますので hfe特性を揃えたペアーになってくると思っていたのですが、、、
なんと まあ・・・・
JとKがそれぞれ数量分 別々にパッケージされており、まったくペアーにはなっておりませんでした！！
こりゃ 困ったもんですな、また特性測定の方策から考えねばなりません。
もっとも必要に迫られてのことながら、次々と新たな課題(MOS-FETの特性hfe測定など)を課せられるのは 良い刺激(脳トレ)になると信じ、学んでゆきたいと思います。 ひ え ～