リサーフ領域

WO2021161835
図１は、本発明の第１実施形態に係る半導体装置の半導体チップを示す平面図である。 図２は、図１に示す領域IIの拡大図である。 図３は、図２に示す領域IIIの拡大図である。 図４は、図２に示す領域IIIの一部切り欠き斜視断面図である。 図５は、図３に示すV-V線に沿う断面図である。 図６は、リサーフ領域を示す要部拡大図である。

図４～図６を参照して、半導体装置１は、第１主面３からドリフト領域１３の一部を露出させるようにドリフト領域１３の表層部に部分的に形成されたｎ型のリサーフ領域２０を含む。リサーフ領域２０は、ドリフト領域１３を超えるｎ型不純物濃度を有している。リサーフ領域２０のｎ型不純物濃度は、１．０×１０１５ ｃｍ－３ 以上５．０×１０１６ ｃｍ－３ 以下であってもよい。

　この形態では、複数のリサーフ領域２０が、ドリフト領域１３の表層部に間隔を空けて形成されている。複数のリサーフ領域２０は、ドリフト領域１３の底部から第１主面３側に間隔を空けて形成されている。複数のリサーフ領域２０は、具体的には、ウェル領域１４よりも浅く形成され、ドレイン領域１５よりも深く形成されている。複数のリサーフ領域２０は、ドリフト領域１３の一部を挟んで半導体基板６に対向している。

　複数のリサーフ領域２０は、平面視において高電位領域１１および低電位領域１２の対向方向にライン状に延び、当該対向方向の直交方向に間隔を空けてストライプ状に形成されている。これにより、複数のリサーフ領域２０は、平面視において第１主面３からドリフト領域１３の一部をストライプ状に露出させている。

　フィールド電極３１は、平面視において複数のリサーフ領域２０に交差するライン状に延び、複数のリサーフ領域２０を複数回横切っている。フィールド電極３１は、具体的には、直線状に延びる部分および曲線状に延びる部分を含む。フィールド電極３１は、直線状に延びる部分において複数のリサーフ領域２０を複数回横切っている。つまり、フィールド電極３１は、平面視において高電位領域１１および低電位領域１２を結ぶ１つの直線を設定したとき、当該直線を複数回横切っている。フィールド電極３１は、曲線状に延びる部分においてフィールド絶縁膜２１を挟んでドリフト領域１３に対向している。

フィールド電極３１は、具体的には、平面視において高電位領域１１を複数回取り囲んでいる。フィールド電極３１は、さらに具体的には、平面視においてドレイン領域１５側の内側エンド部３２、ボディ領域１６側の外側エンド部３３、ならびに、内側エンド部３２および外側エンド部３３の間を延びる螺旋部３４を有する螺旋状に形成されている。内側エンド部３２および外側エンド部３３の配置は任意である。