チップ化

WO2010096473
"[0002] Cracks can wreak havoc on the delicate circuit structures of conventional semiconductor chips. Such cracks can arise from a number of sources. One common source is stresses imparted at singulation. Conventional semiconductor chips are routinely fabricated en masse in large groups as part of a single semiconductor wafer. At the conclusion of the processing steps to form the individual dice, a so-called dicing or sawing operation is performed on the wafer to cut out the individual dice. Thereafter, the dice may be packaged or directly mounted to a printed circuit board of one form or another."

クラックは従来の半導体チップの精巧な回路構造に大損害をもたらし得る。そのようなクラックは多数の起点(sources)に起因し得る。１つのありふれた起点は単一チップ化(singulation)に際して与えられる応力である。従来の半導体チップは、通常、単一の半導体ウエハの一部分として一斉に大量に製造される。個々のダイス(dice)を形成する処理工程の終盤では、所謂ダイシング又はソーイング動作がウエハに実行されて個々のダイスが切り出される。その後、ダイスはパッキングされるであろうし、あるいはプリント回路基板の１つの形態又は他の形態に直接的に実装されるかもしれない。

US9978662(JP)
(Ab)
"In the present invention, a heat spreader has a sagging surface or a C surface being a chamfered portion at an outer peripheral end portion of a back surface thereof. A plurality of power elements formed into chips are mounted on a surface of the heat spreader with a solder therebetween, and an insulating sheet portion is located on the back surface side of the heat spreader. The insulating sheet portion has a laminated structure of an insulating layer and a metal foil, and the insulating layer being the upper layer is closely bonded to the back surface of the heat spreader. A space region between the sagging surface and the insulating sheet portion is filled with a molding resin."

本発明は、比較的低コストで形成することができ、高い絶縁性を有する樹脂封止構造の半導体装置及びその製造方法を得ることを目的とする。そして、本発明において、ヒートスプレッダ（３）は裏面の外周端部に面取り部となるダレ面（９）あるいはＣ面（２９）を有している。ヒートスプレッダ（３）の表面上に複数のチップ化されたパワー素子（４）がはんだ（２８）を介して搭載されており、ヒートスプレッダ（３）の裏面側に絶縁シート部（２）が設けられている。絶縁シート部（２）は絶縁層（２ａ）及び金属箔（２ｂ）の積層構造で形成されており、上層に設けられる絶縁層（２ａ）がヒートスプレッダ（３）の裏面に密着されている。ダレ面（９）と絶縁シート部（２）との間の隙間領域（Ｓ２）にモールド樹脂（１）が充填されている。

US9577164(JP)
(Ab)
"A semiconductor light emitting device, which can endure a dicing step for singulation, is superior in resistance to a high/low thermal cycle, and exhibits a high light extraction efficiency, and an optical film, which can be used favorably for producing the semiconductor light emitting device, are to be provided. The invention provides a semiconductor light emitting device comprising a semiconductor layer, an A layer, and a B layer, in which the semiconductor light emitting device is configured such that at least a part of emitted light from the semiconductor layer is emitted outward from the B layer through the A layer, the thickness of the A layer is from 1 nm to 200 nm, the B layer has a first major surface and a second major surface, while the first major surface faces the A layer and the second major surface has a concave-convex microstructure, the B layer contains an inorganic substance at 60 mass-% or more on the basis of the total mass of the B layer, and the content of an inorganic substance present in the A layer is lower than the content of the inorganic substance present in the B layer."

 チップ化ダイシング工程に耐えることができ、冷熱サイクル耐性に優れ、更に高い光取り出し効率を有する半導体発光素子、及び該半導体発光素子の製造に好適に使用できる光学フィルムを提供する。本開示は、半導体層、Ａ層、及びＢ層を含む半導体発光素子であって、該半導体発光素子は、該半導体層からの発光光の少なくとも一部が、該Ａ層を介して該Ｂ層から放出されるように構成されており、該Ａ層の厚みが、１ｎｍ以上２００ｎｍ以下であり、該Ｂ層が、第１の主面及び第２の主面を有し、該第１の主面は該Ａ層に対向しており、該第２の主面は凹凸微細構造を有し、該Ｂ層が、該Ｂ層の総質量基準で６０質量％以上の無機物を含み、該Ａ層内に存在する無機物の含有率が、該Ｂ層内に存在する該無機物の含有率よりも少ない、半導体発光素子を提供する。

US8315584
(Ab)
"A semiconductor integrated circuit for broadcast receivers, which integrates an RF circuit, a mixer, an IF circuit, and an intermediate-frequency signal processing circuit onto a single chip, additionally includes a second RF circuit whose input terminal is grounded through an impedance equivalent to or almost the same as the output impedance of an antenna circuit, and a second mixer downstream of the second RF circuit. The second RF circuit and the second mixer each has an input impedance equivalent to that of the received signal subsystem; therefore, a spurious component equivalent to the spurious component contained in the output signal of the received signal subsystem is detected in the second RF circuit and in the second mixer, and cancels out the spurious component contained in the output signal of the received signal subsystem. Accordingly, the effects of noise due to spurious can be effectively reduced."

ＲＦ回路、混合器、ＩＦ回路及び中間周波信号処理回路を１チップ化した放送受信器用半導体集積回路において、入力端子をアンテナ回路１の出力インピーダンスと同等又は略同一のインピーダンスで接地したＲＦ回路２-９及びそのＲＦ回路２-９の後段に配置した混合器２−-１０が別途設けられる。このＲＦ回路２-９及び混合器２-１０は、受信信号系と同等の入力インピーダンスを持つので、受信信号系の出力信号に含まれるスプリアス成分と同等のスプリアス成分がこれらのＲＦ回路２-９及び混合器２-１０で検出され、受信信号系の出力信号に含まれるスプリアス成分をキャンセルする。従って、スプリアスによるノイズの影響を効果的に低減できる。