インピーダンス整合器

US2011209995
[0054] A planar conductive grid 116 may be encapsulated within the top insulating layer 112 to serve as an electrostatic clamping (ESC) electrode.
【００３９】
  平面の導電性グリッド１１６は、絶縁性最上層１１２内部に封入されて、静電クランプ（ＥＳＣ）電極として働きうる。

A D.C. clamping voltage source 118 is connected to the ESC electrode 116 .
Ｄ．Ｃ．クランプ電源１１８は、ＥＳＣ電極１１６に接続される。

An RF plasma bias power generator 120 of a bias frequency fb may be coupled through an impedance match 122 to either the ESC electrode 116 or to the conductive base 114 .
バイアス周波数ｆ_ｂのＲＦプラズマバイアス電力ジェネレータ１２０は、インピーダンス整合器１２２を介して、ＥＳＣ電極１１６または導電性基部１１４のいずれかに結合されうる。

The conductive base 114 may house certain utilities such as internal coolant channels (not shown), for example.
導電性基部１１４は、例えば、内部冷媒チャネル（図示せず）などのある一定のユーティリティを収容しうる。

If the bias impedance match 122 and bias generator 120 are connected to the ESC electrode 116 instead of the conductive base 114 ,
バイアスインピーダンス整合器１２２およびバイアスジェネレータ１２０が、導電性基部１１４の代わりにＥＳＣ電極１１６に接続される場合、

then an optional capacitor 119 may be provided to isolate the impedance match 122 and RF bias generator 120 from the D.C. chucking power supply 118 .
任意選択のコンデンサ１１９が、インピーダンス整合器１２２およびＲＦバイアスジェネレータ１２０をＤ．Ｃ．チャック用電源１１８から分離するために設けられうる。

EP2715944
FIG. 4 is a schematic diagram of one embodiment of the audio output section 230.
【００５７】
  図４は、オーディオ出力部２３０の一実施形態の概略図である。

The audio output section 230 includes a digital-to-analog converter (DAC) 272, an impedance matcher 278, a transformer 274 and earphones 276.
オーディオ出力部２３０は、デジタル－アナログ変換器（ＤＡＣ：ｄｉｇｉｔａｌ－ｔｏ－ａｎａｌｏｇ  ｃｏｎｖｅｒｔｅｒ）２７２と、インピーダンス整合器２７８と、トランス２７４と、イヤフォン２７６と、を備える。

The DAC 272 is connected to the impedance matcher 278 such that the output of the DAC 232 is input to the impedance matcher 278.
ＤＡＣ２７２はインピーダンス整合器２７８に接続されており、ＤＡＣ２３２の出力がインピーダンス整合器２７８に入力される。

The impedance matcher 278 is connected to the transformer 274 such that the output of the impedance matcher 278 is input to the transformer 274.
インピーダンス整合器２７８はトランス２７４に接続されており、インピーダンス整合器２７８の出力がトランス２７４に入力される。

The DAC 272, the impedance matcher 278 and the transformer 274
ＤＡＣ２７２、インピーダンス整合器２７８、およびトランス２７４は、

are designed to consume minimal power in transmitting the audio output signal to the earphones 276 by transforming the high voltage required for complementary metal oxide semiconductors (CMOS) or sub-threshold CMOS to the low voltage requirements of a magnetically- driven earphone.
相補型金属酸化物半導体（ＣＭＯＳ：ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ  ｍｅｔａｌ  ｏｘｉｄｅ  ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）またはＣＭＯＳの副しきい値に必要とされる高電圧を磁気駆動式のイヤフォンの低電圧要件に変換することによって、オーディオ出力信号をイヤフォン２７６に送信する際に最小限の電力を消費するように設計される。

US8928284
[0035] Exemplary transmit circuitry 202 
【００２０】
  例示的な送電回路202は、

includes a fixed impedance matching circuit 206 for matching the impedance of the transmit circuitry 202 (e.g., 50 ohms) to the transmit antenna 204 and a low pass filter (LPF) 208 configured to reduce harmonic emissions to levels to prevent self-jamming of devices coupled to receivers 108 ( FIG. 1).
送電回路202のインピーダンス(例えば、50オーム)を送電アンテナ204と整合させるための固定インピーダンス整合回路206、およびレシーバ108(図1)に結合されたデバイスの自己ジャミングを防止するため、高調波放射をあるレベルに減少させるように構成されたローパスフィルタ(LPF)208を含む。

Other exemplary embodiments may include different filter topologies, including but not limited to, notch filters that attenuate specific frequencies while passing others and may include an adaptive impedance match, that can be varied based on measurable transmit metrics, such as output power to the antenna or DC current drawn by the power amplifier.
他の例示的な実施形態は、限定するものではないが、特定の周波数を減衰させるが他の周波数は通過させるノッチフィルタを含む様々なフィルタトポロジを含むことができ、かつアンテナへの出力電力または電力増幅器により引き込まれるDC電流など、測定可能な送電メトリックスに基づいて変化できる適応型インピーダンス整合器を含むことができる。

Transmit circuitry 202 further includes a power amplifier 210 configured to drive an RF signal as determined by an oscillator 212 .
送電回路202は、発振器212によって決定されるとおりにRF信号を駆動するよう構成された電力増幅器210をさらに含む。

The transmit circuitry may be comprised of discrete devices or circuits, or alternately, may be comprised of an integrated assembly.
送電回路は、個別のデバイスもしくは回路からなることができ、またはこれに代えて、一体型組立体からなることができる。

An exemplary RF power output from transmit antenna 204 may be on the order of 2.5 Watts.
送電アンテナ204からの例示的なRF電力出力は、2.5ワット程度であり得る。

US10957518
[0044] FIG. 7 depicts a modification of the embodiment of FIG. 1A, in which the array of plasma point sources 90 is combined with a larger non-local inductively coupled plasma source.
【００３６】
  図７は、プラズマ点源９０のアレイは、より大きな非局所的誘導結合プラズマ源を組み合わされた、図１Ａの実施形態の変形例を示す。

The non-local inductively coupled plasma source of FIG. 7 includes a helically wound coil antenna 240 surrounding the cylindrical side wall 102 .
図７の非局所的誘導結合プラズマ源は、円筒形側壁１０２を取り囲む螺旋状に巻かれたコイルアンテナ２４０を含む。

The helically wound coil antenna 240 is driven by an RF power generator 242 through an RF impedance match 244 .
螺旋状に巻かれたコイルアンテナ２４０は、ＲＦインピーダンス整合器２４４を介してＲＦ電力発生器２４２によって駆動される。

In the embodiment of FIG. 7, the cylindrical side wall 102 is formed of a non-metallic material to enable inductive coupling of RF power through the cylindrical side wall 102 .
図７の実施形態では、円筒形側壁１０２は、非金属材料から形成され、これによって円筒形側壁１０２を介してＲＦ電力の誘導結合を可能にする。

The lower plate 190 protects the individual plasma point sources (corresponding to the individual cylindrical cavities 115 ) from the larger inductively coupled plasma source (corresponding to the helically wound coil antenna 240 ).
下部プレート１９０は、（螺旋状に巻かれたコイルアンテナ２４０に対応する）より大きな誘導結合プラズマ源から、（個々の円筒形キャビティ１１５に対応する）個々のプラズマ点源を保護する。

US2008218290
Referring now to the drawings, FIG. 1 illustrates an example 100 of a driver/transmission line/receiver system made in accordance with the present invention. Driver/transmission line/receiver system 100 includes an automatic impedance matcher（＊インピーダンス整合器）104 for automatically matching the impedance as between a driver and a receiver, in this example, driver 108 and receiver 112 aboard, respectively, a first integrated circuit (IC) chip 116 and a second IC chip 120. 

US10706910
In this example, each control/address wire is tapped using some form of splitting component S. This splitter could be a passive impedance matcher（＊インピーダンス整合器）(three resistors in a delta- or y-configuration) or some form of active buffer or switch element. In either case, the electrical impedance of each wire is maintained down its length (within manufacturing limits) so that signal integrity is kept high. As in the previous configuration, each split-off control/address bus is routed onto a memory module, past all the memory components, and into a termination component.

WO2019182847
[0070] Figure 1 is a diagram of an embodiment of a system 100 to illustrate an application of multi-level parameter pulsing and multi-level frequency pulsing.
【００７０】
  図１は、マルチレベルパラメータパルスおよびマルチレベル周波数パルスの適用を表すシステム１００の実施形態図である。

The system 100 includes a radio frequency (RF) generator RFGA, and impedance match 104, a plasma chamber 112, another impedance match 120, another RF generator RFGB, a host computer 106, an RF cable 128, an RF transmission line 126, another RF cable 130, and another RF transmission line 132.
システム１００は、無線周波数（ＲＦ）生成器ＲＦＧＡ、インピーダンス整合器１０４、プラズマチャンバ１１２、別のインピーダンス整合器１２０、別のＲＦ生成器ＲＦＧＢ、ホストコンピュータ１０６、ＲＦケーブル１２８、ＲＦ伝送路１２６、別のＲＦケーブル１３０、および別のＲＦ伝送路１３２を含む。

Examples of the host computer 106 include a desktop computer, laptop computer, a server, a controller, a tablet, and a smart phone.
ホストコンピュータ１０６の例は、デスクトップ型コンピュータ、ラップトップ型コンピュータ、サーバ、コントローラ、タブレット型端末、およびスマートフォンを含む。

WO2019108376
[0036] The RF match 153 may be any technically feasible impedance matching apparatus that is coupled between the first RF generator 151 and the powered electrode of the plasma-processing chamber 100, i.e., the gas distribution showerhead 128.
【００３１】
  ［００３６］ＲＦ整合器１５３は、第１のＲＦ発生器１５１とプラズマ処理チャンバ１００の給電電極、すなわちガス分配シャワーヘッド１２８との間に結合される任意の技術的に実現可能なインピーダンス整合装置であってもよい。

The RF match 153 is also coupled between the second RF generator 152 and the powered electrode of the plasma- processing chamber 100.
また、ＲＦ整合器１５３は、第２のＲＦ発生器１５２とプラズマ処理チャンバ１００の給電電極との間に結合される。

The RF match 153 is configured to match a load impedance (the plasma-processing chamber 100) to the source or internal impedance of a driving source (the first RF generator 151 , the second RF generator 152) to enable the maximum transfer of RF power from the first RF generator 151 and the second RF generator 152 to the plasma-processing chamber 100.
ＲＦ整合器１５３は、負荷インピーダンス（プラズマ処理チャンバ１００）を駆動源（第１のＲＦ発生器１５１、第２のＲＦ発生器１５２）の源又は内部インピーダンスに整合させて、第１のＲＦ発生器１５１及び第２のＲＦ発生器１５２からプラズマ処理チャンバ１００へのＲＦ電力の最大伝達を可能にするように構成される。