反射電子

WO2018065885
[0045] Elemental maps may be obtained through SEM and SEM/EDX. The zeolite is mixed into an epoxy resin then cured in a polyvinyl chloride powder holder.
【００４３】
  元素マップはＳＥＭ及びＳＥＭ／ＥＤＸにより得ることができる。ゼオライトをエポキシ樹脂中に混合し、次にポリ塩化ビニル粉末ホルダー中で硬化させる。

The holder is then ground and polished using diamond suspension revealing the zeolite embedded in epoxy.
その後、ダイヤモンド懸濁液を使用して、そのホルダーを粉砕し研磨してエポキシに埋め込まれたゼオライトを露出させる。

It is then coated with about 30nm of carbon (about 4nm of Pt for morphology samples).
そのゼオライトに約３０ｎｍの炭素（形態学試料用には約４ｎｍのＰｔ）を被覆する。

The backscatter electron images (BEI) and secondary electron images (SEI) were conducted on a JEOL (JSM 6500F or JSM 7800F) Schottky Field-Emission Scanning Electron Microscope (FE-SEM) equipped with dual Bruker Quantax SDD system (XFlash 5030 or 6160 series 30mm²-60mm²).
反射電子（後方散乱電子：backscatter electron）像（ＢＥＩ）及び二次電子像（ＳＥＩ）は、デュアルＢｒｕｋｅｒ  Ｑｕａｎｔａｘ  ＳＤＤシステム（ＸＦｌａｓｈ５０３０又は６１６０シリーズ３０ｍｍ^２－６０ｍｍ^２）を備えたＪＥＯＬ（ＪＳＭ６５００Ｆ又はＪＳＭ７８００Ｆ）ショットキー電界放出型走査電子顕微鏡（ＦＥ－ＳＥＭ）上で処理した。

Spectral resolution is 127 eV. SEI was conducted at 5KeV;
スペクトル分解能は１２７ｅＶである。

BEI was acquired at lOKeV. The Energy Dispersive Spectrometry (EDS) analyses were conducted at a working distance of 10 mm and an accelerating voltage of 15 kV.
ＳＥＩは５ＫｅＶで処理した。ＢＥＩは１０ＫｅＶで得た。エネルギー分散分光法（ＥＤＳ）分析を１０ｍｍの作動距離及び１５ｋＶの加速電圧で行った。

Semi-quantitative analysis using system standards may vary between about 5% to aboutl0% with detector efficiency.
システム標準を用いた半定量分析は検出器効率に関し約５％から約１０％の間で変動する可能性がある。

WO2017196660
[0012] FIG. 2 is a back-scattered electron scanning electron microscopy image of CuO/H- ZSM-5 catalyst in accordance with one or more embodiments of the present disclosure.
【図２】図２は、本開示の１つ以上の実施形態に係るＣｕＯ／Ｈ－ＺＳＭ－５触媒の反射電子型走査型電子顕微鏡画像である。

US10829849
[0048] FIG. 3A is a scanning electron micrograph (backscattered electrons) of a region of a sputter target including molybdenum, niobium and tantalum including a molybdenum phase 16 and a point 32 in the molybdenum phase.
【００３４】
  図３Ａは、モリブデン相（１６）およびモリブデン相における点（３２）を含む、モリブデン、ニオブおよびタンタルを含むスパッタターゲットの領域の走査型電子顕微鏡写真（反射電子）である。

 FIG. 3B is an illustrative energy dispersive x-ray spectrograph taken at the point 32 of FIG. 3A. The spectrograph of FIG. 3B includes only a peak 34 corresponding to molybdenum.
図３Ｂは、図３Ａの点（３２）で得られた例証的なエネルギー分散式Ｘ線分光法グラフである。図３Ｂのスペクトルグラフはモリブデンに対応するピーク（３４）のみを含む。

As illustrated by FIG. 3B, the sputter target may include a region that includes a phase of substantially pure molybdenum (i.e., including about 80 atomic % or more molybdenum, about 90 atomic % or more molybdenum, or about 95 atomic % or more molybdenum).
図３Ｂによって例証されるように、スパッタターゲットは実質的に純粋なモリブデン（すなわち、約８０原子％以上のモリブデン、約９０原子％以上のモリブデン、あるいは約９５原子％以上のモリブデンを含む）の相を含む領域を含み得る。

[0049] FIG. 4A is a scanning electron micrograph (backscattered electrons) of a region of a sputter target including molybdenum, niobium and tantalum including a niobium phase 14 and a point 42 in the niobium phase.
【００３５】
  図４Ａは、ニオブ相（１４）およびニオブ相における点（４２）を含む、モリブデン、ニオブ、およびタンタルを含むスパッタターゲットの領域の走査型電子顕微鏡写真（後方散乱電子）である。

FIG. 4B is an illustrative energy dispersive x-ray spectrograph taken at the point 42 of FIG. 4A.
図４Ｂは、図４Ａの点（４２）で得られた例証的なエネルギー分散式Ｘ線分光法グラフである。

The spectrograph of FIG. 4B includes only a peak 44 corresponding to niobium.
図４Ｂのスペクトルグラフはニオブに対応するピーク（４４）のみを含んでいる。

As illustrated by FIG. 4B, the sputter target may include a region that includes a phase of substantially pure second metal element (i.e., including about 80 atomic % or more of the second metal element, about 90 atomic % or more of the second metal element, or about 95 atomic % or more of the second metal element), such as a phase of substantially pure niobium, or a phase of substantially pure vanadium.
図４Ｂによって例証されるように、スパッタターゲットは充分に純粋なニオブの相、あるいは実質的にバナジウムの相などの、実質的に純粋な第２の金属元素（すなわち、約８０原子％以上の第２の金属元素、約９０原子％以上の第２の金属元素、または約９５原子％の第２の金属元素を含む）の相を含んでいる領域を含み得る。

[0106] Microstructure of Deposited Firms.
【００８７】
［蒸着膜の微細構造］

[0107] The microstructure of the deposited films is obtainable using scanning electron microscopy. A JEOL JSM-7000F field emission electron microscope that can measure backscattered electrons and secondary electrons is used in the examples.
走査電子顕微鏡検査を用いて、蒸着膜の微細構造は入手可能である。反射電子と二次電子を測定することができるＪＥＯＬ  ＪＳＭ－７０００Ｆ電界放出電子顕微鏡は、実施例で使用される。

[0108] Microstructure of the Sputter Targets.
【００８８】
［スパッタターゲットの微細構造］

[0109] The microstructure of the sputter targets is obtainable using scanning electron microscopy. An ASPEX Personal Scanning Electron Micrsoscope is employed.
 走査電子顕微鏡検査を用いて、スパッタターゲットの微細構造を入手可能である。ＡＳＰＥＸ Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｓｏｓｃｏｐｅが使用される。

The working distance is about 20 mm and the acceleration voltage is about 20 keV.
作動距離は約２０ｍｍであり、加速電圧は約２０ＫｅＶである。

The secondary electron detector is Everhart-Thornley type. The images are also obtained of the backscattered electrons.
二次電子検出器は、Ｅｖｅｒｈａｒｔ－Ｔｈｏｒｎｌｅｙタイプである。画像も反射電子から得られる。

The electron microscope is also employed for measurement of energy dispersive x-ray spectroscopy using a spot size of about 1 μm.
電子顕微鏡は、約１μｍのスポットサイズを使用して、エネルギ－分散型Ｘ線分光法の測定のために使用される。

Samples for electron microscopy of the sputter target are prepared by sectioning with an abrasive cutoff wheel, mounting the section in a polymeric material, rough grinding with SiC papers with progressively finer grits, final polishing with a diamond paste and then with an Al2 O3 , SiO2 suspension.
スパッタ  の電子顕微鏡検査のためのサンプルは、摩耗性のカットオフホイールで薄片化し、高分子材料中に薄片をのせ、ＳｉＣ紙で粗磨きして次第に細かな粒にし、ダイヤモンドペーストで仕上げ研磨し、その後、Ａｌ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２懸濁液で仕上げ研磨することによって、調製される。

US10538461
[0400] The sample to be analysed is infiltrated with a resin, for example an epoxy resin.
【００８０】
分析すべきサンプルが、樹脂、例えばエポキシ樹脂で浸透される。

A section is prepared, at mid-length of the truncated tubular pores, perpendicularly to the direction of solidification, and then polished in order to obtain a good surface state,
分析すべきスライスが、固体化の方向に垂直に切断され、次いで、良好な表面状態が得られるように磨かれる。

said polishing being carried out at least with a grade 1200 paper, preferably with a diamond paste.
上記磨きは、少なくとも１２００粒度の紙で、好ましくはダイアモンドペーストで行われる。

Images are recorded using a scanning electron microscope (SEM), preferably in a mode using backscattered electrons (BSE mode) in order to obtain a very good contrast between the ceramic phase and the resin.
画像は走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）を使用して得られ、好ましくは、セラミック相と樹脂との間に非常に良好なコントラストが得られるように、反射電子を使用するやり方（ＢＳＥモード）で得られる。

Each image has at least 1280×960 pixels, excluding the scale bar. The magnification used is such that the width of the image is between 50 times and 100 times the average pore size.
各画像は、スケールバーなしで最小１２８０ｘ９６０ピクセルを有する。使用される倍率は、画像の幅が平均孔サイズの５０倍～１００倍であるようなものである。

A first image may be recorded based on a visual estimate of the average pore size.
最初の画像は、平均孔サイズの視覚的判断に基づいて記録され得る。
【００８１】

EP3825044(JP)
[0039] A grain size of each grain for calculating the grain size (volume average grain size) of the WC grains can be measured in accordance with the following method.
【００４７】
  ＷＣ粒子の粒径（体積平均粒子径）を算出するための各粒子の粒子径は、次の方法によって測定することができる。

First, the hard substrate is cut using the wire electric discharge processing machine, to thereby obtain a cut surface.
まず、硬質基体をワイヤー放電加工機を用いて切り出し、切り出した面を鏡面研磨する。

The cut surface is mirror-polished, to thereby obtain a polished surface. In the polished surface, a measurement field of view of 100 µm×100 µm is arbitrarily set to include a region distant by 600 µm toward the hard substrate side from interface P between the hard substrate and the polycrystalline diamond layer.
研磨面において、硬質基体と多結晶ダイヤモンド層との界面Ｐから、硬質基体側に６００μｍ離れた領域を含むように、１００μｍ×１００μｍの測定視野を任意に設定する。

A reflected electron image of the measurement field of view is observed at 5000x magnification, using an electron microscope ("SU6600" manufactured by HITACHI).
該測定視野の反射電子像を、電子顕微鏡（ＨＩＴＡＣＨＩ製の「ＳＵ６６００」）を用いて５０００倍の倍率で観察する。

Next, in the reflected electron image, a diameter of a circle circumscribing the WC grains (i.e., circumscribed circle equivalent diameter) is measured and the diameter is defined as the grain size of the WC grains.
次に、この反射電子像において、ＷＣ粒子に外接する円の直径（すなわち外接円相当径）を測定し、該直径をＷＣ粒子の粒径とする。

US2019230457(JP)
　In the polished cross section of the sintered magnet (sintered body), a region having a predetermined area is observed using an SEM (scanning electron microscope), and a reflected electron image of the region is obtained.
【００５５】
  焼結後の磁石（焼結体）の研磨断面において、ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）を用いて、所定の面積を有する領域を観察し、当該領域の反射電子像を得る。

The polished cross section may be parallel to the orientation axis, perpendicular to the orientation axis, or at an arbitrary angle with respect to the orientation axis.
研磨断面は配向軸に平行であっても、配向軸に直交していても、あるいは配向軸と任意の角度であってよい。

The obtained backscattered electron image is analyzed by known software to identify main phase crystal particles.
得られた反射電子像を公知のソフトウェアにより解析し、主相結晶粒子を同定する。

The contour of a predetermined number of main phase crystal particles is extracted, the area of the main phase crystal particles is calculated, and the diameter (equivalent circle diameter) of a circle having an area where the cumulative distribution of the main phase crystal particles is 50% is calculated. D50.
所定数の主相結晶粒子の輪郭を抽出して、主相結晶粒子の面積を算出し、主相結晶粒子の面積の累積分布が５０％となる面積を有する円の直径（円相当径）をＤ５０とすることができる。

US2021118710
[0002] When manufacturing a semiconductor device, a minute device is formed on a wafer made of mirror-polished Si, SiC and the like.
【０００２】
  半導体デバイスの製造では、鏡面状に研磨されたＳｉやＳｉＣなどを材料とするウエハ上に微細なデバイスを形成する。

Presence of foreign matters, scratches, crystal defects and the like on the wafer may lead to a defect of a manufactured device.
ウエハ上に異物、傷、結晶欠陥等があると製造されたデバイス不良につながる。

In order to reduce a defective rate of the manufactured devices, it is important to inspect a surface of the wafer during a manufacturing process and control each manufacturing process.
製造されたデバイスの不良率を低下させるためには、製造工程中にウエハ上を検査して各製造工程の管理が重要である。

Therefore, there is an attempt to inspect an entire surface of a wafer with an optical wafer inspection apparatus capable of applying light and laser to observe foreign matters and scratches on the wafer surface by reflective light thereof, and recently with a wafer inspection apparatus applying a mirror electron microscope capable of uniformly applying an electron beam and observing the wafer surface and a wafer inner defect by reflected electrons thereof.
そこで、光やレーザを照射してその反射光によりウエハ表面の異物や傷を観測可能な光学的なウエハ検査装置や、最近は電子線を一様に照射してその反射電子によりウエハ表面及びウエハ内部欠陥も観測可能なミラー電子顕微鏡を応用したウエハ検査装置によりウエハ上を全面検査する試みがある。

EP3805631(JP)
[0015] FIG. 4 shows an example of a cross-sectional electron micrograph (reflected electron image) of the metallized layer 6. In the metallized layer 6 of FIG. 4 , the white portion is metal components, the black portion is voids, and the intermediate color portion is glass components.
【００１５】
  図４にメタライズ層６の断面電子顕微鏡写真（反射電子像）の一例を示す。図４のメタライズ層６において、白い部分が金属成分、黒い部分が空隙、中間色の部分がガラス成分である。

The metallized layer 6 has a first region 6a including a surface in contact with the supporting substrate 5 (sapphire plate) in a cross-sectional view, and a second region 6b including a surface opposite to the sapphire plate 5, and the ratio of the glass component of the first region 6a is larger than the ratio of the glass component of the second region 6b.
メタライズ層６は、断面視で支持基板５（サファイア板）に接する面を含む第１領域６ａと、サファイア板５とは反対側の面を含む第２領域６ｂとを有し、第１領域６ａのガラス成分の比率が、第２領域６ｂのガラス成分の比率よりも大きい。

As a result, the bond between the metallized layer 6 and the sapphire plate 5 is strengthened. In FIG. 4 , the area ratio of the glass components having an area of 0.1 µm2 or more is 8.0% in the entire metallized layer 6, that of the first region 6a is 12.0%, and that of the second region 6b is 4.9%.
これにより、メタライズ層６とサファイア板５との接合が強固になる。図４では、面積０．１μｍ²以上のガラス成分の面積比率はメタライズ層６全体で８．０％であり、第１領域６ａが１２．０％、第２領域６ｂが４．９％である。