水平姿勢

US11236433
[0028] The substrate support may be of the type for supporting the semiconductor substrate substantially horizontally thereon.
【００２３】
  基板支持器を、その上にある半導体基板を実質的に水平姿勢で支持（横支持）する種類のものとしてもよい。

Optionally, the substrate support may be of the type for supporting the semiconductor substrate with a front face of the semiconductor substrate to be processed facing upwards.
付随的には、基板支持器を、その処理対象半導体基板の前面を上向きにして、半導体基板を支持する種類のものとしてもよい。

US2020194289
[0066] As indicated, inside the continuous pass-by processing section 115 the wafers travel in near vertical orientation.
【００４７】
  このように、連続通過処理部１１５内では、ウェハは略垂直姿勢で移動する。

However, FOUPs in a fab store the wafers in a horizontal orientation.
しかし、ファブ内のＦＯＵＰは、ウェハを水平姿勢で収容している。

Thus, in addition to introducing the wafers into the vacuum environment of the processing system, the wafers also need to be rotated into a near vertical orientation.
したがって、本処理システムの真空環境にウェハを導入するだけではなく、該ウェハを略垂直の姿勢へと回転させることも必要になる。

These objectives are achieved as follows.
これらの目的は、以下のようにして達成される。

EP3402688
 [010] Still another object of the present invention may be that it provides a visor that includes a light base that is capable of holding a circuit board having a LED thereon in either a horizontal or vertical position.
【００１１】
  本発明のさらに別の目的は、本発明が、ＬＥＤをその上に有する回路板を水平姿勢又は垂直姿勢で保持することができる照明基部を含むバイザーを提供することでもよい。

US2017027624
[0123] (B) Build Orientation: The parts can be built in a multitude of build orientations from 0 to 90 degrees, which will produce anisotropic physical properties that are sensitive to mechanical loading.
【００２９】
  （Ｂ）構築姿勢：部品は、０度から９０度までの構築姿勢の大きさで構築でき、これは、機械的荷重に敏感である異方性物理的特性を作ることになる。

They can also be built with or without the use of custom-designed support structures to assist with the post machining process, FIG. 3b .
図３Ｂで、部品は、後加工工程で支援するための特注設計された支持構造の使用を伴って、または、伴わずに、構築されてもよい。

Further, building the parts, such as, for example, intramedullary nails vertically using an additive layer machine (“ALM”) equipped with soft re-coaters and without any support structures may reduce the burden of post-machining.
さらに、ソフトリコータが搭載された付加層機械（「ＡＬＭ」）を用いて、支持構造のまったくない、例えば髄内釘などの部品を鉛直に構築することは、後加工の負担を低減できる。

For example, FIGS. 6A and 6B illustrate
例えば、図６Ａおよび図６Ｂは、

a three-dimensional (3D) CAD file highlighting the manufacture of intramedullary nails using a vertical orientation ( FIG. 6A) and a horizontal orientation ( FIG. 6B), with the vertical and horizontal orientations amendable to ALM with soft and hard re-coaters, respectively. 
それぞれソフトリコータとハードリコータとでＡＬＭに従う鉛直姿勢および水平姿勢で、鉛直姿勢（図６Ａ）および水平姿勢（図６Ｂ）を用いた髄内釘の製造を強調している三次元（３Ｄ）ＣＡＤファイルを示している。

US2010126849
Substrates are positioned in a substantially horizontal position in the description of the plating system 500 above.
【００９５】
  上のめっきシステム５００の説明では、基板は実質的に水平姿勢で位置決めされる。

However, other substrate orientations, such as vertical or tilted can be used in accordance with embodiments of the present invention.
しかし、例えば垂直向きや傾斜向きなど他の基板向きを、本発明の実施形態に従って使用することもできる。

砥粒

US2022339751
[0004] Conventional singulation of thin substrates, such as glass substrates, having relatively high strength often includes a plurality of mechanical edge grinding and polishing steps.
【０００５】
  比較的高い強度を有する薄型基板、例えばガラス基板の従来のシンギュレーションには、複数の機械的なエッジ研削および研磨ステップが含まれることが多い。

Typically, edges may be formed using course grinding materials, which may introduce subsurface damage on substrate edges.
典型的には、エッジは粗い研削材を使用して成形され得るが、これにより基板エッジに表面下損傷が生じる可能性がある。

The edges may further be subject to a progression of grinding steps with a plurality of grinding wheels having decreasing abrasive sizes in order to reduce the subsurface damage introduced by the initial edge forming. 
エッジはさらに、最初のエッジ成形によって生じた表面下損傷を軽減するために、砥粒サイズが減少する複数の研削用ホイールを用いた段階的な研削ステップに供されてもよい。

US10954411
The present invention is directed to an acid chemical mechanical polishing composition and method of polishing silicon nitride over silicon dioxide and simultaneously inhibiting damage to silicon dioxide.
本発明は、酸ケミカルメカニカル研磨組成物、および二酸化ケイ素よりも窒化ケイ素を研磨し、同時に二酸化ケイ素への損傷を抑制する方法を対象とする。

More specifically, the present invention is directed to
より具体的には、本発明は、

an acid chemical mechanical polishing composition and method of polishing silicon nitride over silicon dioxide and simultaneously inhibiting damage to silicon dioxide, wherein the acid chemical mechanical polishing composition includes a polyvinylpyrrolidone polymer, anionic functional colloidal silica abrasive particles and an amine carboxylic acid and the pH of the acid chemical mechanical polishing composition is 5 or less.
ポリビニルピロリドンポリマー、アニオン性官能性コロイダルシリカ砥粒粒子およびアミンカルボン酸を含み、かつ、ｐＨが５またはより小さい酸ケミカルメカニカル研磨組成物、および二酸化ケイ素よりも窒化ケイ素を研磨し、同時に二酸化ケイ素への損傷を抑制する方法

を対象とする。

US2020325353
Chemical-mechanical polishing (CMP) processes are commonly used for planarization of substrates during fabrication of semiconductor devices.
【０００２】
  化学機械研磨（ＣＭＰ）プロセスは、半導体デバイスの製造中に、基板を平坦化するために一般的に用いられている。

During CMP processing, a substrate is mounted on a carrier head with the device surface placed against a rotating polishing pad.
ＣＭＰ処理中、基板は、デバイスの表面が回転する研磨パッドに接触した状態で、キャリアヘッドに装着される。

The carrier head provides a controllable load on the substrate to push the device surface against the polishing pad.
キャリアヘッドは、基板に制御可能な負荷をかけて、デバイス表面を研磨パッドに押し当てる。

A polishing liquid, such as slurry with abrasive particles (e.g., silica (SiO2 ), alumina (Al2 O3 ), or ceria (CeO2 )), is typically supplied to the surface of the polishing pad.
研磨粒子（例えば、シリカ（ＳｉＯ_２）、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）、又はセリア（ＣｅＯ_２））を含むスラリなどの研磨液が、通常、研磨パッドの表面に供給される。

///////////

Implementations described herein generally relate to polishing articles and methods of manufacturing polishing articles used in polishing processes and cleaning processes.
【００１１】
  本明細書に記載の実装形態は、概して、研磨プロセス及び洗浄プロセスで使用される研磨用物品と、研磨用物品の製造方法に関する。

More particularly, implementations disclosed herein relate to composite polishing articles having tunable properties such as hydrophilicity and zeta potential.
より詳細には、本明細書に開示される実装形態は、親水性及びゼータ電位などの調整可能な特性を有する複合研磨用物品に関する。

3D printed chemical-mechanical planarization (CMP) pads composed of UV curable acrylic chemistry are generally hydrophobic in nature.
ＵＶ硬化性アクリル化学で構成される３Ｄ印刷された化学機械平坦化（ＣＭＰ）パッドは、概して、本質的に疎水性である。

Such hydrophobic behavior affects the wetting properties with abrasive-based polishing slurries such as ceria-base slurries. 
このような疎水性挙動は、セリアをベースとしたスラリなどの砥粒をベースとした研磨スラリの濡れ特性に影響を与える。

おそれ、恐れを排除

US2022054595
Chemical synthesis offers the advantages of using the human amino acid sequences,
化学合成は、ヒトのアミノ酸配列を使用する利点をもたらし、

avoids exposure to enzymes that might further cleave the desired peptide,

目的のペプチドをさらに切断する可能性のある酵素への暴露を避け、

and obviates fears about adventitious infectious agents (be they prions, viruses, or bacteria) that can attend biologically sourced material.
生物由来の材料に付着し得る外来感染病原体（プリオン、ウイルス、または細菌）のおそれを排除する。

US10770977
However, that time delay can be computed once the parasitic elements are known, i.e., after building the prototype unit.
しかしながら、寄生的要素が分かると、即ち原型ユニットを構築した後に、その時間遅延を計算することができる。

Time period T 1 is always kept such that it is marginally higher than what is needed to achieve the above-stated objectives.
時間周期Ｔ１は、前記目的を達成するのに必要なものより僅かに長くなるように常に保持される。

This eliminates the possibility of non-ZVS or ‘hard switching’ operation.
これは、非ＺＶＳ又は「ハードスイッチング」動作のおそれを排除する。

US9219171
 If any of the cells are partially or fully shaded, the shaded cell(s) (hence, all the solar cells in the series-connected string) is (are) reverse biased
いずれかの電池が部分的又は完全に陰に入る場合には、陰に入る電池（１つ又は複数）（従って、直列接続のストリングでは全ての太陽電池）が逆バイアスされ、

and the external bypass diode is, therefore, forward biased, hence, eliminating the possibility of a hot spot, reliability failure, and/or damage to the shaded cell(s). 
それ故、外部バイパスダイオードが順方向バイアスされ、従って、ホットスポット、信頼性欠陥、及び／又は陰に入る電池へのダメージのおそれを排除する。

ドライバ段

US10971612
[0153] MMIC devices according to embodiments described herein may combine a gain compression driver stage with one or more gain expansion output stages. 
【０１８８】
  本明細書で説明される実施例によるＭＭＩＣデバイスは、利得圧縮ドライバ段を、１つ又は複数の利得拡張出力段と組み合わせることができる。

US10608678
[0023] In some examples of the method, apparatuses, and non-transitory computer-readable medium described herein,
【００２４】
  本明細書で説明する方法、装置、および非一時的コンピュータ可読媒体のいくつかの例では、

amplifying the first waveform and the second waveform between the first node of the DPDT switch and the second node of the DPDT switch
DPDTスイッチの第1のノードとDPDTスイッチの第2のノードとの間で第1の波形および第2の波形を増幅することは、

may include operations, features, means, or instructions for, and passing the first waveform and the second waveform through one or more of: a low noise amplifier stage, a power amplifier driver stage, or a power amplifier stage.
第1の波形および第2の波形を、低雑音増幅器段、電力増幅器ドライバ段、または電力増幅器段のうちの1つまたは複数に通過させるための動作、特徴、手段、または命令を含み得る。

眼鏡型

US11328497
 In another example, the CGR device 104 includes a CGR display for each eye of the user.
別の実施例では、ＣＧＲデバイス１０４は、ユーザの眼鏡型ＣＧＲディスプレイを含む。

In some embodiments, the one or more CGR displays 312 are capable of presenting CGR content.
いくつかの実施形態において、１つ以上のＣＧＲディスプレイ３１２は、ＣＧＲコンテンツを提示することができる。

US11169382
[0002] One current generation of virtual reality (“VR”) experiences is created using head-mounted displays (“HMDs”),
【０００２】
  １つの現世代の仮想現実（「ＶＲ」）体験がヘッドマウントディスプレイ（「ＨＭＤ」）を用いて生み出されている。

which can be tethered to a stationary computer (such as a personal computer (“PC”), laptop, or game console),
ＨＭＤは、据え置き型コンピュータ（パーソナルコンピュータ（「ＰＣ」）、ラップトップ、ゲームコンソールなど）にテザリングされてもよく、

combined and/or integrated with a smart phone and/or its associated display, or self-contained.
スマートフォン及び／若しくはその関連ディスプレイと組み合わされても且つ／又は一体化されてもよく、あるいは自己完結型であってもよい。

Generally, HMDs are display devices, worn on the head of a user, which have a small display device in front of one (monocular HMD) or each eye (binocular HMD).
一般に、ＨＭＤは表示デバイスであり、ユーザの頭に着用され、単眼（単眼鏡型ＨＭＤ）又は両眼（双眼鏡型ＨＭＤ）の前方に小型表示デバイスを有する。

The display units are typically miniaturized and may include CRT, LCD, Liquid crystal on silicon (LCos), or OLED technologies, for example.
表示ユニットは通常、小型化されており、例えば、ＣＲＴ、ＬＣＤ、液晶オンシリコン（ＬＣＯＳ）、又はＯＬＥＤの技術を含んでよい。

A binocular HMD has the potential to display a different image to each eye. This capability is used to display stereoscopic images.
双眼鏡型ＨＭＤは、異なる画像をそれぞれの眼に表示できる可能性がある。この機能は、立体画像を表示するのに用いられる。

US9560328
[0014] FIG. 11 is a diagram of eyewear that includes a scanned beam projector having controlled pulsed pixels deployed as a head-mounted display (HMD) in accordance with one or more embodiments.
【図１１】図１１は、一または複数の実施形態に従った、ヘッドアップディスプレイ（ＨＵＤ）として配置された、制御されたパルスピクセルを有する走査ビームプロジェクタを含むアイウェア（眼鏡型機器）の図である。

US9504425
Further, head-mounted displays may vary in size, taking a smaller form such as a glasses-style display or a larger form such as a helmet or eyeglasses, for example.
さらに、ヘッドマウントディスプレイは、様々なサイズとすることができ、例えばレンズ型ディスプレイなどの小型の形態をとることも、ヘルメットまたは眼鏡などの大型の形態をとることもできる。

As such, references to “eyeglasses” or a “glasses-style” HMD should be understood to refer to an HMD that has a glasses-like frame so that it can be worn on the head.
したがって、「眼鏡型」または「レンズ型」ＨＭＤと述べているときには、頭部に装着することができるように眼鏡のようなフレームを有するＨＭＤを指しているものと理解されたい。

US9122307
[0020] FIG. 1 shows
【００１１】
  図１は、

a wireless computing Headset Mounted Device (HMD) 100 (also referred to as a video eyewear device 100 ) that incorporates 

a high resolution (VGA or better) microdisplay element and other features described below.
以下で説明される高解像度（ＶＧＡまたはそれより優れた）マイクロディスプレイ要素および他の特徴

を組み込むワイヤレスコンピューティングのヘッドセットマウントデバイス（ＨＭＤ）１００（眼鏡型映像表示デバイス１００とも呼ばれる）を示す。

ように形成

US11106250
The method 1200 may include additional embodiments. In some embodiments, the method 1200 may include forming, at block 1204, the first magnetic element in a first component of a computing device. For example, the first magnetic element may be formed to be（＊ように形成）disposed in a lid of a computing device such as a laptop. In embodiments, the method 1200 may include forming, at block 1206, the second magnetic element in a second component of the computing device. For example, the second magnetic element may be formed to be disposed in a base of a computing device. 

US10418464
Method 100 of FIG. 1 continues with etching 104 a first subset of regions to form a first subset of trenches 220, 222, thereby forming the resulting example structure shown in FIG. 2B, in accordance with an embodiment. Etching 104 to form the first subset of trenches 220, 222 may include any suitable etching techniques, such as a technique including the following processes, for example: spin resist, expose, develop, etch and ash to produce trenches 220. Note that any suitable techniques may be used to form trenches 220, 222, such as various lithography techniques and various wet and/or dry etch processes. In some embodiments, etch 104 may be performed in-situ/without air break, while in other embodiments, etch 104 may be performed ex-situ. Trenches 220, 222 may be formed with varying widths W based on the end use or target application. For example, trenches 220, 222 may be formed with（＊有するように形成）a width W of more than a single fin width, more than a double row of fins, more than a quadruple row of fins, and so on. Accordingly, trenches 220, 222 (and thus the resulting replacement regions) may be formed to be（＊であるように形成）at least 1.5, 2, 3, 4, 5, 10, 20, 50, or 100 times, or some other suitable minimum value, wider than the average width of fins to be formed therefrom. More specifically, trenches 220, 222 may be formed to be greater than 10, 20, 40, 60, 100, 200, or 500 nm, or some other suitable minimum width, for example, depending upon the end use or target application. 

US7486250
Dimension E of gap 2310 can be formed to be less than 1 micrometer and can be as small as a few nanometers. In practice, the lower bound on dimension E is limited by the availability of suitable manufacturing processes. The width, dimension D, of the micro-dipoles 2101 is preferably less than 10% of the micro-dipole length, dimension B. FIG. 24 is cross-sectional view of linear dipole array 2005 showing the thickness, dimension G, of the micro-dipoles 2101. The thickness, dimension G, is usually less than the micro-dipole width, dimension D.

US7743659
FIG. 3 illustrates an example of a transducer assembly 304, similar to the transducer assembly 100, attached to an object 302 being monitored without any voids or substantial steps between the transducer assembly 304 and the object 302. The non-conductive layer 320 (112 in FIG. 1A) is formed to be flat with the electromechanical transducer 322 as shown in FIG. 3 (114 in FIG. 1A). This flatness provides a tight seal around the edges of the transducer 322 as shown in FIG. 3.

US7997529
In the illustrated example, crown panel 400 is located between aft window frame support structure 410 and another frame support structure 414 of the aircraft (see FIG. 9). In this regard, crown panel 400 may include integral reinforcing features that are suitably configured for coupling to aft window frame support structure 410, frame support structure 414, and/or other mounting elements of aircraft 402. The boundary of crown panel 400 may be formed so as to be stiffer than the main section of crown panel 400 in order to resist impact. 

光電変換部

photoelectric conversion: portion, unit, section, part?

画素内の部分を示す場合、unitだと大袈裟な気がする。「部」に対応するネイティブ例が少ない。

US9985063
[0028] FIG. 3 shows the layout of a conventional photodiode (pixel) array, where rows and columns of pixels 16 are formed in an array 18 .
【００１７】
  図３に、配列１８内に画素１６の行列が形成された従来のフォトダイオード（画素）配列のレイアウトを示す。

Each pixel 16 includes a photoelectric converter (commonly referred to as a photo detector or photodiode).
各画素１６は、光電変換器（一般的には光検出器又はフォトダイオードと呼ばれる）を含む。

Preferably, each pixel 16 also includes an analog-digital converter, as well as electrical routing and a readout circuit (the readout circuit could be shared among a plurality or even all of the photo detectors).
各画素１６は、アナログ－デジタルコンバータ、並びに電気配線及び読み出し回路（この読み出し回路は、複数の、さらには全ての光検出器間で共有することができる）も含むことが好ましい。

Conventional photodiode pixel arrays are well known in the digital image sensor industry.
デジタル画像センサ業界では、従来のフォトダイオード画素の配列は周知である。

Each of the squares in FIG. 3 represents a single pixel 16 . 
図３の正方形の各々は、単一の画素１６を表す。

FIG. 3 shows a conventional pixel layout design with no alteration to pixel shape or size (i.e. all the pixels 16 are the same size). 
図３には、画素の形状又はサイズが変化しない（すなわち、全ての画素１６が同じサイズである）従来の画素レイアウト設計を示している。

測定ギャップ

US10601556
[0047] MeasGapConfig
【００１８】
  －ＭｅａｓＧａｐＣｏｎｆｉｇ

[0048] The IE MeasGapConfig specifies the measurement gap configuration and controls setup/release of measurement gaps.
ＩＥ  ＭｅａｓＧａｐＣｏｎｆｉｇは、測定ギャップ構成を特定し、測定ギャップの設定／解放を制御する。

US11044650
[0107] Procedures for measurements configuration may include configuration of measurement gaps.
【００８１】
  測定設定のための手順は、測定ギャップの設定を含んでもよい。

A measurement gap may be defined as a period or set of periods in which no UL or DL transmissions are scheduled.
測定ギャップは、ULまたはDLの送信がスケジュールされない期間または一連の期間として定義してもよい。

During the measurement gap, the UE may perform measurements.
測定ギャップ中に、UEは測定を実行することができる。

Typically, measurement gaps are required for inter-frequency measurements, or inter-RAT measurements, since the UE may need to tune its receiver chains to the target frequency or the target RAT. 
UEはその受信機チェーンをターゲット周波数またはターゲットRATに同調させる必要があり得るので、通常、周波数間測定またはRAT間測定には測定ギャップが必要とされる。

US9635574
[0046] Table 6 below illustrates
 以下の表６は、

an example information element that may be used by the carrier monitoring control circuitry 114 of the eNB 112 to signal measurements to be performed by the UE 102 , including

intra-frequency, inter-frequency, and inter-RAT mobility measurements, as well as configuration of measurement gaps.
 測定ギャップの設定とともに、同一周波数、異周波数、及び異なるＲＡＴ移動性測定値

を含む、ＵＥ１０２によって実行される測定を伝えるために、ｅＮＢ１１２のキャリア監視制御回路１１４によって使用され得る情報要素の例を示す。

かどうか制御、かどうかを制御、か否かを制御

US2018241708
37. A method comprising:

controlling whether（＊かどうかを制御）incoming information is blocked from being received by a user of a hand-held computing device, said controlling comprising:

defining a filter to be applied to the incoming information based at least in part on user-defined preferences that are received from the user of the hand-held computing device, the filter configurable to pass types of information that are specified by the user of the hand-held computing device to be passed for receipt by the user of the hand-held computing device and to block types of information that are not specified by the user of the hand-held computing device to be passed for receipt by the user of the hand-held computing device in accordance with the user-defined preferences;

 

US9607495
In particular, the state of the alarm limit may comprise an activated state and a deactivated state, wherein the activated state may be associated with the alarm device generating the alarm signal and the deactivated state may be associated with the alarm device not generating the alarm signal. Thus, the controlling device may be configured for controlling whether（＊か否かを制御）the alarm device may generate an alarm signal or not, in order to indicate whether a sensed value of a monitored physiological parameter may be lower or may exceed an alarm limit of the alarm device.