固溶する

US2017145532(JP)
"1. A hot-stamped steel comprising:
a base metal that is a steel including a tempered portion having a hardness corresponding to 85% or less of the highest quenching hardness, the highest quenching hardness being defined as a Vickers hardness at a depth position spaced away from a surface by 1⁄4 times a sheet thickness in a case of performing water quenching after heating to a temperature equal to or higher than an Ac3 point and retaining for 30 minutes; and
a Zn coating layer that is formed on the tempered portion of the base metal,
wherein the Zn coating layer includes:
a solid-solution layer including a solid-solution phase that contains Fe and Zn that is solid-soluted in Fe, and
a lamella layer that includes the solid-solution phase and a capital gamma phase, and
an area ratio of the lamella layer in the Zn coating layer is 20% or less."

Ａｃ３点以上の温度に加熱して３０分間保持した後に水焼入れを実施した場合の表面から板厚の１／４の深さの位置におけるビッカース硬さを最高焼入れ硬さと定義した場合、前記最高焼入れ硬さの８５％以下の硬さを有する焼戻し部を含む鋼材である母材と、
  前記母材の前記焼戻し部上に形成される亜鉛めっき層とを備え、
  前記亜鉛めっき層は、
  Ｆｅ及び前記Ｆｅに固溶したＺｎを含有する固溶体相からなる固溶体層と、前記固溶体相及びキャピタルガンマ相とからなるラメラ層とを含み、
  前記亜鉛めっき層における前記ラメラ層の面積率が２０％以下である
ことを特徴とするホットスタンプ鋼材。

US2017069438(JP)
"1. A method for producing an electrode material, comprising:
a provisional sintering step of sintering a mixed powder containing a powder of at least one kind of a heat resistant element selected from the group consisting of Mo, W, Ta, Nb, V and Zr and a powder of Cr to obtain a solid solution where the heat resistant element and Cr are dissolved;
a pulverizing step of pulverizing the solid solution to obtain a powder;
a main sintering step of sintering a molded body obtained by molding the powder of the solid solution, to produce a sintered body; and
a Cu infiltration step of infiltrating the sintered body with Cu,
wherein in the provisional sintering step the mixed powder is sintered until either a peak corresponding to Cr element or a peak corresponding to the heat resistant element, which are observed by X ray diffraction measurement made on the solid solution, completely disappears."

耐熱元素の粉末とＣｒ粉末とを含有する混合粉末を焼結して、耐熱元素とＣｒとが固溶した固溶体を得る仮焼結工程と、
  前記固溶体を粉砕して粉末とする粉砕工程と、
  前記固溶体の粉末を成形した成形体を焼結して焼結体を得る本焼結工程と、
  当該焼結体にＣｕを溶浸するＣｕ溶浸工程と、を有する、電極材料の製造方法。

US2016332233(JP)
"1. A method for producing titanium powder containing a solid-soluted oxygen, the method comprising:
heating a titanium powder comprising titanium particles in an oxygen-containing atmosphere to form a titanium oxide layer on a surface of each of titanium particles; and
heating the titanium powder having the titanium oxide layer in an oxygen-free atmosphere to decompose the titanium oxide layer on the surface of the titanium particle so that oxygen atoms dissociated form a solid solution in a matrix of the titanium particle."

チタン粉末粒子からなるチタン粉末材料を、酸素を含む雰囲気中で加熱して前記粉末粒子の表面にチタン酸化皮膜を形成する工程と、
  前記チタン酸化皮膜を有する前記チタン粉末材料を、酸素を含まない雰囲気中で加熱して前記各チタン粉末粒子の表面に形成されたチタン酸化皮膜を分解し、その際に解離した酸素原子を前記各チタン粉末粒子のマトリクス中に固溶させる工程と、を備える、酸素固溶チタン粉末材料の製造方法。

US2016090511(JP)
"1. A silicone coating composition comprising
(A) a water dispersion of core/shell type tetragonal titanium oxide solid-solution particles, wherein said core/shell type particles each consist of a core of nano-particulate tetragonal titanium oxide having tin and manganese incorporated in solid solution and a shell of silicon oxide around the core, said cores have a volume basis 50% cumulative distribution diameter of up to 30 nm, and said core/shell type tetragonal titanium oxide solid-solution particles have a volume basis 50% cumulative distribution diameter of up to 50 nm, as measured by the dynamic light scattering method, the amount of tin incorporated in solid solution is to provide a molar ratio of titanium to tin (Ti/Sn) of 10/1 to 1,000/1, and the amount of manganese incorporated in solid solution is to provide a molar ratio of titanium to manganese (Ti/Mn) of 10/1 to 1,000/1,
(B) a polycarbonate and/or polyester-based urethane-modified vinyl polymer,
(C) a hydrolytic condensate obtained from (co)hydrolytic condensation of at least one of a sulfur-free alkoxysilane having the general formula (1):
R<1>mR<2>nSi(OR<3>)4-m-n　　(1)
wherein R<1 >and R<2 >are each independently hydrogen or a substituted or unsubstituted, monovalent C1-C12 hydrocarbon group, R<1 >and R<2 >may bond together, R<3 >is C1-C3 alkyl, m and n are independently 0 or 1, m+n is 0, 1 or 2, and a partial hydrolytic condensate thereof,
(D) a curing catalyst,
(E) a solvent, and
(F) optional colloidal silica,
the solids content of the urethane-modified vinyl polymer (B) being 1 to 30% by weight based on the total solids content of the composition."

（Ａ）スズ及びマンガンを固溶した正方晶系酸化チタン微粒子を核とし、該核の外側に酸化ケイ素の殻を有するコアシェル型正方晶系酸化チタン固溶体水分散液であって、動的光散乱法で測定した該核微粒子の体積基準の５０％累積分布径が３０ｎｍ以下で、該コアシェル型正方晶系酸化チタン固溶体の体積基準の５０％累積分布径が５０ｎｍ以下であり、前記スズ成分の固溶量が、チタンとのモル比（Ｔｉ／Ｓｎ）で１０〜１，０００、前記マンガン成分の固溶量が、チタンとのモル比（Ｔｉ／Ｍｎ）で１０〜１，０００であるコアシェル型正方晶系酸化チタン固溶体水分散液、
（Ｂ）ポリカーボネート系及び／又はポリエステル系のウレタン変性ビニル系重合体、
（Ｃ）下記一般式（１）：
  Ｒ１ｍＲ２ｎＳｉ（ＯＲ３）４−ｍ−ｎ    （１）
（式中、Ｒ１及びＲ２は、各々独立に、水素原子又は炭素数１〜１２の非置換もしくは置換の一価炭化水素基であり、置換基同士が相互に結合していてもよい。Ｒ３は、炭素数１〜３のアルキル基である。ｍ及びｎは、各々独立に、０又は１であり、かつｍ＋ｎは、０，１又は２である。）
で表され、硫黄原子を含有しないアルコキシシラン及びその部分加水分解縮合物から選ばれる少なくとも１種を（共）加水分解・縮合することにより得られた加水分解縮合物、
（Ｄ）硬化触媒、
（Ｅ）溶剤、
（Ｆ）必要に応じてコロイダルシリカ
を含有し、（Ｂ）ウレタン変性ビニル系重合体の固形分量が、組成物全体の固形分量に対して１〜３０質量％であることを特徴とするシリコーンコーティング組成物。


EP3460838(JP)
"1. A power module substrate comprising:
a ceramic substrate; and
a circuit layer which is formed on one surface of the ceramic substrate and has a circuit pattern,
wherein the circuit layer is made of Cu or a Cu alloy,
in an interface between the circuit layer and the ceramic substrate, a Cu-Sn layer in which Sn forms a solid solution in Cu and a Ti-containing layer containing Ti are laminated in this order from the ceramic substrate side, and
in a cross-sectional shape of an end portion of the circuit pattern of the circuit layer, an angle θ formed between a surface of the ceramic substrate and an end face of the Cu-Sn layer is set in a range equal to or greater than 80° and equal to or smaller than 100°, and a maximum protrusion length L of the Cu-Sn layer or the Ti-containing layer from an end face of the circuit layer is set in a range equal to or greater than 2 µm and equal to or smaller than 15 µm."

セラミックス基板と、このセラミックス基板の一方の面に形成され、回路パターンを有する回路層と、を備えたパワーモジュール用基板であって、
  前記回路層は、Ｃｕ又はＣｕ合金からなり、
  この回路層と前記セラミックス基板の界面には、前記セラミックス基板側から順に、ＳｎがＣｕ中に固溶したＣｕ−Ｓｎ層と、Ｔｉを含有するＴｉ含有層とが積層されており、
  前記回路層の前記回路パターンの端部の断面形状において、前記セラミックス基板の表面と前記Ｃｕ−Ｓｎ層の端面がなす角度θが８０°以上１００°以下の範囲内とされ、前記Ｃｕ−Ｓｎ層又は前記Ｔｉ含有層の前記回路層の端面からの最大突出長さＬが２μｍ以上１５μｍ以下の範囲内とされていることを特徴とするパワーモジュール用基板。