強め合い、弱め合い

US2023158458(LHOIST RECH ET DEVELOPPEMENT SA [BE])
[0038] In crystalline materials, the scattered X-rays undergo constructive and destructive interferences.
【００３７】
  結晶性材料において、散乱されたＸ線は、強め合い干渉および弱め合い干渉を受ける。

This process of diffraction is described by Bragg’s Law (nλ=2d sin θ). The diffracted X-rays are detected, processed, and counted.
この回折プロセスは、ブラッグの式（ｎλ＝２ｄ  ｓｉｎθ）により表される。回折されたＸ線は、検出、処理およびカウントされる。

US11243390(ILLUMINA INC [US])
[0201] A dedicated target device for calibrating and quality control checking in a SIM system may include other optical features, in addition to or in lieu of including a pattern of dots as described above.
【０２０５】
  ＳＩＭシステムにおける較正及び品質管理チェックのための専用の標的デバイスは、上述のドットパターンを含むことに加えて、又はその代わりに、他の光学的特徴を含んでもよい。

For instance, a target device may include a patterned line array.
例えば、標的デバイスは、パターン化された線アレイを含んでいてもよい。

Such a line array may include line pairs. Each line pair may be angled at required/expected angles of the structured illumination.
このような線アレイは、線ペアを含んでいてもよい。各線ペアは、構造化照明の必要な／予想の角度で傾斜していてもよい。

Thus, when the patterned light is shifted in and out of phase of the line pairs,
したがって、線ペアの位相と一致するように、また線ペアの位相からずれるように、パターン化された光がシフトされると、

differences in resultant intensity (as a result of the ranging constructive/in-phase and destructive/opposite-phase interference) may enable measurement of the level of parallelism between the two patterns. 
（強め合い／同位相及び弱め合い／逆位相の干渉の範囲の結果として）得られる強度における差により、２つのパターン間の平行度の測定が可能となり得る。