US2005067710
7. The process of claim 1, wherein the step of etching the exposed dielectric (e.g., 1) from the bottom of the at least one trench (e.g., 13) down to the underlying conductive material (e.g., 3, 5) forms at least one third opening (e.g., 18, 20) to the underlying conductive material (e.g., 3, 5) and the at least one third opening (e.g., 18, 20) is filled with conductive material to form a contact or a via (e.g., 23, 25).
【請求項７】 前記（Ｇ）のステップにより下の導電材料（３，５）まで第３の開口（１８，２０）を形成し、前記第３の開口（１８，２０）を導電性材料で充填して接点または貫通導体（２３，２５）を形成することを特徴とする請求項１記載の方法。
US2010301713(BOSCH GMBH ROBERT [DE])
"4. The motor arrangement according to claim 1, wherein provision is made for a contact-guide element, which is to be non-conducting with respect to a through conductor and which extends into a through opening of the housing element in order to establish contact between an interior and outer surface of the housing element."
【請求項４】
コンタクトガイド部材（３０）が設けられており、当該コンタクトガイド部材には非導電性に貫通導体（３１）が設けられており、前記ケーシング部材（１４）の貫通開口部（３２）内へ配向されており、これによって、ケーシング部材（１４）の内面と外面との間の接触接続を実現する、請求項１から３までのいずれか１項記載のモーター装置。
US6274409
"1. A method for making a semiconductor device comprising the steps of:
forming a plurality of transistors in a semiconductor substrate;
forming a first dielectric layer overlying the semiconductor substrate;
selectively etching the first dielectric layer to form a first opening exposing a first transistor portion and a second transistor portion;
depositing conducting material into the first opening to define a merged contact between the first transistor portion and the second transistor portion;
forming a second dielectric layer overlying the first dielectric layer and the merged contact;
selectively etching the second dielectric layer to form a second opening exposing the merged contact, and while selectively etching the second and first dielectric layers to form a third opening exposing a source/drain region of a third transistor; and
depositing conducting material into the second opening to define a first via with the merged contact,"
【請求項１】
（Ａ） 複数のトランジスタを半導体基板内に形成するステップと、
（Ｂ） 前記半導体基板を覆うように第１誘電体層を形成するステップと、
（Ｃ） 第１トランジスタ部分と第２トランジスタ部分を露出する第１開口を形成するために、前記第１誘電体層を選択的にエッチングするステップと、
（Ｄ） 前記第１トランジスタ部分と第２トランジスタ部分の間に併合接点を形成するために、前記第１開口内に導電性材料を堆積するステップと、
（Ｅ） 前記第１誘電体層と併合接点を覆うように第２誘電体層を形成するステップと、
（Ｆ） 前記併合接点を露出する第２開口を形成するために、前記第２誘電体層を選択的にエッチングするステップと、
（Ｇ） 併合接点を具備した第１貫通導体を形成するために、前記第２開口に導電性材料を堆積するステップと、
を有することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
一般から特定への視点・イメージの変遷
"... and other personal objects （＊一般、諸々、等、複数を思い浮かべている）on the floor. In some cases, thin blue tape ran fom the object （＊特定、一個を思い浮かべている）to some other location, indicating how the object had moved during the accident" ("Airframe", Michael Crichton、乱気流で機内に物が飛んでいた状況を地上で色テープを使って再現調査する場面）
単数・複数の対応の矛盾
"parallel strips （＊複数）were placed for each row（＊それぞれ、単数）of seats" (同上)
「複数の平行な紐」が、「それぞれ（一個、単数）のシート列」に対して置かれている。
しかしこの場面では実際には「一つのシート列」に対して「一つの紐」が置かれていて、全体として見て初めて「複数の紐が平行」になっているんじゃなかろうか・・・？いや実際「各シート列」に対して「複数の平行な紐」が置かれているのかも知れませんが・・・。
日本人特許翻訳者的には、
"parallel strips were placed for respective rows of seats"
"parallel strips were placed for the rows of seats"
"parallel strips were placed for the rows of seats, one strip for each row"
"a strip was placed for each row of seats, forming parallel strips when viewed as a whole from above"とか？
日本人的、私的に考えれば「複数の何か」と「単数の何か」の数の対応が厳密には矛盾しているように思えるネイティブの原文に遭遇することが時々ある、ような気がします。
