サムスン電子は、同技術を用いたDDR5メモリーモジュールは既存の工程に比べて電力の消耗が約13％減少し、性能は既存のDDR4の2倍以上を示した、と説明した。

３０ＧＢの映画２本をわずか１秒で…

サムスン電子、ＤＤＲ５メモリー開発

登録:2021-03-26 03:10 修正:2021-03-26 09:35

 

HKMG工程用い、512GBの最大容量

 

サムスン電子が開発した512GBのDDR5=サムスン電子提供//ハンギョレ新聞社

　サムスン電子は、わずか1秒で30GB(ギガバイト)の映画を2本ダウンロードできる性能を持つ「DDR5」メモリーモジュールを開発した。

　サムスン電子は25日、業界で初めてHKMG(High-K Metal Gate)工程を用いた業界最大容量の512GBのDDR5メモリーモジュールを開発したと発表した。HKMGは、半導体工程が微細化するほど増える漏えい電流を効果的に削減できる工程技術。これにより、製品の消費電力を減らしつつ、集積度を高めることができる。サムスン電子は、同技術を用いたDDR5メモリーモジュールは既存の工程に比べて電力の消耗が約13％減少し、性能は既存のDDR4の2倍以上を示した、と説明した。

　また今回の512GBのDDR5モジュールには、D-RAM製品としては初めて8層「シリコン貫通電極(TSV)」技術を用いた。シリコン貫通電極とは、チップに微細な穴を開けて、上段のチップと下段のチップを垂直に貫通する電極でつなぐ技術だ。この技術を用いれば、限られた大きさのモジュールに複数のチップが積め、高容量を実現できる。

ソン・チェ・ギョンファ記者 (お問い合わせ japan@hani.co.kr )