光閉じ込め構造

EP4061962(SARMAL INC [US])
[0144] In some embodiments of the methods and systems of the invention, optical confinements are used to enhance the ability to concurrently observe multiple target template polymerase chain elongation reactions simultaneously.
【０１０７】
  本発明の方法およびシステムのいくつかの実施態様においては、ポリメラーゼによる複数の標的鋳型鎖伸長反応を同時に観察する能力を向上させるために、光閉じ込め構造を用いる。

In general, optical confinements are disposed upon a substrate and used to provide electromagnetic radiation to or derive such radiation from only very small spaces or volumes.
一般的には、光閉じ込め構造を基材上に配置して、非常に小さな空間または容積のみに電磁放射を与えるため、あるいは非常に小さな空間または容積のみからそのような放射を発生させるために利用する。

Such optical confinements may comprise structural confinements, e.g., wells, recesses, conduits, or the like, or they may comprise optical processes in conjunction with other components, to provide detection or derive emitted radiation (e.g., luminescence, and the like) from only very small volumes.
そのような光閉じ込め構造は、例えば、井戸型構造、陥凹、導管などの構造的閉じ込めを含むものであってもよく、あるいは非常に小さな容積のみからの発光放射（例えば、発光など）を検出するまたは得るために、他の構成成分と共に光学的過程を含むものであってもよい。

Examples of such optical confinements include systems that utilize, e.g., total internal reflection (TIR) based optical systems whereby light is directed through a transparent portion of the substrate at an angle that yields total internal reflection within the substrate.
そのような光閉じ込め構造の例としては、例えば、基材内部で全内部反射する角度で、光が基材の透明部分を透過する、全内部反射（ＴＩＲ）を基盤とする光学的システムを利用するシステムを含む。

US11296137(SENSE PHOTONICS INC [US])
[0006] To improve photodetector sensitivity, some conventional photodetector devices
【０００６】
  光検出器の感度を向上させるために、従来型光検出器デバイスの一部には、

may include a surface modification of silicon to reduce reflectivity and increase the wavelength range of light absorption, also referred to as a layer of “black silicon,” as described for example in U.S. Pat. No. 8,679,959.
例えば、特許文献２に記載の「ブラックシリコン」の層とも称される、反射率を下げ、光吸収の波長範囲を広げるためのシリコンの表面改質を含むものもある。

Light trapping structures may also be used to increase absorption probability.
光閉じ込め構造を使用して、吸収確率を高めることもできる。

For example, some conventional diffractive light trapping structures are described in “IR sensitivity enhancement of CMOS Image Sensor with diffractive light trapping pixels” to Yokogawa et al.
例えば、幾つかの従来型の回折光閉じ込め構造が非特許文献１に記載されている。

/////////

[0040] Sensitivity-enhanced CMOS image sensors
【００３７】
  感度増強ＣＭＯＳイメージセンサは、

may be designed to improve sensitivity of CMOS image sensors by

forming subwavelength diffractive light trapping structures, such as inverted pyramidal array (IPA) structures, which refract sufficiently normally incident light at an angle such that it undergoes total internal reflection from the deep trench isolation (DTI) structures that separate each pixel from its neighboring pixels.
各画素を隣接画素から分離する深溝分離（ＤＴＩ）構造からの全反射を受けるような角度で垂直入射光線を十分に屈折させる、逆ピラミッドアレイ（ＩＰＡ）構造等のサブ波長回折光閉じ込め構造を形成する

ことにより、ＣＭＯＳイメージセンサの感度を向上させるように設計可能である。

This light travels a longer path in the silicon as compared with similarly normally incident light without the diffractive light trapping structures.
この光は、回折光閉じ込め構造を使わずに同様に垂直入射する光と比較して、シリコン内でより長距離の経路を伝達する。

The longer path can increase the probability of absorption and thus the sensitivity of the device.
経路が長くなると吸収しやすくなるので、デバイスの感度を高めることができる。

The DTI structures may prevent photons impinging above one pixel to generate charges which will be collected in adjacent pixels.
このＤＴＩ構造は、光子が１画素よりも多く衝突して、隣接画素で収集される電荷を生成することを防止できる。

US2007169806(PALO ALTO RES CT INC [US])
[0067] FIG. 11 is a perspective view showing a front surface contact cell-type photovoltaic device 211-1 that is produced in accordance with an embodiment of the present invention.
【００３３】
  図１１は、本発明のひとつの実施形態にしたがって製造される表面電極電池型光起電装置２１１－１を示す透視図である。

Device 211-1 generally includes a P-type single crystalline silicon wafer (substrate) 212-1 disposed between a lower (back) contact structure 212-1B and a continuous N-type diffusion region 214-1, which is formed in an upper surface of wafer 212-1. 
装置２１１－１は一般に、Ｐ型単結晶シリコンウェハ（基板）２１２－１を備え、ウェハ２１２－１は下側（裏面）コンタクト構造２１２－１Ｂと、ウェハ２１２－１の上側表面に形成された連続Ｎ型拡散領域２１４－１との間に配置されている。

Passivation layer 215 is formed over diffusion region 214-1,
パシベーション層２１５が、拡散領域２１４－１の上に形成され、

and pyramid-like light trapping structures 215-1A are formed on an upper surface of passivation layer 215-1 according to known techniques. 
ピラミッド状の光閉じ込め構造２１５－１Ａが周知の技術によってパシベーション層２１５－１の上側表面に形成される。