US9817087
[0010] Since, according to the first aspect, the magnetoresistive element is deposited directly on top of, and in electrical contact with, the shorting bars,
【0007】
第1の態様によると、磁気抵抗素子は、短絡バーの上に直接蒸着され、それと電気的に接触しているため、
all process steps preceding deposition of the magnetoresistive element can be performed in a first fabrication facility that is not exposed to the contaminating material of the magnetoresistive element.
磁気抵抗素子の蒸着に先行する全てのプロセスステップは、磁気抵抗素子の汚染材料に曝露されない第1の加工施設において実施され得る。
This first fabrication facility can be notionally regarded as being a “clean” facility.
この第1の加工施設は、概念上、「汚染されていない(clean)」施設と見なされ得る。
The process steps preceding the deposition of the magnetoresistive layer may include
磁気抵抗層の蒸着に先行するプロセスステップは、
the formation of transistors, integrated circuits, and interconnecting conductors using processes such as patterning, etching, doping and thermal diffusion or any other process known for manufacturing semiconductor devices.
パターニング、エッチング、ドーピング、および熱拡散、または半導体デバイスを製造するための既知の任意の他のプロセス等のプロセスを使用した、トランジスタ、集積回路、および相互接続導体の形成を含み得る。
US8760820
[0014] FIG. 2 shows a cross-sectional block representation of an example magnetic data reader 120 capable of being used in the transducing portion 100 of a data storage device shown in FIG. 1.
【0008】
図2は、図1に示されたデータ記憶装置の変換部100に用いることができる、例示的な磁気データリーダ120の断面ブロック図を示す。
While not required or limited to the configuration shown in FIG. 2, the magnetic reader 120 has a magnetic stack 122 disposed between magnetic shields 126 on an air bearing surface (ABS).
図2に示される構成は必ずしも必要ではなく、またそれに限定されないが、磁気リーダ120は、空気軸受面(ABS)上の磁気シールド124の間に配置される磁気スタック122を有する。
The magnetic stack 122 can be configured as a variety of different data bit sensing laminations, such as
磁気スタック122は、
a magnetoresistive, tunnel magnetoresistive, spin valve, and a “trilayer” sensor with dual ferromagnetic free layers and without a fixed magnetization reference structure, but
磁気抵抗層、トンネル磁気抵抗層、スピンバルブ層、および、2つの強磁性自由層を有するとともに固定磁気基準構造を有さない「三層」センサ層
のような、多くの異なるデータビット検知積層体として構成されるが、
in the embodiment shown in FIG. 2, an abutted junction (HMRB) stack characterized by a fixed reference structure containing pinning 128 and pinned 130 layers opposite a non-magnetic spacer layer 132 from a magnetically free layer 134 .
図2に示される実施形態においては、磁気スタック122は、磁気自由層134に対して非磁気スペーサ層132とは反対の、ピニング層128とピンド層130とを含む固定基準構造によって特徴付けられる隣接接合(HMRB)スタックとして構成される。