磁化固定層

US9231194(INTEL CORP [US])
[0038] An Example includes an apparatus comprising:
【００２９】
  一例は、

a magnetic tunnel junction (MTJ) including a free magnetic layer, a fixed magnetic layer, and a tunnel barrier between the free and fixed layers; the tunnel barrier directly contacting a first side of the free layer;
磁化自由層、磁化固定層、および自由層と固定層との間のトンネル障壁を含む磁気トンネル接合（ＭＴＪ）と、

and an oxide layer directly contacting a second side of the free layer;
自由層の第２の面に直に接触する酸化物層とを備え、

wherein the tunnel barrier includes an oxide and has a first resistance-area (RA) product and the oxide layer has a second RA product that is lower than the first RA product.
トンネル障壁は、自由層の第１の面に接触し、トンネル障壁は、酸化物を含み、第１面積抵抗（ＲＡ）生成物を有し、酸化物層は、第１ＲＡ生成物より低い第２ＲＡ生成物を有する、装置を含む。

EP2738770(SEAGATE TECHNOLOGY LLC [US])
[0029] FIGS. 2A and 2B respectively show magnetic stacks 130 and 150 each capable of being used in the data storage device 100 of FIG. 1 .
【０００９】
  図２Ａおよび図２Ｂは、各々図１のデータ記憶装置１００において使用可能な磁気スタック１３０および１５０をそれぞれ示す。

As shown in FIG. 2A , The magnetic stack 130 is constructed with a fixed magnetization pinning layer 134 contacting a fixed magnetization reference layer 136 opposite a non-magnetic barrier layer 138 from a magnetically free layer 140.
図２Ａにおいて示されるように、磁気スタック１３０は、非磁気バリア層１３８の磁気自由層１４０とは反対側に設けられる固定された磁化基準層１３６に接触する固定された磁化固定層１３４で構成される。

As the free layer 140 responds to an external data bit while the reference layer 136 maintains a fixed magnetization due to the exchange coupling with the pinning layer 134,
基準層１３６が固定層１３４との交換結合によって固定磁化を維持している間は自由層１４０が外部データビットに応答するので、

an external data bit can be read as a logic state.
外部データビットを論理状態として読出すことができる。

While not providing a fixed or free magnetization, seed 142 and cap 144 layers can be positioned on a single, or opposite sides of the stack 130 in various embodiments.
固定されたまたは自由な磁化をもたらさないが、様々な実施例においてシード層１４２およびキャップ１４４層をスタック１３０の一方側または両側に配置し得る。

US8866207
[0003] MRAM is a type of solid state memory that uses tunneling magnetoresistance (MR) to store information.
【０００２】
  ＭＲＡＭは、情報を蓄えるためにトンネル磁気抵抗（ＭＲ）を用いる一種の固体メモリである。

MRAM is made up of an electrically connected array of magnetoresistive memory elements, referred to as magnetic tunnel junctions (MTJs).
ＭＲＡＭは、磁気トンネル接合（ＭＴＪ）と呼ばれる磁気抵抗メモリ素子を電気的に接続したアレイから構成される。

Each MTJ includes a magnetic free layer having a magnetization direction that is variable, and a magnetic fixed layer having a magnetization direction that is invariable.
各ＭＴＪは、磁化方向が可変の磁化自由層、および磁化方向が不変の磁化固定層を含む。

The free layer and fixed layer are separated by an insulating non-magnetic tunnel barrier.
自由層および固定層は、絶縁性の非磁性トンネル・バリアによって分離される。

An MTJ stores information by switching the magnetization state of the free layer.
ＭＴＪは、自由層の磁化状態を切り替えることによって情報を蓄える。

When the magnetization direction of the free layer is parallel to the magnetization direction of the fixed layer, the MTJ is in a low resistance state.
自由層の磁化方向が固定層の磁化方向と平行な場合、ＭＴＪは、低抵抗状態にある。

When the magnetization direction of the free layer is anti-parallel to the magnetization direction of the fixed layer, the MTJ is in a high resistance state.
自由層の磁化方向が固定層の磁化方向に反平行な場合、ＭＴＪは、高抵抗状態にある。

The difference in resistance of the MTJ may be used to indicate a logical ‘1’ or ‘0’, thereby storing a bit of information.
ＭＴＪの抵抗の差を、論理的な「１」または「０」を示すために用いることができ、それによって、１ビットの情報を蓄えることができる。

The MR of an MTJ determines the difference in resistance between the high and low resistance states.
ＭＴＪのＭＲは、高抵抗状態と低抵抗状態間の抵抗の差を決定する。

A relatively high difference between the high and low resistance states facilitates read operations in the MRAM.
高抵抗状態と低抵抗状態間の差が比較的高いことが、ＭＲＡＭにおける読み出し動作を容易にする。

軸比

US10651566
 The present disclosure combines ultra-wide bandwidth while scanning and a triangular lattice.
本開示では、走査中の超広帯域幅と、三角格子とを組み合わせる。

The advantages of a triangular lattice include larger allowable unit cell size and thus reduced RF packaging, improved cross-polarization or axial ratio performance at scan.
三角格子の利点として、ユニットセルのサイズを大きくできることによるＲＦパッケージングの低減、交差偏波または走査時の軸比性能の向上が含まれる。

トースト

US11084408
[0048] FIG. 5 illustrates an example massage function notification 500 . The massage function notification 500 may be displayed on the display 130 as a pop-up or toast that covers a portion of a currently displayed screen.
【００４１】
  図５は、マッサージ機能通知５００の一例を示す。マッサージ機能通知５００は、現在表示されるスクリーンの一部をカバーするポップアップ表示又はトースト表示としてディスプレイ１３０に表示される。

For example, as illustrated, the massage function notification 500 may be presented over a media selection interface 510 .
例えば、図示のように、マッサージ機能通知５００は、メディア選択インタフェース５１０上にわたって表示されてもよい。

More generally, the massage function notification 500 may be presented over any interface that is different than the massage configuration interface 400 .
より一般的には、マッサージ機能通知５００は、マッサージ構成インタフェース４００とは異なる任意のインタフェース上にわたって表示されてもよい。

JP2019-36315
【００５９】
  なお、トーストとは、情報処理装置１０１の表示部１０８上の最前面にポップアップ表示される通知領域である。トーストは一定時間が経過すると自動的に非表示になる。

トースト、IT用語辞典Binary

決まり文句は名詞の数を気にしない？

あるブーツ紹介動画内の発言。

"Welcome to my boots.  Here it is."

ブーツは何十足もあるから、文法的には"Welcome to my boots.  Here they are."のはず。

それともこのitは"a boot collection"の意味かも知れない。

画像基底

US2017336501
[0004] In another aspect, an ultrasound image-compressing apparatus includes an ultrasound imaging array having transducer elements that are communicatively connected to respective data channels.
【０００５】
  別の見地において、超音波画像圧縮装置が、個々のデータチャネルに通信可能に接続されるトランスデューサ素子を有する超音波イメージングアレイを有する。

The array is operable to generate, on the channels, time-domain channel data representative of an image.
超音波イメージングアレイは、チャネル上に、画像を表現する時間ドメインのチャネルデータを生成するように動作可能である。

Further included in the apparatus is an image-compressing processor for minimizing a first p-norm of a first matrix which is a product of two matrices the content of one representing the image in a compression basis.
一方のマトリクスの内容が圧縮基底において画像を表現する２つのマトリクスの積である第１のマトリクスの第１のｐ－ノルムを最小化にするための画像圧縮プロセッサが更に、装置に含められる。

[0040] The image-to-measurement-basis transformation matrix M, by itself, provides a transformation from the pixel basis to the measurement basis when the pixel basis is the compression basis.
【００３７】
  ピクセル基底が圧縮基底である場合、画像基底から測定基底への変換マトリクスＭは、それ自体、ピクセル基底から測定基底への変換を提供する。

The image is represented in the compression basis by the matrix X which is the representation of the image to be sparsified, or being sparsified.
画像は、圧縮基底においてマトリクスＸによって表現され、マトリクスＸは、スパース化される又はスパース化されている画像表現である。

The image in the measurement basis is represented by matrix Y.
測定基底において、画像は、マトリクスＹによって表現される。

CS works well under the current a priori assumptions, because the image basis is the pixel basis and, in the pixel basis, the image scatterers if, not sufficiently numerous, are sparse.
ＣＳは、現在のアプリオリな前提の下で良好に機能し、その理由は、画像基底がピクセル基底であり、ピクセル基底において、画像散乱体は、それらが十分多くない場合にスパースであるからである。

For other, more useful, clinical images, an image basis other than the pixel basis can be selected in which the signal is sparse or compressible.
他のより有用な臨床画像の場合、ピクセル基底以外の、信号がスパースであり又は圧縮可能である画像基底が選択されることができる。