境界層、磁気メモリ

US6919594
Additionally, the amount of offset produced changes if the ratio of the thicknesses of layer 114 and boundary layer 116 is changed (i.e., how deep the combined 104 layer is patterned).
【００２４】
さらに、層１１４と境界層１１６との厚みの比が変更される場合には（すなわち、組み合わせられた層１０４が如何に深くパターン形成されるかによって）、生成されるオフセットの量が変化する。

Further, the lateral dimensions of the bit or sense layer 112 are important in determining how much offset is present.
さらに、ビットすなわちセンス層１１２の横方向の寸法は、如何なる量のオフセットが存在するかを判定する際に重要である。

If the bit is 1.0 micron by 2.0 microns in size and approximately 5.0 nm thick, a certain offset is achieved.
ビットの大きさが１．０μｍ×２．０μｍであり、約５．０ｎｍ厚である場合には、ある一定のオフセットが達成される。

If bit 112 is formed from the exact same materials and the size changes to 0.5 micron*1.0 micron in size, the offset could be approximately twice as large as the larger bit. 
ビット１１２が全く同じ材料から形成され、大きさが０．５μｍ×１．０μｍに変化する場合には、そのオフセットは、前記のより大きなビットの概ね２倍の大きさになるであろう。

US2010040896
[0050] An electrobonding interface is formed between the current-carrying formation and the substrate.
【００２３】
  [0047]電接（electrobonding）による界面が、通電形成物と基板との間に形成される。

The electrobonding interface comprises an interface layer of electrobonds between the current-carrying formation and the substrate.
電接による界面は、通電形成物と基板との間の電気的結合の境界層を備える。

The electrobonds are bonds formed between molecules of the substrate and molecules of the current-carrying material that are electrodeposited onto the substrate.
電気的結合は、基板の分子と基板に電気的に付着した通電材料の分子との間に形成される結合である。

The electrobonds form in regions of the substrate where additional current-carrying material is deposited to form the current-carrying formation.
電気的結合が、通電形成物を形成すべく追加の通電材料が付着する基板の領域に形成される。

断面観察

WO2019217791
SEM Images
【０２５５】
  ＳＥＭ画像

1.Preprocessing conditions
  １．前加工条件

Procedure for cross-sectional observation by Scanning Electron Microscope

(SEM).

  走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）による断面観察の手順。

a.) Cut samples to the proper size(several mm square).
ａ．）サンプルを適当なサイズに切断する（数ｍｍ平方）。

b.) ion milling processing to produce a flat cross-section (MD-ND plane).
ｂ．）イオンミリング加工により、平坦な断面を生じさせる（ＭＤ－ＮＤ面）。

Ion milling instrument: E-3500 (Hitachi High-Technologies Corporation.)
イオンミリング機器：Ｅ－３５００（Ｈｉｔａｃｈｉ  Ｈｉｇｈ－Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ．）

フレーム間の差分

US11012409
[0072] However, if the difference does exceed the threshold, then in block 820 , the logic may flag a potential anomaly, which may be identified as a potential intrusion.
【００７２】
  しかしながら、差分が閾値を超える場合、ブロック８２０において、ロジックは、潜在的侵入として特定され得る潜在的な異常を警告してよい。

Once the anomaly has been identified as a potential intrusion, remedial action may be taken.
潜在的侵入としてひとたび異常が特定されると、是正措置が講じられてよい。

Note that in addition to the detection of a difference above the threshold, detecting an anomaly may further comprise detecting that a correlation is broken
異常を検出することは、閾値を上回る差分の検出に加えて、相関が破られることを検出する

(e.g., there is a known correlation between dimensions A and B, and an anomaly is detected when the SAX difference between the frames is above the threshold T and when the correlation between A and B is broken across the two frames).
（例えば、次元ＡとＢとの間に既知の相関があり、フレーム間のＳＡＸの差分が閾値Ｔを上回る場合、および、ＡとＢとの間の相関が２つのフレームにわたって破られる場合に異常が検出される）

ことをさらに有し得る点に留意されたい。

Alternatively, an anomaly may be detected with the difference between the frames is above threshold T or when the correlation between A and B is broken.
代替的に、フレーム間の差分が閾値Ｔを上回ることにより、または、ＡとＢとの間の相関が破られた場合に、異常が検出されてよい。

Also note that the correlation of two dimensions is used here as a nonlimiting example, but in practice, the correlation may be between three or more dimensions.
２つの次元の相関がここでは非限定的な例として使用されるが、実際には、相関は３つまたはより多くの次元の間のものであってよいことにもまた留意されたい。