JP2015211149(TOYOTA MOTOR CORP)
[0010] 半導体基板12は、縦型のIGBTが形成されているIGBT領域20と、縦型のダイオードが形成されているダイオード領域40を有している。上部電極14は、IGBTのエミッタ電極とダイオードのアノード電極を兼ねている。下部電極16は、IGBTのコレクタ電極とダイオードのカソード電極を兼ねている。
[0011] IGBT領域20内の半導体基板12内には、エミッタ領域22、ボディ領域24、IGBTドリフト領域26、IGBTバッファ領域28及びコレクタ領域30が形成されている。
[0012] エミッタ領域22は、n型領域であり、半導体基板12の上面に露出する範囲に形成されている。エミッタ領域22は、上部電極14に対してオーミック接続されている。
[0013] ボディ領域24は、p型領域であり、エミッタ領域22に接している。ボディ領域24は、半導体基板12の上面に露出する範囲に形成されている。ボディ領域24は、エミッタ領域22の側方からエミッタ領域22の下側まで伸びている。ボディ領域24は、ボディコンタクト領域24aと、低濃度ボディ領域24bを有している。ボディコンタクト領域24aは、高いp型不純物濃度を有している。ボディコンタクト領域24aは、半導体基板12の上面に露出する範囲に形成されており、上部電極14に対してオーミック接続されている。低濃度ボディ領域24bは、ボディコンタクト領域24aよりも低いp型不純物濃度を有している。低濃度ボディ領域24bは、エミッタ領域22とボディコンタクト領域24aの下側に形成されている。
※コメント投稿者のブログIDはブログ作成者のみに通知されます