１．Aの一端側のB上に部材が設けられている。
The member is provided on B of A on (one end; the side of one end; one end side; a one end side; the one end side; a side of one end) thereof.
The member is provided on B on (one end; the side of one end; one end side; a one end side; the one end side; a side of one end) of A.
２．Aの長さ方向における一端側のB上に部材が設けられている。
on B on one end side of A in length direction thereof
on B on one end side in length direction of A
on B on one end side, in length direction, of A
US9741692(INTEL CORP [US])
[0021] As shown in FIG. 6, the mold material 172 may be cured, either fully or partially, such as by heating,
【００１５】
図６に示されるように、例えば加熱等することによって、成形材料１７２を、完全に又は部分的に硬化させることができ、
and the mold chase 150 (see FIG. 5) may be removed
金型チェイス１５０（図５参照）を取り外して、
to form at least one interconnection via 174 extending from a top surface 178 of the mold material to a respective microelectronic substrate interconnection bond pad 124 .
成形材料の上面１７８からマイクロ電子基板のそれぞれの相互接続ボンドパッド１２４に延びるような少なくとも１つの相互接続ビア１７４を形成することができる。
As shown in FIG. 7, the interconnection vias 174 (see FIG. 6) may be filled with a conductive material
図７に示されるように、相互接続ビア１７４（図６参照）を導電性材料で充填して、
to form through-mold interconnections 176 , and thereby forming a first microelectronic package 180 .
モールド貫通配線１７６を形成することができ、これによって、第１のマイクロ電子パッケージ１８０を形成することができる。
US9577001(AMS AG [AT])
[0010] US 2012/0056291 A1 discloses an imaging device comprising a substrate, a photodetecting portion, a circuit portion and a through interconnect. The construction includes a lens.
【００１１】
特許文献７には、基板、光検知部、回路部、及び貫通配線を備えた撮像デバイスが開示されている。このような構成にはレンズが含まれる。
[0011] US 2009/0256216 A1 discloses a wafer level chip scale package die substrate containing electronic circuits.
【００１２】
特許文献８には、電子回路を含むウエーハレベルチップサイズパッケージのチップ基板が開示されている。
Through-silicon vias through the substrate connect the electronic circuits to the bottom surface of the substrate.
基板を貫通するシリコン貫通ビアにより、電子回路と基板底面とが接続される。
A package sensor is coupled to the substrate for sensing an environmental parameter.
環境パラメータを検出するための組込式センサが基板に組み付けられている。
A protective encapsulant layer covers the top surface of the substrate except for a sensor aperture that is located above the package sensor.
組込式センサの上方に設けられたセンサ開口の部分を除き、基板の上面が保護用封止材層で覆われる。
US9502371(KULICKE & SOFFA IND INC [US])
[0019] Wire interconnect structures formed in accordance with the present invention
【００１７】
本発明によって形成されるワイヤ配線構造は、
may be used, for example,
as contact structures in probe cards, as interconnects between die in stacked die applications,
中でも例えば、プローブカードの接点構造として、積層されたダイの用途でのダイの間の配線として、
as interconnects in flip chip applications, as interconnects in through silicon via or through mold via applications,
フリップチップ用途での配線として、Ｓｉ貫通電極（ｔｈｒｏｕｇｈ ｓｉｌｉｃｏｎ ｖｉａ）用途、またはモー
ルド貫通配線（ｔｈｒｏｕｇｈ ｍｏｌｄ ｖｉａ）用途での配線として、
as interconnects between packages in POP (package on package) applications, amongst others.
パッケージオンパッケージ（ｐａｃｋａｇｅ ｏｎ ｐａｃｋａｇｅ：ＰＯＰ）用途でのパッケージ間の配線として、
使用されてもよい。
EP2769455(WITRICITY CORP [US])
[00242] In panels with integrated resonators the panels may not require any holes, feedthroughs, wiring, or connectors.
【０１８７】
一体化された共振器を備えるパネルでは、パネルは、孔、貫通配線、またはコネクタのいずれも必要としない。
Electronics that control the PV panel and the resonators may all be integrated into the panel.
ＰＶパネルおよび共振器を制御する電子素子は、すべてパネル内に組み込んでもよい。
US8119542(ALCHIMER [FR])
The essential application of the invention is in the field of microelectronics for the metallization, particularly with copper, of vias
【０００２】
本発明は、マイクロエレクトロニクス分野におけるビア
(called through-silicon vias or through-wafer vias or through-wafer interconnects),
（シリコン貫通ビア、ウェハ貫通ビア、ウェハ貫通配線とも呼ばれる）の金属化（メタライゼーション）、特に銅による金属化に主に有用である。
the keystone for the three-dimensional (3D) integration, or vertical integration, of electronic chips (or dies).
ビアは、電子チップ（又は電子ダイ）の３次元（３Ｄ）集積又は垂直集積の要となるものである。
US11321089(INTEL CORP [US])
[0185] Format Field 1240 (EVEX Byte 0 , bits [ 7 : 0 ])—the first byte (EVEX Byte 0 )
【０１３０】
フォーマットフィールド１２４０（ＥＶＥＸバイト０、ビット［７：０］）－第１のバイト（ＥＶＥＸバイト０）は、
is the format field 1240 and it contains 0x62 (the unique value used for distinguishing the vector friendly instruction format in one embodiment of the disclosure).
フォーマットフィールド１２４０であり、０ｘ６２（本開示の一実施形態においてベクトル向け命令フォーマットを区別するために用いられる固有値）を含む。
US10929132(INTEL CORP [US])
[0065] Format field 840 —a specific value (an instruction format identifier value) in this field
【００６４】
フォーマットフィールド８４０－このフィールド内の固有値（命令フォーマット識別子の値）は、
uniquely identifies the vector friendly instruction format, and thus occurrences of instructions in the vector friendly instruction format in instruction streams.
ベクトル向け命令フォーマットを、したがって、命令ストリームのベクトル向け命令フォーマット内の命令の出現を一意に識別する。
As such, this field is optional in the sense that it is not needed for an instruction set that has only the generic vector friendly instruction format.
このように、このフィールドは、汎用ベクトル向け命令フォーマットのみを有する命令セットに必要ではないという意味では、任意選択的である。
US11494466(GOOGLE LLC [US])
[0035] Many hybrid quantum-classical algorithms include one or more operator averaging steps
【００３４】
多くのハイブリッド量子-古典アルゴリズムは、1つまたは複数の演算子平均化ステップを含み、
where the expectation value of an operator corresponding to a quantum mechanical observable is estimated by repeated state preparation and measurement to aggregate probabilities of computational basis states.
ここで、量子力学的オブザーバブルに対応する演算子の期待値は、計算基底状態の確率をアグリゲートするために、反復された状態準備および測定によって推定される。
For example, the variational quantum eigensolver (VQE)
たとえば、変分量子固有値ソルバー(VQE:variational quantum eigensolver)は、
is a quantum-classical algorithm that may be used in quantum simulations to estimate energies, e.g., a ground state energy, of a quantum system.
量子システムのエネルギー、たとえば、基底状態エネルギーを推定するために量子シミュレーションにおいて使用され得る量子-古典アルゴリズムである。
US10477321(GOOGLE LLC [US])
where ξ is between 0 and 1, a tends towards +/−1, and λ is an eigenvalue multiplier of odd multiples of π/2 (e.g., 3π/2, 5π/2, etc.) depending on the mode number (corresponding to a different mode shape).
【０１０５】
式中、ξは０と１との間であり、σは＋／－１に向かう傾向があり、λは（異なるモード形状に対応する）モード番号に依存するπ／２の奇数倍の固有値乗数（たとえば、３π／２、５π／２など）である。
The equation is adapted from Formulas for Natural Frequency and Mode Shape by Robert D. Blevins (ISBN: 9781575241845), p. 108.
この式は、Robert D. BlevinsによるFormulas for Natural Frequency and Mode Shape, p.108から抜粋されている。
US11524463(PALO ALTO RES CT INC [US])
[0054] Embodiments described herein involve generating a random surface using a linear combination of six basis functions,
【００３６】
本明細書に記載される実施形態は、６つの基底関数の一次結合を使用してランダム表面を生成することを含み、
where each basis function is an eigenfunction of the (2D) Laplace operator in a square domain with homogeneous Dirichlet boundary conditions, and the linear coefficients are random values.
各基底関数は、均質なディリクレ境界条件を伴う正方形領域における（２Ｄ）ラプラス演算子の固有関数であり、線形係数はランダム値である。
The Laplacian eigenfunctions in this simple case are trigonometric function of two variables.
この単純な例におけるラプラス固有値は、２変数の三角関数である。
FIG. 10 shows the first four 1010, 1020, 1030, 1040 Laplacian eigenfunctions on a square domain with homogeneous Dirichlet boundary conditions visualized as a surface in 3d.
図１０は、三次元における表面として可視化された、均質なディリクレ境界条件を伴う正方形領域上の最初の４つのラプラシアン固有関数１０１０、１０２０、１０３０、１０４０を示す。
Weighted sums of the eigenfunctions are represented as surfaces embedded in R 3 .
固有値の加重和は、Ｒ３に埋め込まれた表面として表現される。
Many other approaches to generate random curved surfaces are possible.
ランダムな湾曲した表面を生成するための多数の他のアプローチも考えられる。
US10367677(ERICSSON TELEFON AB L M [SE])
[1344] The out of band radiation and its spatial properties have been studied. In a LoS channel, the gain-curve of out of band radiation follows that of the in-band, but with some attenuation.
[0824] 帯域外放射およびその空間プロパティが研究された。ＬｏＳチャネルでは、帯域外放射の利得曲線は、帯域内の利得曲線に追従するが、何らかの減衰がある。
Thus, the worst case of out of band interference radiated may be found at the intended user rather than a potential victim user.
したがって、放射される帯域外干渉のワーストケースは、潜在的ビクティムユーザではなく、意図されたユーザにおいて見つけられ得る。
For MU-MIMO over a NLoS channel (IID Rayleigh), the eigenvalue distribution of the transmit covariance matrix was studied in order to understand the spatial behavior of the out of band radiation.
ＮＬｏＳチャネル（ＩＩＤレイリー）上のＭＵ−ＭＩＭＯについて、送信共分散行列の固有値分布が、帯域外放射の空間挙動を理解するために研究された。
It was seen that for the multi-user case (10 UEs), the distribution of the power in the adjacent channel is spread in an omnidirectional fashion.
マルチユーザの場合（１０個のＵＥ）、隣接するチャネル中の電力の分配が全方向的に拡散されることが見られた。
For the single-user case, however, the radiation is beamformed toward the intended user.
しかしながら、シングルユーザの場合、放射は、意図されたユーザのほうへビームフォーミングされる。
