WO2014158384
"14. The alloy of claim 1, wherein a grain or silicon refining element is added."
結晶粒またはシリコンの微細化元素が添加されていることを特徴とする請求項１に記載の合金。
WO2004050961
"17. The PEC cell as in claim 15, wherein the metal oxide TCCR layer is doped with at least on other element, including F, Cl and mixtures thereof, to increase resistance to corrosion."
金属酸化物のTCCR層が、腐食に対する抵抗力を高めるため、F、Cl、およびこれらの混合物を含めて、少なくとも一つの他元素が添加されている請求項１５に記載の光電気化学電池。
US2016051451
"9. Use according to claim 1, wherein a fluorescence additive is added to said glass or glass ceramics to produce a fluorescence effect emulating nature, preferably selected from cations of rare-earth elements, particularly preferably from Er<3+>, Eu<3+>, Tb<3+>, Pr<3+>, and Gd<3+>."
前記ガラス又はガラスセラミックスに、天然のものに類似の蛍光効果を付与するために、好ましくは希土類元素の陽イオンは、特に好ましくは、Ｅｒ3+、Ｅｕ3+、Ｔｂ3+、Ｐｒ3+及びＧｄ3+より選択される蛍光剤が添加されている請求項７に記載の使用。
WO2007035250
"53. The composition of claim 45, wherein aluminum is added to a melt phase process before the It.V. of the polyester polymer reached 0.3 dL/g."
ポリエステルポリマーのＩｔ．Ｖ．が０．３ｄＬ／ｇに到達する前にアルミニウムが溶融相プロセスに添加されている、請求項４５に記載の組成物。
WO2006040772
"27. The method as defined in claim 26, in which a photoinitiator is added to the solution to accelerate the hardening. "
前記硬化反応を促進するために溶液に光開始剤が添加されている請求項２６記載の製造方法。
US8951447(JP)
(Ab)
"The optically pumped semiconductor according to the present invention is an optically pumped semiconductor that is a semiconductor of a perovskite oxide. The optically pumped semiconductor has a composition represented by a general formula: BaZr1-xMxO3-[alpha], where M denotes at least one element selected from trivalent elements, x denotes a numerical value more than 0 but less than 0.8, and [alpha] denotes an amount of oxygen deficiency that is a numerical value more than 0 but less than 1.5. The optically pumped semiconductor has a crystal system of a cubic, tetragonal, or orthorhombic crystal. When lattice constants of the crystal system are referred to as a, b, and c, provided that a!<=b!<=c, conditions that 0.41727 nm!<=a, b, c!<=0.42716 nm and a/c>=0.98 are satisfied."
本発明の光励起半導体は、ペロブスカイト型酸化物の半導体であって、一般式：ＢａＺｒ1-xＭxＯ3-α（式中、Ｍは３価の元素から選択される少なくとも１種の元素であり、ｘは０よりも大きく０．８未満の数値であり、αは酸素欠損量で、０よりも大きく１．５未満の数値である。）で表される組成を有し、結晶系が立方晶、正方晶又は斜方晶であり、前記結晶系の格子定数をａ，ｂ，ｃ（ただし、ａ≦ｂ≦ｃ）としたとき、０．４１７２７ｎｍ≦ａ，ｂ，ｃ≦０．４２７１６ｎｍ、ａ／ｃ≧０．９８の条件を満たす。
US2019048466
"26. The method according to claim 15,
wherein the phosphor is a phosphor having the general formula:
Sr(SraM1−a)Si2Al2(N,X)6:D, A, B, E, G, L,
wherein M is selected from the group consisting of Ca, Ba, Mg alone and a combination thereof,
wherein D is one, two or more elements from the group consisting of Mn, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Tb, Dy, Ho, Er, Li, Na, K, Rb, Cs, Tm and Yb,
wherein A is selected from divalent metals which are different from M and D,
wherein B=trivalent metals,
wherein E=monovalent metals,
wherein G=tetravalent elements,
wherein L=trivalent elements, and
wherein X=O or halogen and 0.6≤a<1."
前記蛍光体が、下記一般式を有する蛍光体である、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の方法。
Ｓｒ（ＳｒａＭ１−ａ）Ｓｉ２Ａｌ２（Ｎ，Ｘ）６：Ｄ，Ａ，Ｂ，Ｅ，Ｇ，Ｌ
［式中、Ｍは、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ単独、または組合せから選択され、
Ｄは、Ｍｎ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｔｍ、Ｙｂの群から選ばれる１つ、２つ、またはそれ以上の元素であり、
Ａは、ＭおよびＤとは異なる２価の金属から選択され、
Ｂ＝３価の金属であり、
Ｅ＝１価の金属であり、
Ｇ＝４価の元素であり、
Ｌ＝３価の元素であり、
Ｘ＝Ｏまたはハロゲンであり、０．６≦ａ＜１である。］
US7598394
and the rings formed may be totally unsaturated, partially unsaturated, or totally saturated provided that a ring carbon has no more than 4 valences, nitrogen no more than three and O and S have no more than two.
形成された環は、完全不飽和、部分的不飽和、または完全飽和であってよい(ただし、環炭素は４価以下であり、窒素は３価以下であり、ＯおよびＳは２価以下である)]。
US2016096488
"FIG. 3 is a photograph showing an m-plane AlN crystal（＊単数） grown using only isothermal controls, according to one embodiment. "
図３は、一実施形態による、等温線制御のみを使用して成長させたｍ面ＡｌＮ結晶を示す写真である。
"[0050] It has been now shown that spontaneously nucleated AlN crystals follow a sequence of natural volumetric growth as shown in FIG. 2. AlN grows from needles (where the dominate growth is normal to the c-plane leading to long crystals with high aspect ratios) to a thicker 3-D near symmetric bulk (where growth normal to the c-plane has been slowed and growth in the m-plane is increased to a point where the they are nearly equal), and finally to thin symmetric platelets where the growth is greater normal to the m-plane then normal to the c-plane as seen in SiC, as disclosed in U.S. patent application Ser. No. 14/477,431, entitled “Bulk Diffusion Crystal Growth Process,” by Schmitt et. al., filed on Sep. 4, 2014. This evolution progresses with increasing growth temperatures up to and over 2400 C. The growth habits of AlN have been observed for sublimation growth regime and at lower temperature, below 2000° C. or so, the growth rate is higher perpendicular to the c-plane. This leads to what is called needle growth 201. With increases in temperature, to above around 2100° C., the growth rate of the perpendicular and parallel directions (c-plane and m-plane) evens out and the growth becomes more of a symmetric 3-D shape 202. As the temperature is raised to over 2370° C. the growth parallel to the c-plane begins to overcome the growth rate of the perpendicular growth. At temperature above 2400° C., very flat AlN platelets 203 can be made, as growth perpendicular to the c-plane is slowed as the temperature is increased. "
ここで、自発的に核生成するＡｌＮ結晶は、図２に示されるような自然体積成長のシーケンスに従うことが示されている。２０１４年９月４日出願のＳｃｈｍｉｔｔらによる米国特許出願第１４／４７７，４３１号、名称「Ｂｕｌｋ Ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｇｒｏｗｔｈ Ｐｒｏｃｅｓｓ」において開示されているように、ＡｌＮは、針状物（優位な成長がｃ面に直交する方向であり、高いアスペクト比を有する長い結晶をもたらす）から、より厚い３Ｄのほぼ対称性のバルク（ｃ面に直交する方向の成長が抑えられており、ｍ面における成長が、それらがほぼ等しくなる点まで増加する）まで成長し、最終的には、ＳｉＣにおいて観察されるように、成長がｍ面に直交する方向でより大きく、次いでｃ面に直交する方向でより大きい薄い対称性板状晶まで成長する。この発達は、２４００℃まで、およびそれを超える成長温度の増加と共に進行する。ＡｌＮの成長傾向は、昇華成長様式について観察されており、約２０００℃未満のより低い温度では、成長速度は、ｃ面に垂直な方向でより高い。これは、針状物成長２０１と呼ばれるものをもたらす。約２１００℃を超える温度の増加と共に、垂直および平行な方向（ｃ面およびｍ面
）の成長速度は一様となり、成長は、より対称性の３Ｄ形状２０２となる。温度が２３７０℃を超えて上昇されると、ｃ面に平行な成長が、垂直成長の成長速度を超過し始める。２４００℃を超える温度では、ｃ面に垂直な成長が温度の増加と共に抑えられるため、非常に平坦なＡｌＮ板状晶２０３が作製され得る。
"[0083] As shown in FIGS. 9 and 10, the packed crucible 60 now contains a depleted and crystallized AlN body 905 having a smaller wall thickness 412 as compared to the AlN charge body 601 prior to heating. The depleted and crystallized AlN body 905 also includes AlN crystals 903, freely nucleated on the internal surface 411 of the depleted body 905. By way of example and not limitation, approximately 1 to 500 crystals 903, as shown in FIG. 10, may be are produced simultaneously. The produced crystals 903 range in size from 1-30 mm in diameter. In other embodiments, larger and/or smaller crystals may be produced by varying the composition and packing density of the charge body 601, by varying the concentration of chemical driving agents and by varying the operation of the reactor 60. "
図９および１０に示されるように、ここで詰め込まれたるつぼ６０は、加熱前のＡｌＮ装填体６０１と比較してより小さい壁厚４１２を有する、枯渇および結晶化したＡｌＮ体９０５を含有する。枯渇および結晶化したＡｌＮ体９０５はまた、枯渇したＡｌＮ体９０５の内部表面４１１上に自由に核生成したＡｌＮ結晶９０３を含む。限定ではなく例示として、図１０に示されるように、約１個から５００個の結晶９０３が、同時に生成され得る。生成された結晶９０３は、直径１〜３０ｍｍの範囲のサイズである。他の実施形態では、装填体６０１の組成および詰込み密度を変更することにより、化学的駆動剤の濃度を変更することにより、ならびに反応器６０の動作を変更することにより、より大きい、および／またはより小さい結晶が生成され得る。
US2013230722(JP)
"7. The conductive thin film according to claim 1, wherein the intercalation film has a plane and includes an atomic layer having a crystal lattice that has three-fold symmetry or six-fold symmetry in the plane of the intercalation film."
前記挿入膜をなす原子層の結晶格子が、前記挿入膜の面内において３回対称または６回対称の対称性を有する
請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の導電性薄膜。
US2016076731
"[0029] A regular lattice can be constructed by periodic repetition of the unit cell in the three spatial directions and therefore only has 2-fold, 3-fold, 4-fold and 6-fold symmetries. However, a double unit cell (or unit cell of higher order) can also be repeated in a non-periodic manner and denotes a quasi-crystalline lattice within the meaning of this application. An example is, for example, a so-called Penrose lattice. "
規則的な格子は、ユニットセルを空間内の３方向に周期的に反復させることによって構築することができる。したがって、２回対称、３回対称、４回対称、および６回対称のみを有する。しかしながら、ダブルユニットセル（または高次のユニットセル）を非周期的に反復させることもでき、本出願の意味においては準結晶格子を表す。一例としては、例えばいわゆるペンローズ格子が挙げられる。
WO2009061685
"As an example, a cylindrical battery configuration is shown in FIG. 1. A cylindrical case 10 made of stainless steel has, at the bottom thereof, an insulating body 12. An assembly 14 of electrodes is housed in the cylindrical case 10 such that a strip-like laminate body, comprising a positive electrode 16, a separator 18, and a negative electrode 20 stacked in this order, is spirally wound with a separator being disposed at the outermost side of the electrode assembly 14. The cylindrical case 10 is filled with an electrolyte. "
例として、円筒形電池構造を図１に示す。ステンレス鋼製の円筒ケース１０は、底部にて絶縁体１２を有する。電極の構造体１４は、正極１６、セパレータ１８および負極２０をこの順に積層した帯状の積層体をらせん状に巻いてセパレータが電極構造体１４の最外周に来るようにして、円筒ケース１０に収容される。円筒ケース１０は、電解質で満たされる。
US2019067735(JP, Murata)
"FIG. 1 is a cross-sectional view of a lithium ion secondary battery 100 according to an embodiment of the present invention. As shown, the lithium ion secondary battery 100 has a structure in which a stack 10 and a nonaqueous electrolyte 14 are housed in a laminate case 20. The stack 10 is formed by alternately stacking a plurality of positive electrodes 11 and negative electrodes 12 with separators 13 interposed between the positive electrodes and the negative electrodes. "
図１は、本発明の一実施の形態におけるリチウムイオン二次電池１００の断面図である
。このリチウムイオン二次電池１００は、正極１１と負極１２がセパレータ１３を介して交互に複数積層されることによって形成されている積層体１０と、非水電解質１４とがラミネートケース２０内に収容された構造を有している。
WO3474355(JP, Nissan)
"[0264] The negative electrode thus fabricated and the counter electrode Li were allowed to face each other, and a separator (polyolefin, film thickness: 20 µm) was disposed therebetween. Subsequently, the stacked body of the negative electrode, the separator, and the counter electrode Li was disposed on the bottom side of a coin cell (CR 2032, material: stainless steel (SUS 316)). Furthermore, a gasket was fitted to the coin cell to maintain the insulation property between the positive electrode and the negative electrode, the following electrolytic solution was injected into the coin cell by using a syringe, a spring and a spacer were stacked thereon, the upper side of the coin cell was superimposed thereon, and caulking was performed to hermetically seal the coin cell, thereby obtaining a lithium ion secondary battery (coin cell). "
上記で作製した負極と対極Ｌｉとを対向させ、この間にセパレータ（ポリオレフィン、膜厚２０μｍ）を配置した。次いで、負極、セパレータ、および対極Ｌｉの積層体をコインセル（ＣＲ２０３２、材質：ステンレス鋼（ＳＵＳ３１６））の底部側に配置した。さらに、正極と負極との間の絶縁性を保つためガスケットを装着し、下記電解液をシリンジにより注入し、スプリングおよびスペーサを積層し、コインセルの上部側を重ねあわせ、かしこめることにより密閉して、リチウムイオン二次電池（コインセル）を得た。
US2019131623(JP, Hitachi Kasei)
"[0152] As illustrated in FIG. 1, the electrode assembly was housed in a battery outer package formed from a laminate film made of aluminum. An electrolytic solution was injected into the battery outer package, and the opening of the battery container was then sealed such that the positive electrode collector tab and the negative electrode collector tab extended to the exterior, to thereby produce a lithium-ion secondary battery. Here, the laminate film made of aluminum is a laminated body of polyethylene terephthalate (PET) film/aluminum foil/sealant layer (polypropylene or the like). "
上記電極群を、図１に示すように、アルミニウム製のラミネートフィルムで構成された電池外装体内に収容させるとともに、この電池外装体内に、電解液を注入後、上記の正極集電タブと負極集電タブとを外部に取り出すようにして電池容器の開口部を封口させて、リチウムイオン二次電池を作製した。なお、アルミニウム製のラミネートフィルムは、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム／アルミニウム箔／シーラント層（ポリプロピレン等）の積層体である
EP3432406(JP, NEC)
"[0117] Five positive electrode sheets and six negative electrode sheets thus prepared were alternately laminated with a separator made of a porous polyethylene film having a thickness of 25 µm interposed between each adjacent two electrode sheets. An extraction electrode for a positive electrode and an extraction electrode for a negative electrode were provided, and then the laminate was covered with a laminate film, into which an electrolytic solution was injected from the unfused opening. "
これらの正極シート５枚と負極シート６枚とを、厚さ２５μｍの多孔性ポリエチレンフィルムからなるセパレータを介して交互に積層した。正極用の引き出し電極、負極用の引き出し電極を設けた後、この積層体をラミネートフィルムで包み、融着していない開口部から電解液を注入した。
US10262960(JP)
(Ab)
"In a semiconductor element of the present invention, an electroless nickel-phosphorus plating layer and an electroless gold plating layer are formed on both a front-side electrode and a back-side electrode of a front-back conduction-type substrate. The front-side electrode and the back-side electrode are formed of aluminum or an aluminum alloy. The proportion of the thickness of the electroless nickel-phosphorus plating layer formed on the front-side electrode with respect to the thickness of the electroless nickel-phosphorus plating layer formed on the back-side electrode is in a range of 1.0 to 3.5. The semiconductor element of the present invention allows the occurrence of voids inside solder during mounting by soldering to be prevented."
本発明の半導体素子１は、表裏導通型基板２の表側電極３ａ及び裏側電極３ｂ上に無電解ニッケルリンめっき層４及び無電解金めっき層５が形成されている。表側電極３ａ及び裏側電極３ｂは、アルミニウム又はアルミニウム合金から形成されている。また、裏側電極３ｂ上に形成された無電解ニッケルリンめっき層４の厚さに対する表側電極３ａ上に形成された無電解ニッケルリンめっき層４の厚さの割合は、１．０以上３．５以下である。本発明の半導体素子１は、半田付けによって実装する際に、半田内部に空孔が発生することを防止することができる。
US10276515(JP)
"The multilayer wiring substrate 100 includes a core base material 22 and a multilayer structure in which a plurality of conductor layers 25 are stacked on both surfaces of the core base material 22 interposed by an insulating layer 24. The core base material 22 includes a plurality of front and rear conductive members 23 which pass through the core base material 22, a conductor layer 23a electrically connected with a certain front and rear conductive member 23 on the front surface (in the illustrated example, the surface on which the mounting component 11 is mounted) of the core base material 22, and a conductor layer 23a′ electrically connected to a certain front and rear conducting member 23 on the rear surface of the core base material 22. Such a core base material may be an electrically insulating material such as glass or polyamide resin or the like. "
多層配線基板１００は、コア基材２２と、このコア基材２２の両面に複数の導体層２５が絶縁層２４を介して積層した多層構造を有している。コア基材２２は、このコア基材２２を貫通する複数の表裏導通部材２３と、コア基材２２の表面（図示例では、実装部品１１が実装されている面側）において所定の表裏導通部材２３と電気的に接続している導体層２３ａ、コア基材２２の裏面において所定の表裏導通部材２３と電気的に接続している導体層２３ａ′を有している。このようなコア基材は、例えば、ガラス、ポリアミド樹脂等の電気絶縁性材料であってよい。
US10190557
(Ab)
"A cup is in a bottomed tubular shape to receive an injector along an injector axis. A bracket is extended from a sidewall of the cup. The bracket includes at least one arm and a body. The at least one arm connects the body with the cup. The body forms a screw opening configured to receive a screw along a screw axis. The body has a pivot end on an opposite side of the screw axis from the injector axis."
カップ（４０）は、インジェクタ軸（１１０ａｘ）に沿ってインジェクタ（１１０）を受け入れるように、有底筒状をなしている。ブラケット（５０）が、カップ（４０）の側壁（４２）から延設される。ブラケット（５０）は、少なくとも１つの腕部（７０）と１つの本体部（６０）とを含んでいる。少なくとも１つの腕部（７０）は、本体部（６０）をカップ（４０）に接続する。本体部（６０）は、ねじ軸（１６０ａｘ）に沿ってねじ（１６０）を受け入れるように構成されたねじ込み開口を形作る。本体部（６０）は、ねじ軸（１６０ａｘ）の、インジェクタ軸（１１０ａｘ）とは反対側に、ピボット端（６４）を有する。
US2017003174
(Ab)
"A temperature sensor including a mineral-insulated supply line, a bottomed metal tube and a temperature sensing element secured in a support structure. An open end part of the bottomed metal tube is connected mechanically to the mineral-insulated supply line. A wire connection mechanically and electrically couples the temperature sensing element to the mineral-insulated supply line. The support structure is moveable in axial direction of the bottomed metal tube in a bottom end part of the bottomed metal tube."
温度センサ（１００）が開示される。センサは、鉱物絶縁供給ライン１０８と、有底金属チューブ１０２と、支持構造１０６に固定される温度検出要素と、を備える。有底金属チューブの開端部１０２Ｂは、鉱物絶縁供給ラインに機械的に接続される。結線は、温度検出要素を鉱物絶縁供給ラインに機械的および電気的に結合する。支持構造は、有底金属チューブの底端部１０２Ａで有底金属チューブの軸方向に永久的に移動可能である。
WO2013165911
(Ab)
"An articulated sample rack apparatus is disclosed. In one aspect, the articulated sample rack apparatus has a plurality of coupled rack components wherein at least some of the rack components have a receptacle having a bottom to receive a sample container, the rack having free ends and at least one hinge allowing articulation between at least some of the rack components. Conveyor systems and methods to convey sample racks are provided, as are other aspects."
関節連結式試料ラック装置が開示される。一態様において、関節連結式試料ラック装置は、連結した複数のラック部材を有し、このラック部材の少なくとも一部が、試料容器を受け入れる有底の受容部を有する。当該ラックは、両自由端と、ラック部材の少なくとも一部を関節連結する１以上のヒンジ部とを有する。他の態様として、試料ラックを搬送するコンベヤシステムと方法が提供される。
