来月、受電する大垣電機(VT.LA内蔵PAS)の交流耐圧試験を実施する。
方向性SOG制御装置試験。
10,350V.10分間印加時の二次側充電電流は4mA流れた。
Igr(対地抵抗分電流)は無視出来る位に少ない、Ic(対地静電容量成分電流)だけの電流なので静電容量は0.00124μFで4mAとなる。(VT.LA内蔵PAS)なのでVT.ZPDの静電容量を介して漏れている事になり、位相角は89.98で90°となる。
方向性SOG制御装置試験。
10,350V.10分間印加時の二次側充電電流は4mA流れた。
Igr(対地抵抗分電流)は無視出来る位に少ない、Ic(対地静電容量成分電流)だけの電流なので静電容量は0.00124μFで4mAとなる。(VT.LA内蔵PAS)なのでVT.ZPDの静電容量を介して漏れている事になり、位相角は89.98で90°となる。
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