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半導体露光装置のどんでん返し~番外編その2「ナノインプリント」~

2016年08月19日 | 会社

2016年8月16日の「半導体露光装置のどんでん返し~番外編その1「リープル」~」の続きです。~番外編その1「リープル」~を読まれた方は、おおよそ結論が見えていると思います。

 

2016年5月26日のブログ「半導体露光装置のどんでん返し―その3 次世代のEUVは悪戦苦闘中―」に書いたように、(新聞を読む限り)キヤノンはEUVをあきらめて、「ナノインプリント」という技術に注力しているようです。

 

「ナノインプリント」は、2014年に買収したアメリカ・テキサス州のベンチャー「モレキュラー・インプリント」の技術で、マスク(原版)をウェハに押し付けてパターンを転写する(別の記事ではマスクの後ろから紫外線で等倍露光するとも書いてあり、実際のプロセスは不明)半導体製造装置で、東芝と共同で開発していると新聞に出ていました。

(「ナノインプリント」は、日経新聞や日経産業新聞の記事によって、書いてある内容が微妙に異なる。趣味で書いているブログと違って有料の記事なのでしっかり取材してほしい)

 

「ナノインプリント」技術の詳細はわかりませんが、「等倍マスク」という言葉から、十数年前の「LEEPL リープル」を連想します。等倍のマスクの量産技術は「LEEPL リープル」以上に難しいように思えます。2000年初頭の半導体の配線幅は100ナノ㍍、今は10ナノ㍍(新聞記事によると「ナノインプリント」は10ナノ㍍ができると書いてある)なので、等倍マスクを製造する困難は増していると思います。

 

キヤノンは、元社員の提案した技術には「等倍マスクには欠陥がある」と判断したのに、アメリカのベンチャーの技術では「等倍マスク」に欠陥が無いと判断したのでしょうか?

あれから十数年経ったので、「等倍マスク」を作る技術も進歩していると言えばそうなのでしょうが・・・

 

一方のニコンが、EUVなのか、何か隠し玉があるのか、さっぱりわからない中で、当面のキヤノンの方向はハッキリしていますが・・・

 

新聞によると「ナノインプリント」の出荷は当初の計画より遅れていますが、今年に出荷と新聞に出ていたので、あと1年くらいたつと、その結果がわかると思います。

 

番外編はこれでお終い。

2016.08.19

 

補足はこちら

 


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1 コメント

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Unknown (Unknown)
2017-09-03 20:17:40
ナノインプリントは最先端の半導体製造でこそチャレンジャーの1人に過ぎませんが、光学部品の製造などでは結構前から実用化されてますよ。
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