・V1は電源トランスのタップの1.3倍程度。
・R2は高抵抗にすると電流が少なくC2も小容量で済む。抵抗の最高使用電圧は
300V～350Vが多く2個直列にするのが良い。高抵抗は種類が少ない。
・C2の漏れ電流が多い場合、+Bが低めに出る。
・V2は+BよりFETのVT分電圧が高くなる。一般的には3V～4V。
・R1は電圧の立ち上がりで発熱するので1/2W程度が必要。
・R1の値はV2をR2で割って電流を算出、V1-V2をその電流で割れば求まる。
・V1と+Bの電位差が大きいと立ち上がりもゆっくりになる。
・R3は発振止めで1KΩ～3.3KΩ。
・C3は+Bのインピーダンスが高域で上昇するのを防ぐためで小容量で良い。
・V1と+Bの電位差に回路に流れる電流をかければFETの発熱量が求まる。
・D5は立ち上がりでトランスのタップの1.4倍の電圧がかかるので、高耐圧
でなければならない。
ご参考https://onnyo01.hatenablog.com/entry//201404/article_11.html
