半導体の熱設計って、どのくらいディレーティングを取ればいいのか
わからない。
半導体のジャンクション温度Tjやチャネル温度Tchは最高150℃が規定
されているから、そこから逆算すればヒートシンクの熱抵抗より半導
体の発熱量の最大値が決まってくる。でもそれで設計してはいけない。
必ず余裕が必要だということ。
TO-220のFETやトランジスタだったら、発熱量が何ワットなら例えば
ヒートシンクにこれを使っておけばいいですよ、なんて示してある
Webって無いかなあ? あ、自然空冷という前提でね。
こういうことを経験的にわかっている人は多いんだろうけど、実際に
何かで見たり聞いたりしたことが無いんだよね。
大体でいいからさ、そういうのを示してくれないかな?
わからない。
半導体のジャンクション温度Tjやチャネル温度Tchは最高150℃が規定
されているから、そこから逆算すればヒートシンクの熱抵抗より半導
体の発熱量の最大値が決まってくる。でもそれで設計してはいけない。
必ず余裕が必要だということ。
TO-220のFETやトランジスタだったら、発熱量が何ワットなら例えば
ヒートシンクにこれを使っておけばいいですよ、なんて示してある
Webって無いかなあ? あ、自然空冷という前提でね。
こういうことを経験的にわかっている人は多いんだろうけど、実際に
何かで見たり聞いたりしたことが無いんだよね。
大体でいいからさ、そういうのを示してくれないかな?