半導体露光装置メーカーが、フッ化アルゴン（ＡｒＦ）液浸露光装置の新型機開発に相次いで着手する。
チップ上の回路線幅３０ｎｍの次世代半導体製造に用いる。オランダのＡＳＭＬは、０８年末に新型機を投入するほか、ニコンとキャノンは０９年に量産対応機の市場投入を目指す。
●新型機投入 需要取り込む
半導体メーカーは、２０１０年ごろの量産を視野に同３０ｎｍ世代品の量産に乗り出す。露光装置各社は、この時期に新型機を投入し、需要を取り込んでいく。
ＡＳＭＬは、ＡｒＦ液浸露光装置の需要増加を見込み、０８年末に新型機を投入する。
新型機は、明るさを表すＮＡ（開口率）が１・３５。回路線幅を３２ｎｍまで微細化した次世代半導体製造には、露光を２回実施するダブルパターニング方法が有力視される。
このため、２回露光の重ね合わせ精度を向上するほか、一時間当たりの生産性を表すスループットを既存機種より約３０％増の１７５枚に高めたものを開発する。
ニコンは、ＡｒＦ露光装置「ＮＳＲ―Ｓ６１０Ｃ」の後継機として、０８年中に「６２０」の試作機を開発、０９年に量産対応機を市場投入する。回路線幅３２ｎｍ以降のダブルパターニングに対応する次世代半導体の製造機種となる。
キャノンは、今夏までにＮＡ１・３５で回路線幅４５ｎｍ世代以降を狙ったＡｒＦ液浸露光装置「ＦＰＡ―７０００ＡＳ７」を複数台受注、このほど出荷したばかり。回路線幅３２ｎｍに対応する新型機開発にも着手し、０９年の市場投入を目指す。
ＡｒＦ液浸露光装置は、投影レンズとウエハーの間を純水で満たし、空気中では難しいＮＡ１．０以上を実現する。
一台当たりの価格は４０億～４５億円するが、チップ上の回路線幅が４０ｎｍ世代まで微細化すると、ＡｒＦ液浸露光でなければ回路を形成できない。
●露光装置各社 争い激化
ＡＳＭＬは、０７年に１８７台の露光装置を出荷する予定で、そのうちＡｒＦ液浸露光装置は３５台で、全出荷台数に占める比率が約１９％にのぼる。０７年７―９月には、ＮＡ１．３５の「ＸＴ１９００ｉ」を市場投入。
ＡｒＦ液浸露光の出荷台数は０７年上期に１２台だったが、同年第３四半期には１２台にのぼり、受注ベースでは同機種のみで２２台の実績をつくった。
ニコンは現在、ＮＡ１．３の「ＮＳＲ―Ｓ６１０Ｃ」など２機種を販売しており、０６年度７台だったＡｒＦ液浸露光装置の出荷台数を３倍増となる２１台に増加、全出荷台数１８０台に占める比率を１２％に高める。
キャノンは全出荷台数１８１台に占める比率は低いが、今後、巻き返しを図る。
●微細化へ向かう半導体メーカー
半導体メーカーは、０７年から０９年に回路線幅４０ｎｍ世代の次世代半導体の生産に乗り出す。いずれもＡｒＦ液浸露光装置を用いる。
松下電器産業はＡＳＭＬ製で同４５ナノメートル品の量産を開始。ＮＥＣエレクトロニクスはＡＳＭＬ「１７００ｉ」を導入し、０８年度末をめどに同４０ｎｍ品の量産を始める。
ルネサステクノロジはニコン製を導入し、０８年に量産を始める。
エルピーダメモリは０９年に回路線幅を６５ｎｍから５０ｎｍに微細化したＤＲＡＭの量産に乗り出すが、その際にＡＳＭＬ製とキャノン製の導入を検討している。
【記事引用】 「asahi.com／2007年12月6日」
