半導体用ウエハーの直径４５０ｍｍへの大型化が先延ばしになりそうだ。
東芝は今秋にも決断すると見られていた４５０ｍｍ化に向けた開発を先送りする公算が大きくなった。これまで４５０ｍｍ化推進を表明していたサムスン電子も業績低迷で慎重な姿勢に転じたもよう。
２０１５年の量産に向けて動きだすはずだった大型投資の判断は１２年以降にずれ込む見通し。
●投資縮小に方向転換
半導体ウエハーの . . . 本文を読む
シリコンウエハーの直径を現在最大の300ｍｍから450ｍｍに大型化する動きが再び注目を集めている。
半導体受託製造（ファウンドリー）で世界最大手の台湾ＴＳＭＣが１月下旬、４５０ｍｍかウエハーを使った半導体製造の具体的な計画を世界で初めて表明したためだ。
ウエハーの大口径化は生産効率化につながるものの開発費負担が膨らむなどの理由から、装置業界の反対もあり、導入が進まなかったが、状況は . . . 本文を読む
次世代半導体向けに、フォトマスクなどの回路原版の開発競争が加速してきた。
凸版印刷は１７日、既存の露光技術を使い、回路線幅１４ｎｍに対応するフォトマスクを米ＩＢＭと共同開発すると発表した。同市場でしのぎを削る大日本印刷は、２２ｎｍの量産に対応できる新方式の原版技術を開発。
露光技術の進歩が滞る中、原版の工夫で１０ｎｍ台を早期に実現しようと競う。
●新原版技術の確立急ぐ
フォト . . . 本文を読む
半導体業界が、450mmウエハー導入で意見が割れている。
大手半導体メーカーが2012年の導入を目指して合意したのを機に、欧米の研究開発コンソーシアムが450mmウエハーの研究開発を本格化する。
その一方、ロジックICメーカーや半導体製造装置メーカーは、導入・開発に対して腰が引けている。「450mmウエハーは採算に合うのか」が問われている。
●製造装置メーカ 開発に消極的
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半導体業界が2012年の実用化を目指し、直径450mmウエハーの研究開発に乗り出す。
米国の研究開発コンソーシアムのISMI（テキサス州）に続き、欧州ではベルギーのIMEC（フランダース州）が2010年をめどにクリーンルームを拡張し、450mmウエハーの研究開発を本格化する見込み。
450mmウエハーは開発費と設備投資が巨額になるため、半導体、製造装置メーカーとも二の足を踏んでいる . . . 本文を読む
米インテルなど3社が2012年をめどに導入する方針を決めた直径450mmシリコンウエハーについて、日本の半導体メーカーの対応は二つに割れそうだ。
生産規模が競争力を左右するメモリーが主力の会社は追随を迫られる一方、多品種少量生産の演算用LSIを手掛ける会社が単独で450mm対応工場を建設する可能性は低い。
●生産委託加速
サムスン電子は450mmウェハーを世界シェア首位のNAN . . . 本文を読む
シリコンウェハーの大型化をにらみ、ウェハーや製造装置メーカーが研究体制を拡充し始めた。
直径450mmの次世代ウェハーは、早ければ2012年頃に実用化されるとの見方が有力。製造コストをどの程度削減できるか不透明な要素も多いが、次世代品への移行に必要な技術開発は静かに進み始めている。
●SUMCO 新拠点
シリコンウェハー世界2位のSUMCOは、約150億円を投じ、伊万里工場（佐賀 . . . 本文を読む
2009年にも量産が始まる回路線幅30nm台の半導体メモリーを巡り、新方式の半導体製造技術が浮上してきた。
サイドウォールと呼ばれる方式で、露光エ程が原則 一回で済み、成膜とエッチングを繰り返用化が有力視されてきた回路分割二回露光方式より装置の設置コストが割安なのが特長。
ただ、二回露光方式の陣営も課題のコスト削減への取り組みを強化しており、半導体メーカーへの採用に向け開発競争が激し . . . 本文を読む
半導体露光装置メーカーが、フッ化アルゴン（ＡｒＦ）液浸露光装置の新型機開発に相次いで着手する。
チップ上の回路線幅３０ｎｍの次世代半導体製造に用いる。オランダのＡＳＭＬは、０８年末に新型機を投入するほか、ニコンとキャノンは０９年に量産対応機の市場投入を目指す。
●新型機投入 需要取り込む
半導体メーカーは、２０１０年ごろの量産を視野に同３０ｎｍ世代品の量産に乗り出す。露光装置各社 . . . 本文を読む
「2014年には、450mmウェーハによるＬＳＩの量産を始めたい。」
米インテルが，7月の 「SEMICON West2007」 のサプライヤ向け会議でこのように明言した。同社が本気の姿勢を示したことで、Siウェーハ径の450mmへの移行に関する議論は、にわかに活発化し始めている。
●米インテルが推進 装置メーカーは消極的
米インテルの意向を反映する形で、米IＳＭＩ （Inter . . . 本文を読む
ルネサステクノロジは08年に、チップ上の回路線幅45nmプロセス技術を採用した先端半導体の生産に乗り出す。
現在、那珂事業所第2工場（茨城県ひたちなか市）に生産ラインを構築しており、08年中にサンプル出荷を開始、09年に量産を始める。
ルネサスは松下電器産業と同45nmプロセスの共同開発を推進、松下電気産業は、07年6月に魚津工場（富山県魚津市）で量産を始めたばかり。
NECエレ . . . 本文を読む