2009年にも量産が始まる回路線幅30nm台の半導体メモリーを巡り、新方式の半導体製造技術が浮上してきた。
サイドウォールと呼ばれる方式で、露光エ程が原則 一回で済み、成膜とエッチングを繰り返用化が有力視されてきた回路分割二回露光方式より装置の設置コストが割安なのが特長。
ただ、二回露光方式の陣営も課題のコスト削減への取り組みを強化しており、半導体メーカーへの採用に向け開発競争が激し . . . 本文を読む
半導体露光装置メーカーが、フッ化アルゴン（ＡｒＦ）液浸露光装置の新型機開発に相次いで着手する。
チップ上の回路線幅３０ｎｍの次世代半導体製造に用いる。オランダのＡＳＭＬは、０８年末に新型機を投入するほか、ニコンとキャノンは０９年に量産対応機の市場投入を目指す。
●新型機投入 需要取り込む
半導体メーカーは、２０１０年ごろの量産を視野に同３０ｎｍ世代品の量産に乗り出す。露光装置各社 . . . 本文を読む
「2014年には、450mmウェーハによるＬＳＩの量産を始めたい。」
米インテルが，7月の 「SEMICON West2007」 のサプライヤ向け会議でこのように明言した。同社が本気の姿勢を示したことで、Siウェーハ径の450mmへの移行に関する議論は、にわかに活発化し始めている。
●米インテルが推進 装置メーカーは消極的
米インテルの意向を反映する形で、米IＳＭＩ （Inter . . . 本文を読む
ルネサステクノロジは08年に、チップ上の回路線幅45nmプロセス技術を採用した先端半導体の生産に乗り出す。
現在、那珂事業所第2工場（茨城県ひたちなか市）に生産ラインを構築しており、08年中にサンプル出荷を開始、09年に量産を始める。
ルネサスは松下電器産業と同45nmプロセスの共同開発を推進、松下電気産業は、07年6月に魚津工場（富山県魚津市）で量産を始めたばかり。
NECエレ . . . 本文を読む
セミコン・ジャパン2007が、5日（水）から7日（金）までの3日間、千葉市美浜区の幕張メッセで開催される。
「協働によるイノベーションの創出」 をテーマに、22ヶ国・1548社と過去最大の展示規模で行われ、デバイスの微細化対応や高性能化に向けて革新を続ける半導体製造装置・材料に関する最新情報を紹介する。
●過去最大の展示規模
今年度の世界半導体市場は昨年度に比べ2～3％増と低成長 . . . 本文を読む
次世代回路線幅30nm台以降の半導体製造回路形成で、主役の座を睨んだ技術競争が激しさを増してきた。
ニコンは、現行の技術を応用した二回露光タイプの液浸露光装置の開発に着手。EUV（極紫外線）露光では、光源を開発するウシオ電機とオランダの家電大手フィリップスが中核部品の共同開発を決めた。
大日本印刷などはナノインプリントの技術開発を急ぐ。半導体メーカーへの採用が固まれば一気に商機が拡が . . . 本文を読む