現在、65nmが使われている半導体の回路線幅は、07年末頃に45nm、09年頃には32nmまで微細化が進む見通し。
45nm以降では従来、ArF光源の短波長化や、より波長の短いEUVリソグラフィーが有力視されてきたが、これらに加えて脚光を浴びているのが液浸露光技術である。
ステッパーのレンズとウェハー間に空気より屈折率の高い液体を満たしてレンズの開口数を上げ、高解像度を実現する。
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フォトレジストは、ステッパーの光源によって対応するレジストの種類が異なる。
フォトレジストメーカー各社が力を入れているのが、波長が193nmと短く微細な回路の形成に適したArFエキシマレーザー対応の製品である。
現在、ArFステッパーと、照明系やマスク上の工夫によるRET（超解像技術）と組み合わせることで、線幅65nmの量産が始まっている。あるメーカーは、シリコン含有ポリマーを採用し . . . 本文を読む
ウェハーの薄膜に回路のパターンを形成するフォトリソグラフィー工程。写真の現像と同じ原理で、マスク越しに光を当てて焼きつけることから名がついた。
回路は顧客の要求に合わせてマスクパターンデータとして設計され、そのデータに基づいてフォトマスクが作成される。
ステッパー（露光装置）により、フォトマスクの回路パターンを感光性樹脂であるフォトレジストを塗布したウェハー面に焼き付けて現像する。
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半導体ガス材料は金属、樹脂とともに半導体製造には不可欠な材料であり、薄膜形成やドーピング、エッチング、クリーニングなどで活用されている。
薄膜生成では、前述のCVD法があり、半導体ガス材料の中でも生産量が多い。ウェハーに素子としての機能をもたせるために、微量の導電不純物を添加するのがドーピングである。
具体的には、ヒ素やホウ素などの不純物をウェハー表面に注入して、N型やP型の半導体領 . . . 本文を読む
前工程で回路を形成したウェハーは、後工程のダイシング工程によって一つのチップとして切り離される。
次に、チップをリードフレームという枠に載せるマウント作業を行う。さらに、チップ内部とICの外部ピンを接続するためのワイヤボンディングを経て、保護用のパッケージに密封し、製品となる。
密封には主成分がフェノールやエポキシなどの熱硬化性樹脂が使われ、樹脂への引火を防ぐ難燃剤、熱膨張を抑えるた . . . 本文を読む
分析機器開発ベンチャー企業のX線技術研究所は、鉛などの環境規制の対象である5つの元素の含有率を短時間で検出する装置を開発した。
測定時間は100秒で、これまでの3分の1以下。
試料に近距離からX線を当て、物質から発生する蛍光X線を効率よく集める。欧州化学物質規制への対応を迫られる電機メーカーや土壌浄化事業向けに売り込む。
●EU環境規制「RoHS」対応
欧州連合がRoHS（ロ . . . 本文を読む
日系電子部品メーカ各社のシンガポール営業拠点は、完成品メーカーやEMSのASEAN地区への投資活発化に照準を合わせた営業活動強化や体制再構築を進めている。
各社は好調なHDDや薄型TV、白モノ家電、携帯電話、事務機器、自動車関連、半導体関連市場などに重点を置き、日本や欧米のグループ営業拠点やASEAN地区製造拠点と連携しながら、積極的な事業拡大を目指す。
●タイ、ベトナム重視
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松下電器産業は、デジタル家電統合プラットフォーム「UniPhier（ユニフィエ）」に、次世代のAVデータコーデック技術を搭載した新世代ホームAV用システムLSI・PH1-ProII のサンプル出荷を07年10月から開始すると発表した。
MPEG-4 AVC/H.264を搭載することにより、データ量の多いフルHD画像データでも高画質を維持しながらデータを従来の1/2～1/3に圧縮可能である . . . 本文を読む
米ガートナーが発表した世界の半導体設備投資見通しによると、07年度の設備投資額は、前年比1.5％増の571億4500万ドル、製造装置向けの投資に限れば同4.1％増の436億7300万ドルが見込まれる。
07年は、よりコスト効果のよい300mmウェハー対応ファブの生産能力強化が加速。
また、DRAM が供給過剰に陥ったにも関わらず、メーカーの投資意欲が衰えなかったことから、特にウェハー . . . 本文を読む