世界的需要拡大に対応 300mmウェハーを増産

　携帯電話を始めとするモバイル機器やデジタル機器の高機能化や高速化、機器の小型化、低消費電力、低コストを実現する技術開発が進展している。 　特に重要なキーテクノロジーが、IC回路の線幅や配線間隔を小さくする微細化技術。 　半導体製造では現在、線幅65nmが量産ベースの最先端であり、同じ32nmを目指した開発が進められている。微細化に伴って半導体製造プロセスは、材料や装置を含めた総合的な技術 . . . 本文を読む

SOIウェハーを使用 LSI用メモリー歩留まり向上

　シリコンウェハーに不純物を注入、拡散させてトランジスタを形成し、配線や絶縁を施してIC回路を作る。ウェハー１枚に、同じ回路が数百個ほどできるが、それらを一つずつ切り離しパッケージに封入することでICチップとなる。 　ICチップの高性能化や高速化にシリコンウェハーが果たす役割は大きい。 　ハイエンド向けとして、ウェハー上に結晶の向きを一定に揃えて単結晶薄膜を形成したエピタキシャルウェハーが . . . 本文を読む

多様な材料・特性生かし、ニーズに応じた薄膜形成

　IC製造はウェハーにICの動作のもととなる回路を作るまでの前工程と、ウェハーからチップを一つずつ切り離し、端子を付けてパッケージに封入するする後工程に分けられる。 　前工程はウェハー上にトランジスタを形成し、それらの金属の配線で接続したり、絶縁が必要な個所に絶縁物を配置するといった作業が行われる。 　手順としては、ウェハー上に酸化シリコンの保護膜を作る酸化膜や絶縁膜、導電体膜などの薄膜形 . . . 本文を読む