半導体微細化に新方式 2007-12-27 | 微細化／大口径化動向 2009年にも量産が始まる回路線幅30nm台の半導体メモリーを巡り、新方式の半導体製造技術が浮上してきた。 サイドウォールと呼ばれる方式で、露光エ程が原則 一回で済み、成膜とエッチングを繰り返用化が有力視されてきた回路分割二回露光方式より装置の設置コストが割安なのが特長。 ただ、二回露光方式の陣営も課題のコスト削減への取り組みを強化しており、半導体メーカーへの採用に向け開発競争が激し . . . 本文を読む
