スマートフォンなどへの搭載で需要が急増しているＮＡＮＤ型フラッシュメモリー。
今後も容量需要が年率で前年比５割増以上で推移すると見られるが、技術的には限界が迫る。回路線幅を細くする微細化で記憶容量を急ピッチに増やしてきたが、「微細化の進展はあと数年」との見方が強まっている。
ポストＮＡＮＤをにらみ、セルを縦方向に積み上げる３次元ＮＡＮＤや新型メモリーの開発が熱を帯びてきた。
●縦方向に積層
NAND型フラッシュメモリーの回路線幅は現在、２０ｎｍ台だが、３年後には１０ｎｍ台半ばに突入すると予想される。
ただ、微細化が進展しすぎるとメモリーが誤作動する可能性が高くなるため、「１５ｎｍが限界」（装置メーカー関係者）と指摘する声も少なくない。
三重県四日市市で建設中の東芝のＮＡＮＤ型フラッシュメモリーの第５棟。１期工事が今春完成するが、すでに、東芝首脳の視線は先にある。
２期工事完成後の２０１０年代半ばまでに量産に踏み切ると言われるのが、セルを平面でなく、縦に並べる「３次元ＮＡＮＤ型フラッシュメモリー」。
セルが大きくても縦方向に積むことで、小さいセルを平面に敷き詰めるのと同等以上の効果を得られる。旧世代の製造プロセス技術でも利用が可能でコスト競争力も高いという。
東芝は、「ＢｉＣＳ」と呼ぶ３次元ＮＡＮＤ型の技術を０７年に開発。多層のセルを一度に形成できるのが特徴。
韓国サムスンや同ハイニックス半導体も「ＢｉＣＳ」の考え方を元に、技術開発を急いでおり、いずれも１３年前後に３次元ＮＡＮＤの量産に乗り出す方向。
●新型メモリー開発進む
ポストＮＡＮＤを巡る争いは３次元ＮＡＮＤだけにとどまらない。エルピーダメモリは抵抗変化式メモリー（ＲｅＲＡＭ）開発をシャープなどと進める。
消費電力が少ない上、ＮＡＮＤに比べて高速の書き込みが特徴。１３年の実用化を目指す。
スマートフォンやタブレット端末の爆発的な広がりが予想される中、記憶装置市場も拡大を続ける。３次元や新型メモリー技術を早期に確立できるかが、巨額投資を武器にする韓国勢を逆転するカギを握っているといえそう。
【記事引用】 「日刊工業新聞／２０１１年２月２８日（月）／１３面」
