銅箔のインダクタンスを求める続き
ものすごーーーーく大雑把で 当てにならないけど
そうゆう考え方もあるかあ というレベル
基板外周を2.5ミリで引き回す
一辺100ミリ 有りそうな設定
一つの層のみの場合
インダクタンス100ナノH
ある周波数の場合 600Ω
2ミリAがある狭い時間で変化した場合 0.2V発生
基板外周を太くして5ミリ幅 例えば4層だとして
全層をVIAで多数接続
等価的に幅20ミリとすれば
56ナノH
350Ω
0.11V
基板外周に誘起される電圧を想像してみました
外周をVIAで多点接続も場合によって効果は有りそうです
これで全て解決すれば良いんだけどねえ...