［知らなくてもいい話］
トランジスタの増幅率はhFE（直流電流増幅率）で示されましたが、同様にFETにも単体の増幅率を示すパラメータがあります。それがgm（相互コンダクタンス）です。hFEはトランジスタを語る上で欠くことのできないものですが、gmの場合はそれほど云々されません。というのもhFE＝Ic/Ibは常に正比例の関係にあり設計計算が楽なのですが、gm＝ΔId/ΔVgsは特性図に見るようにVgs（Id）の動作点をどこに取るかで変わるのです。
つまりhFEとgmは使われ方が逆で、hFEは回路を設計する折に必要ですが、gmは設計後に決まるわけです。gmはデータシートのId-Vgs特性とVgsの動作点から読み取ります。
2SK30AのId-Vgs特性をGRタイプで見て見ましょう。Vgs＝-1.6VではΔId/ΔVgs＝1、Vgs＝-0.8VではΔId/ΔVgs＝1.5くらいです。これは平均変化率ですから、Vgsの各ポイントにおけるIdの増分は接線の傾き、つまりgm＝dId/ dVgs ということですね。
ということで、gmという言葉はもう忘れてしまいましょう。FETはIdssを実測してId-Vgs特性と照らし合わせて使ってください。
関連記事：
相互コンダクタンスとエミッタインピーダンス 2007-11-19
FETの話① 2009-12-07
トランジスタの増幅率はhFE（直流電流増幅率）で示されましたが、同様にFETにも単体の増幅率を示すパラメータがあります。それがgm（相互コンダクタンス）です。hFEはトランジスタを語る上で欠くことのできないものですが、gmの場合はそれほど云々されません。というのもhFE＝Ic/Ibは常に正比例の関係にあり設計計算が楽なのですが、gm＝ΔId/ΔVgsは特性図に見るようにVgs（Id）の動作点をどこに取るかで変わるのです。
つまりhFEとgmは使われ方が逆で、hFEは回路を設計する折に必要ですが、gmは設計後に決まるわけです。gmはデータシートのId-Vgs特性とVgsの動作点から読み取ります。
2SK30AのId-Vgs特性をGRタイプで見て見ましょう。Vgs＝-1.6VではΔId/ΔVgs＝1、Vgs＝-0.8VではΔId/ΔVgs＝1.5くらいです。これは平均変化率ですから、Vgsの各ポイントにおけるIdの増分は接線の傾き、つまりgm＝dId/ dVgs ということですね。
ということで、gmという言葉はもう忘れてしまいましょう。FETはIdssを実測してId-Vgs特性と照らし合わせて使ってください。
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