古から現在に至り、特にオーディオ用として最もよく使用されている不朽の名作Nch-FET：2SK30Aの特性を見てみましょう。
「FETの話①」にて、FETはG-S間電圧が0Vの時にもっとも大きなドレイン電流を流すとお話しましたが、このときのドレイン電流をIDssといいます。IDはドレイン電流、ssはG-S間電圧が0VつまりG-SショートのSです。実際には、このIDssにはかなりのばらつきがあり、2SK30Aもこの大きさによってランク分けされています。特性図の下にランク（単位：mA）を示していますが、例えばGRランクでも2.6～6.5mAものばらつきがあるのですね。
右側の特性図を見てください。VDS＝10VにおいてVGSが0Vの時の最も大きなIDssは6mAくらいです。このカーブを示すものはGRランク、反対に最も小さな0.4mAくらいのものはRランクということです。
トランジスタの場合は、動作領域においてベース-エミッタ間電圧が必ず0.6～0.7Vになりますから回路の定数設定が簡単にできました。しかしFETの場合は上記のようにゲート-ソース間電圧を一定値として考えることができません。よってFETを使って増幅回路を設計する場合は、必ずIDssを測ってデータシートのID-VGS特性と照合することになります。多くの場合、トランジスタでもFETでも、どちらを使っても増幅回路は実現できますが、設計が楽なトランジスタが多用されるのでしょう。
関連記事：
「FETの話①」2009-12-07
「FETの話③ 増幅回路」2009-12-09
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右側の特性図を見てください。VDS＝10VにおいてVGSが0Vの時の最も大きなIDssは6mAくらいです。このカーブを示すものはGRランク、反対に最も小さな0.4mAくらいのものはRランクということです。
トランジスタの場合は、動作領域においてベース-エミッタ間電圧が必ず0.6～0.7Vになりますから回路の定数設定が簡単にできました。しかしFETの場合は上記のようにゲート-ソース間電圧を一定値として考えることができません。よってFETを使って増幅回路を設計する場合は、必ずIDssを測ってデータシートのID-VGS特性と照合することになります。多くの場合、トランジスタでもFETでも、どちらを使っても増幅回路は実現できますが、設計が楽なトランジスタが多用されるのでしょう。
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