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Snapdragon 835登場!モバイル向けで初めての10nm FinFETプロセスで製造されるSoC。

2017-04-01 10:07:58 | スマホ
Snapdragon 835は、モバイル向けで初めての10nm FinFETプロセスで製造されるSoC。
製造はサムスンで、CPUとしてKryo 280、GPUとしてAdreno 540、DSPとしてHexagon 682、ISPとしてSpectra 180、LTEモデムとして『Snapdragon X16 modem』(ギガビットLTE)を搭載。

スペックをみると万能のようだが、グラフィック性能ではIntel系よりも劣ると言われている。
消費電力の大きいLTEをSoCに内蔵したことにより、スマホではIntelよりも圧倒的に強い。
Snapdragonが835の登場により性能が向上した。
スマホのみならずタブレットでも搭載が進むことを願う。


スペック
○3世代前のSnapdragon 801比、電力消費50%減
○Snapdragon 820比(現行14nm FinFETプロセス比)で消費電力25%減、性能20~25%向上 35%小型化
○新世代の『Kryo 280』を中心に、8基のコアを搭載。高性能コア(動作クロック2.45GHz)と消費電力重視のコア(1.9GHz)を4基づつ搭載し、負荷状況などで切り替えるBig.LITTLE方式を採用
○USBコントローラは3.1。Gen1(5Gbps)
○Quick Charge 4 0%から15分間で50%まで充電可能。
USB タイプC端子とUSB PD仕様に準拠させつつ、現行のQuick Charge 3.0と比較して最大20%高速、かつ最大30%効率が良い。
端末の温度に基づいて充電スピードを制御する3代目 INOV(Intelligent Negotiation for Optimum Voltage)技術を採用。
○AnTuTu 6.3.3
Snapdragon 835 182517 - Snapdragon 820 137498
○一体型VR用ヘッドマウントディスプレイ(HMD)の提案。HMD単独で動作可。
○GoogleのVR仕様Daydream対応
○ディスプレイプロセッサの強化と10bitパイプラインを実現し、HDRの主要規格である「HDR10」に対応。
○『Aqstic Audio』Hexagon 690 DSP・Always-Aware(常時音声入力監視機能)により、オブジェクトオーディオやDSDの処理のほか、S/Nや高周波歪みの改善
○32ビット/384kHzのハイレゾ音源や3Dオブジェクトオーディオ技術、DSD音源ネイティブ(PCM変換なし)再生対応
○Bluetoothは新バージョン5.0
○外付けチップにより、WiGigこと802.11adのサポート
○カメラ用DSPでは、電子式手ブレ補正精度の強化
○背面デュアルカメラにも対応、AF速度も向上し、暗所撮影時のノイズも低減
○位置情報測位QZSS、「みちびき」準天頂衛星システム対応。屋内測位技術精度向上(公称最大30%)。測位使用時の消費電力低減

搭載予定
Xperia XZ Premium(ソニーモバイル)
Samsung超狭額縁筐体18.5:9曲面ディスプレイ搭載「Galaxy S8/S8+」
NOKIA Tablet 2017(18.4" QHD)
ZTE Gigabit Phone
Xiaomi Mi 6




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