エルピーダメモリ、台湾にDRAM開発拠点を新設 端晶電子で45nm改良版 2010-01-07 | 半導体業界 エルピーダメモリの子会社である台湾・瑞晶電子は２０１０年１～３月期に、回路線幅を４５ｎｍ、に微細化したＤＲＡＭの設計開発拠点を新設する。 主に日本で確立したチップ生産技術の改良版を台湾で開発、パソコン向けＤＲＡＭの競争力強化を図る。エルピーダが１年ほどかけて検討してきた日台での開発体制がようやく軌道に乗る。 ●生産効率向上 瑞晶電子の陳正坤・総経理と、エルピーダ最高技術責任者（ . . . 本文を読む
