エネルギーと環境 216

彦根藩の当主である井伊直孝公をお寺の門前で手招き雷雨から救った
と伝えられる招き猫と井伊軍団のシンボルとも言える赤備え（戦国時
代の井伊軍団編成の一種、あらゆる武具を朱りにした部隊編成のこと
兜（かぶと）を合体させて生まれたキャラクタ－。

【季語と短歌：４月１７日】　　　　　

　　　　　　　　　飛花落花夫々集め大樹なる　　

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　高山　宇

🪄寝起き時に、二度奇妙な夢見る。カラーで未完成の黄色と赤の自動
車の構造体がクレ―ンで次工程に運ばれる動画。如何してなのかと目
覚めしその後、二度寝し同じ画像を見ることになる。これは、深層心
理が動いて脳の記憶が脳細胞が再構成し突き動かしたと腑に落とすこ
とに。つまり、”水素社会の実現”が進捗することを意味する。昨夜のデ
スクワークの確信が投影し了解されたと。（Arrival of the hydrogen society）



✳️フレキ基板の厚さ自在に　液滴印刷で車体配線
　プリンテッド・エレクトロニクス関連のスタートアップであるエレ
ファンテック（東京・中央）は、フレキシブル基板（FPC）の銅膜厚
を1μm未満から100μm超まで自由に設定できるようにしたと、2025
年4月9日に発表した（写真1）。これまでのFPCは銅の膜厚が3μ～12μm
だった。銅の層を厚くすることで大電流を流せるようになり、自動車
や産業機器などパワーエレクトロニクス分野で新しいユースケースの
発掘につながる可能性がある。複数のアプリケーションで量産導入に
向けた検討が進行中。（日経クロステック）

3️⃣ 特開2025-14903 発電モジュールの製造方法 パナソニックＩＰマ
      ネジメント株式会社（審査前）⓶
【詳細の説明】【００４７】
  サブモジュール１０１の発電部面積率は、サブモジュール１０２の
発電部面積率よりも小さい。つまり、この例では、サブモジュール１
０１が「第１サブモジュール」に相当し、サブモジュール１０２が「
第２サブモジュール」に相当する。これにより、サブモジュール１０
１の光透過率を、サブモジュール１０２の光透過率よりも大きくす
ることができる。【００４８】


 図７.図１の発電モジュールの一部を示す拡大上面図

図７に示す例では、サブモジュール１０１、１０２のそれぞれにおい
て、ストリング１２０がＹ方向に等間隔で配置されている。サブモジ
ュール１０２には、サブモジュール１０１よりも密にストリング１２
０が配置されている。したがって、サブモジュール１０２のストリン
グ１２０の数は、サブモジュール１０１のストリング１２０の数より
も多い。ストリング１２０のＹ方向の幅は、例えば、全て一定である。
このようにして、サブモジュール１０２の発電部面積率（ここでは、
主面１１０ｓに対するストリング１２０の合計面積の割合）を、サブ
モジュール１０１よりも大きく設定することができる。【００４９】

  発電モジュール１は、Ｚ方向に沿って見た平面視において、第２方向
（ここではＹ方向）において、サブモジュール１０２のサブモジュー
ル１０１と反対側に配置されたサブモジュール１０３をさらに備える。
サブモジュール１０３を「第３サブモジュール」と呼ぶことがある。
サブモジュール１０２の発電部面積率は、サブモジュール１０３の発
電部面積率よりも小さい。この例では、サブモジュール１０３には、
サブモジュール１０２よりも密にストリング１２０が配置されている。
【００５０】  図７に例示するように、各モジュール列Ｒａ～Ｒｃを構
成する複数のサブモジュール１００は、モジュール列の一端側（ここ
では、上方（＋Ｙ側））に近いサブモジュールほど発電部面積率が小さ
くなるように構成されていてもよい。これにより、Ｙ方向（例えば窓
の高さ方向）に沿って光透過率を変化させることができる。【００５１】

  発電モジュール１は、Ｚ方向に沿って見た平面視において、サブモジ
ュール１０１と第２方向に交差する第３方向（ここではＸ方向）に隣
接して配置されたサブモジュール１０４をさらに備える。サブモジュ
ール１０４を「第４サブモジュール」と呼ぶことがある。サブモジュ
ール１０４の発電部面積率は、サブモジュール１０１の発電部面積率
と等しい。この例では、サブモジュール１０４のストリング１２０の
数は、第１サブモジュール１０１と同じである。【００５２】
図７に例示するように、各モジュール行Ｒ１～Ｒ４を構成する複数の
サブモジュール１００は、発電部面積率が全て同じになるように構成
されてもよい。これにより、Ｘ方向(例えば窓の幅方向）に沿って透過
率を一定にすることができる。【００５３】

  （サブモジュールの他の配置例）
  本実施形態の発電モジュールは、第２方向に隣接し、かつ、発電部面
積率の異なる少なくとも２つのサブモジュールを備えていればよい。
図７では、第１サブモジュールが第２サブモジュールの上方（＋Ｙ側）
に位置するが、下方（－Ｙ側）に位置してもよい。また、図７では、
第２方向をＹ方向として説明したが、第２方向は、発電モジュール１
の厚さ方向である第１方向に交差する方向（ＸＹ面における任意の方
向）であればよい。サブモジュールの数、配置なども、図７に示す例
に限定されない。図７では、サブモジュール１００がマトリクス状に
配列されているが、サブモジュール１００は一方向のみに配列されて
いてもよい。【００５４】

図８は、第１実施形態の発電モジュールの他の例を示す模式的な上面
図である。【００５５】
  図８に示す発電モジュールは、複数（ここでは３つ）のサブモジュー
ル１０１～１０３を含む単一のモジュール列を備える点で、図２に示
す構成と異なる。【００５６】
 サブモジュール１０１～１０３は、図７に示したサブモジュール１０１
～１０３と同様に、モジュール列Ｒａの一端側（ここでは＋Ｙ側）に
位置するサブモジュールほど高い発電部面積率を有するように構成さ
れている。したがって、発電モジュールの光透過率は、＋Ｙ方向に徐
々に大きくなる。図示するように、例えば窓のサイズに応じて、各サ
ブモジュール１０１～１０３の平面形状は、Ｘ方向に長い矩形状であ
ってもよい。この構成によると、サブモジュール間に配線を配置する
必要なく、シンプルで外観に優れた発電モジュールを提供することが
できる。【００５７】

図９Ａ　サブモジュールの製造方法における膜形成工程を示す模式的
な工程斜視

  （サブモジュールの製造方法）
  図９Ａ～図１１を参照しながら、サブモジュール１００の製造方法を
説明する。【００５８】
サブモジュール１００の製造方法は、ベース基板の主面に、太陽電池
膜を含む積層膜を形成する膜形成工程と、積層膜を加工して発電部を
形成する膜加工工程と、発電部と電気的に接続する配線を配置する配
線形成工程と、を包含する。【００５９】
・膜形成工程
  図９Ａおよび図９Ｂは、それぞれ、膜形成工程を説明するための模
式的な工程斜視図である。【００６０】
まず、図９Ａに示すように、透光性を有するベース基板（例えばガラ
ス基板）１１０を用意する。ここでは、ベース基板１１０としてガラ
ス基板を用意する。代わりに、ＦＴＯ基板などの、表面が透明導電膜
で被覆された基板を用いてもよい。【００６１】

図９Ｂ　サブモジュールの製造方法における膜形成工程を示す模式的
な工程斜視図
  次いで、図９Ｂに示すように、ベース基板１１０の主面１１０ｓに、
主面１１０１０ｓ側から、下部透明導電膜、太陽電池膜および上部透
明導電膜をこの順で含む積層膜１７０を形成する。【００６２】
 積層膜１７０における各膜は、それぞれ公知の方法で形成され、必要
に応じてパターニングされる。例えば、下部透明導電膜のパターニン
グ、上部透明導電膜と下部透明導電膜とを接続するコンタクト部の形
成などを適宜行ってもよい。ＦＴＯ基板を用いる場合は、ＦＴＯ基板
表面の透明導電膜を、積層膜１７０の下部透明導電膜として用いても
よい。【００６３】
 太陽電池膜は、例えば、ペロブスカイト化合物を含む。太陽電池膜は、
スピンコート方式、インクジェット方式などの方法で、主面１１０ｓ
に形成された下部透明導電膜の上に塗布される。太陽電池膜は、例え
ば、ｎ型半導体膜、ｉ型半導体膜（ペロブスカイト層）およびｐ型半
導体膜を含む積層膜である。まず、ｎ型半導体膜を、インクジェット
方式を用いて塗布して乾燥させた後、その上層となるｉ型半導体膜を
インクジェット方式により塗布して乾燥させる。同様にｐ型半導体膜
を、インクジェット方式を用いて塗布して乾燥させて積層膜を形成す
る。このように塗布および乾燥を繰り返して、太陽電池膜となる積層
膜を形成してもよい。【００６４】

・膜加工工程
  膜加工工程では、まず、図９Ｃ（先回掲載済み）に示すように、レー
ザ光をＸ方向に走査して、上記方法で形成された積層膜１７０に対し
て第１のレーザ加工工程（ストリング形成工程）を行い、積層膜１７０
の一部を主面１１０ｓから除去する。ここでは、レーザスクライブな
どのスクライブ加工を行う。積層膜１７０のうち主面１１０ｓ上に除
去されずに残った部分が、発電部（ストリング１２０）となる。

図９Ｃ】サブモジュールの製造方法における膜加工工程を示す模式的
な工程斜視図
【００６５】  続いて、図９Ｄに示すように、レーザ光を方向に走査し
て、第２のレーザ加工工程（素子分離工程）を行う。これにより、各
ストリング１２０に、Ｙ方向に延在する複数の分離溝（図６Ａの分離
溝１６０に対応）１６０を形成し、複数の太陽電池素子１５０に分離
する。このようにして、図６Ａで例示した積層構造Ｌを得る。

図９Ｃ　サブモジュールの製造方法における膜加工工程を示す模式的
な工程斜視図【００６６】 

以下、図１０Ａ～図１０Ｃを参照して、第１のレーザ加工工程(図９Ｃ
）をより詳細に説明する。ここでは、積層膜１７０を構成する下部透
明導電膜、太陽電池膜、上部透明導電膜を全て同時にレーザ加工によ
って除去する例を説明する。なお、少なくとも太陽電池膜の一部がレ
ーザ加工によってベース基板から除去されればよい。他の透明導電膜
は、太陽電池膜とは異なる方法で加工され、異なるパターンを有して
もよい。

図１０Ｃ　サブモジュールの製造方法における膜加工工程を示す模式
的な工程断面図
【００６７】図１０Ａ～図１０Ｃは、それぞれ、膜加工工程を説明す
るための模式的な工程断面図である。
【００６８】図１０Ａに示すように、レーザ光ＬＢをＸ方向に走査し
て、所定の照射範囲（「照射幅」と呼ぶ。）ｗＬで積層膜１７０にレー
ザ光ＬＢを照射する。これにより、積層膜１７０のうち照射された部
分を除去する。除去される部分は、Ｘ方向に延在するライン状の領域
（ストリング間領域）１３０となる。照射幅ｗＬが広い場合には、複
数回の走査を行って所定の範囲ｗＬへの照射を行ってもよい。この例
では、積層膜１７０が厚さ方向に亘って除去されて、主面１１０ｓの
一部が露出する。【００６９】

図１０Ｂ　サブモジュールの製造方法における膜加工工程を示す模式
的な工程断面図

 次いで、図１０Ｂに示すように、レーザヘッドを移動させて、レーザ
光ＬＢの照射位置を所定の距離（「非照射幅」と呼ぶ。）ｗＴだけＹ方
向にずらす。この状態で、レーザ光ＬＢをＸ方向に走査して積層膜１
７０に照射幅ｗＬでレーザ照射を行い、積層膜１７０の一部を除去す
る。Ｙ方向に隣接する２つの除去部分の間には、非照射幅ｗＴと同じ
幅を有するライン形状の積層構造、すなわちストリング１２０が形成
される。図１０Ｃに示すように、この後も、照射位置をＹ方向にずら
しながら、積層膜１７０のレーザ照射を行う。このようにして、主面
１１０ｓ上に、Ｙ方向に等間隔に配置された複数のストリング１２０
を形成することができる。【００７０】
  次いで、図１０Ｂに示すように、レーザヘッドを移動させて、レーザ
光ＬＢの照射位置を所定の距離（「非照射幅」と呼ぶ。）ｗＴだけＹ方
向にずらす。この状態で、レーザ光ＬＢをＸ方向に走査して積層膜１
７０に照射幅ｗＬでレーザ照射を行い、積層膜１７０の一部を除去す
る。Ｙ方向に隣接する２つの除去部分の間には、非照射幅ｗＴと同じ
幅を有するライン形状の積層構造、すなわちストリング１２０が形成
される。図１０Ｃに示すように、この後も、照射位置をＹ方向にずら
しながら、積層膜１７０のレーザ照射を行う。このようにして、主面
１１０ｓ上に、Ｙ方向に等間隔に配置された複数のストリング１２０
を形成することができる。【００７０】
  本実施形態では、膜加工工程において、第１のレーザ加工工程におけ
る加工条件を異ならせて、第１サブモジュール（例えば、図７におけ
るサブモジュール１０１）と第２サブモジュール（例えば、図７にお
けるサブモジュール１０２）とを作製する。これにより、太陽電池膜
の除去面積（合計面積）を異ならせることができるので、光透過率の
異なる２つのサブモジュールを作り分けることができる。【００７１】

レーザ光ＬＢの照射幅ｗＬおよび非照射幅ｗＴは、所望の光透過率お
よび発電量が得られるように適宜設定され得る。例えば、第１サブモ
ジュールを製造する際のレーザ光ＬＢの照射幅ｗＬ１を、第２サブモ
ジュールを製造する際の照射幅ｗＬ２よりも大きくしてもよい。ある
いは、第１サブモジュールを製造する際の非照射幅ｗＴ１を、第２サ
ブモジュールを製造する際の非照射幅ｗＴ２よりも小さくしてもよい。
サブモジュール１０１、１０２を作り分ける方法の一例を、図９Ａ～
図９Ｆを参照して説明する。【００７２】
  まず、第１基板１１よりもサイズの小さいベース基板１１０を複数枚
用意する(図９Ａ）。この基板１１０の主面１１０ｓに、同じ積層条
件にて積層膜１７０を形成し、ベースサブモジュール（以下、「積層膜
付きベースサブモジュール」）を複数枚用意する（図９Ｂ）。【００７３】

  次いで、積層膜付きベースサブモジュールに対し、図９Ｃに示すよう
に、第１加工条件（照射幅ｗＬ１および非照射幅ｗＴ１）にて、第１
レーザ加工工程（ストリング形成工程）を行う。これにより、ベース
基板１１０上に、ストリング幅がｗＴ１、ストリング間距離がｗＬ１
である複数のストリング１２０を形成する。次いで、図９Ｄに示す
ように、第２レーザ加工工程（素子分離工程）を行い、サブモジュー
ルを形成する。これが「第１サブモジュール１０１」となる。

図９Ｂ　サブモジュールの製造方法における膜形成工程を示す模式的
な工程斜視図
【００７４】  同様に、積層膜付きベースサブモジュール（図９Ｂ）に
対し、図９Ｅに示すように、第１加工条件とは異なる第２の加工条件
（照射幅ｗＬ２（ｗＬ２＜ｗＬ１）、非照射幅ｗＴ２（ｗＴ２＝ｗＴ１
））にて加工を行う。これにより、ベース基板１１０上に、ストリング
幅がｗＴ２（＝ｗＴ１）、ストリング間距離がｗＬ２（＜ｗＬ１）であ
る複数のストリング１２０を形成する。次いで、図９Ｆに示すように、
第２レーザ加工工程（素子分離工程）を行い、サブモジュールを形成
する。これが「第２サブモジュール１０２」となる。【００７５】
 このように第２サブモジュールを形成する第２の加工条件は、第１の
加工条件と比較して、非照射幅は等しく設定する一方、照射幅だけを
小さく設定することにより、第２サブモジュール１０２を形成するこ
とができる。なお、レーザ加工のレーザ出力は第１加工条件、第２加
工条件とも同じである。【００７６】

【図１６】ストリング構造の一例を示す模式的な拡大上面図
  なお、この条件で形成した第１サブモジュール、第２サブモジュール
は、表１（図１６参照）の関係になっている。これらのサブモジュー
ルのストリング幅は同じであり、ストリング間領域幅は異なった関係
である。【００７７】
  このように、ベース基板１１０上に、共通の形成条件で積層膜１７０
をあらかじめ形成して、複数のベースサブモジュール（積層膜付きベ
ースサブモジュール）を作製しておくと、第１レーザ加工工程の加工
条件を変えることにより、ベースサブモジュールから、第１サブモジ
ュール１０１および第２のサブモジュール１０２を製造することがで
きる。【００７８】

・配線形成工程
  図１１は、配線形成工程を説明するため模式的な上面図である。図
１１に示すように、上記方法でストリング１２０が形成されたベース
基板１１０に、配線（例えばタブ線）１４１、１４２を形成する。こ
のようにして、サブモジュール１００が製造される。【００７９】

【図１１　サブモジュールの製造方法における配線形成工程を示す模
式的な上面図

 配線１４１、１４２は、基板１１０のＸ方向における一端側および
他端側にそれぞれ配置される。Ｚ方向に沿って見た平面視において、
配線１４１、１４２は、基板１１０のＹ方向の長さよりも長く、配線
１４１、１４２の上端部および下端部が基板１１０の外側に延在して
いてもよい。配線１４１は、ベース基板１１０の一端側において、各
ストリング１２０の左端部の上部透明導電層または下部透明導電層に
接続される。同様に、配線１４２は、ベース基板１１０の他端側にお
いて、各ストリング１２０の右端部の上部透明導電層または下部透明
導電層に接続される。配線１４１、１４２のそれぞれは、例えば半田
付けによって、下部透明導電層の端部上面に接続されてもよい。

【００８０】  （発電モジュールの製造方法）
  次に、図１２Ａ～図１３Ｃを参照しながら、上記方法で製造された
サブモジュール１００（図１１）を用いて、発電モジュール１を製造
する方法を説明する。
【００８１】発電モジュールの製造方法は、例えば、第１基板上に複
数のサブモジュールを配置し、互いに電気的に接続させるサブモジュ
ール配置工程と、複数のサブモジュールを間に挟んで、第１基板と第２
基板とを貼り合わせるシール工程と、を包含する。【００８２】

・サブモジュール配置工程
  図１２Ａおよび図１２Ｂは、それぞれ、サブモジュール配置工程を説
明するための模式的な工程上面図である。【００８３】
  まず、第１基板（例えばガラス基板）を用意し、第１基板の第１面
１１ｓ上に、充填材（図２等に示す充填材３１）を介して、サブモジ
ュール１００を複数個配置する。充填材として、例えば、ポリオレフ
ィンを含む充填材シートを用いる。ここでは、１２個のサブモジュー
ル１００を４行３列に配列してもよい。【００８４】

  本実施形態では、図１２Ａに示すように、Ｙ方向（列方向）に隣接
する２つのサブモジュール１００の配線１４１同士および配線１４２
同士を、例えば半田を用いて接続する。同じ列内のサブモジュール
１００の配線１４１がＹ方向に繋がり、Ｙ方向に延在する第１配線４
１ａが形成される。同様に、同じ列内のサブモジュール１００の配線
１４２がＹ方向に繋がり、Ｙ方向に延在する第２配線４２ａが形成さ
れる。これにより、同じ列内のサブモジュール１００が並列に接続さ
れたモジュール列Ｒａを得る。同様にして、他のモジュール列Ｒｂ、
Ｒｃにおいても、４つのサブモジュール１００も並列に接続する第１
配線４１ｂ、４１ｃおよび第２配線４２ｂ、４２ｃを形成する。

【００８５】  また、図１２Ｂに示すように、モジュール列Ｒａの第２
配線４２ａと、モジュール列Ｒｂの第１配線４１ｂとを、第３配線４３
によって電気的に接続する。第３配線(例えばタブ線）４３は、例えば
半田付けで、第２配線４２ａおよび第１配線４１ｂに接続されてもよ
い。同様にして、モジュール列Ｒｂの第２配線４２ｂとモジュール列
Ｒｃの第１配線４１ｃとを第３配線４３で接続する。これにより、モ
ジュール列Ｒａ～Ｒｃが直列に接続される。
【００８６】続いて、最も左側のモジュール列Ｒａの第１配線４１ａ
にリード線２１を接続し、最も右側のモジュール列Ｒｃの第２配線
４２ｃにリード線２２を接続する。このようにして、サブモジュール
付き第１基板が形成される。【００８７】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　次回につづく

🪄再生可能エネルギー（太陽光・風力・バイオマス・地熱・水力）は
ほぼ実現しており、太陽光に至っては、有機・ハイブリッド・無機・
金属系のタフで高効率のデバイスが開発されており、東亜道路の路面
系太陽電池、そして、パナソニック・旭硝子・積水化学などの建材一
体型太陽電池、地熱発電、熱変換発電デバイス・高性能燃料電池の実
用化が進行中、また、大容量蓄電設備やワイヤレス送受電（マイクロ
波の大容量送受電）、更に,水・海水電解水素製造、高熱化学反応水素
製造と大量水素製造・貯蔵・供給・搬送が進化、更には、光触媒によ
る炭化水素化合物・人工燃料物質製造技術が確立しており、水素直燃
ローターリーエンジン、レシプロエンジン、電気自動の実用化に向け
て中核事業の革命前夜にある。だからこそ、吾頭脳はパニック状態な
のだろう。（笑）

５章「金利｣からも見えてくる！財務省の大好きな増税は
　　  ｢意味不明」で「愚かな策｣

金利の引き下げぱ金融緩和の－環
繰り返すが、金利が下がれば、企業や個人はお金を借りやすくなる。
　すでに借金がある人も、利下げ後の利率で新たに借金をし、元の借
金を返済してしまえば、本来、支払うはずだった利子を大幅に免れる
ことになる。これを「低利借り換え」などという。
　なんであれ、金利の引き下げは金融緩和の一環だ。お金を借りる人
が圧倒的に得をし、そうして景気がよくなっていくのだから、社会的
には旨みが多いものなのだ。
　というわけで、「景気が悪ければ金利を下げる」という金融政策の
基本は、ここでも不変だ。いまでは過去の話となってしまったが、マ
イナス金利もまた金融緩和の一つであり、量的緩和とは何も矛盾しな
いのである。

マネーストック増加率が、2年後のインフレ率を決める
さて、これまで「お金」と単純に呼んでいたが、世の中に出回ってい
るお金の総量を「マネーストック」という。お金といっても、お札だ
けでなく金融機関への預金を含めて考えたほうがいい。「マネースト
ック」はマネタリーベース（５９ページ）に、金融機関の預金を足し
た額だ。このマネーストックの増加率とインフレ率は、じつは密接な
関係にある。
　過去のインフレ率と、その２年前のマネーストックの増加率の関係
を調べると、双方に強い相関関係にあることが示されるのだ。つまり
本年のマネーストック増加率が、２年後のインフレ率を決めるという
ことだ。
　マネーストック増加率がインフレおよび経済成長につながるまでに、
およそ２年。
　このように経済の動向は一朝一タでわかるものではない。こういう
知識をもとに、長い目で考えることが重要なのである。

利上げが続けば、失業率が増える
日銀が国債購入縮小の方法検討、事実上の量的引き縮めへ移行という
報道があった。
　つまり、日銀は機会さえあれば、利上げを望んでいるということで
ある。
　これは財務省が能登半島地震の復興予算を、やらなかったというシ
グナルが出ている。財政審（財政制度等審議会／財務省が設置し、財
務大臣の諮問機関として財政に関する議論を行う）で、「人口を見な
がら、復興予算します」などといっていること自体が引き縮めなのだ。
財政政策を引き締めることははっきりしているため、金融政策も引き
締めるということになる。
なぜこんなことになるのか、とても不思議だが一つは植田和男／第32
代日本銀行総裁）さんが完全に金融機関擁護だということが上げられ
るだろう。これはＦＲＢと比較すると明らかになる（【図版５１４」）。
　日銀は２０２４年はインフレ率２・８％で２０２５年はインフレ率
1・９％、ＧＤＰ成長率は２０２４年でＯ・８％で２０２５年は1・Ｏ
％と発表している。
　ＦＲＢは、２０２４年はインフレ率２・４％、２０２５年はインフ
レ率２・２％、ＧＤＰ成長率は２０２４年が２・Ｉ％で２０２５年が
２・Ｏ％。ＦＲＢがおもしろいのは失業率も発表している点だ。２０
２４年に４・Ｏ％、２０２５年は４・1％とした。
　インフレ率は似たような数字だが、日本は利上げし、ＦＲＢは利下
げすると真逆のことをいっている。
　ではなぜ、真逆のことをいっているのだろうか。
　じつはここで引き締めると失業率がぐっと上がってしまうため、Ｆ
ＲＢは「利下げすることで、失業率を上がらせませんよ」といってる
わけだ。
　一方、日本は失業率に触れず、自分たち（財務省や日銀）の天下り
先である金融機関のことだけ考えて、労働者（国民）　の生活のことな
ど眼中にないから平気で利上げできるのである。利上げをすれば、銀
行自体の景気はよくなるからだ。


　ただ下手に利上げすると、見通しの失業率より数字が高くなってし
まう。私の見通しでは、２０２５年の失業率は多分２・５～２・６％
ぐらいまで上がる思う。つまり、失業率が上がってしまうのがバレる
から、わざと日本はそれに触れないのだ。世界の中央銀行はみんな書
くのに、わざとそれを書かない。
　それこそが、金融機関重視の証拠である。
ウラで糸をひく財務省にとっては、もちろん国民よりも、天下り先の
金融機関のほうが大事なのである。

経済波及のラグを考えないと経済運営はできない
先にも述べたように、経済政策をやるときに、みんな瞬時に全部起こ
るというのは間違いで、何かが起こるには半年から一年くらいかかる。
経済動向はＩ朝一タでわかるものではない。その次の話が起こるとき
は、またちょっとかかる。そのため、どうしても目先の利益に飛びつ
いてしまいがちだ。
　ただ、そんな感じで経済波及（連鎖反応）のラグを考えない人は、
経済運営ができない。金利もそうだが今あげてもすぐ変わるわけがな
く、ちょっと後で変わるのだ。
時間軸でずっと長く見ていかないと、なかなか経済はわかりにくい。
　こういうのをラグ構造というのだが、そういうことが頭に入って、
どのくらい先からこうなるかと思いながらやるのが経済運営なのであ
る。
　方程式を解くように、これを解くと次の期はこうなって、その次の
期はこうなってという感じだが、それが理解できないとなると、経済
運営が難しいだろう。

経済政策は、どうすれば
「マンデル＝フレミングモデル」「効く」のか
経済政策について、何かどう作用して実体経済に影響するのか、ほと
んど知らないという人も多いだろう。ＧＤＰギャップの説明で、「経済
成長を促すような経済政策」として金融緩和と財政出動を挙げた（１
０２ページ）。マンデル＝フレミングモデルは、なぜ金融緩和と財政
出動によって経済成長が促されるのか、その因果関係を説明すること
で、適切な経済政策のあり方を理論化したものだ。

まずＧDＰの「内訳」を知ろう
マンデル＝フレミングモデルは、【図版５－５】で示したように、「金
利が上がると。”投資”と。輸出々が減るため、変動相場制のもとでＧＤ
Ｐを増やすには、単独で行う財政政策（財政出動）では効果がない」
というものだ。「単独で行う財政政策では効果がない」ということは、
つまり、金融政策（金融緩和）も合わせて行う必要があるということ
である。

　さて、本当は、マンデル＝フレミングモデルも数式一つで表現でき
るのだが、やはり、あえて言葉で説明していこう。これから説明する
内容をしっかり頭に入れていけば、「金利が上がると投資と輸出が減
るため、変動相場制のもとでＧＤＰを増やすには、財政政策（財政出
動）と合わせて金融政策（金融緩和）を行うのが効果的」の意味がわ
かるはずだ。マンデル＝フレミングモデルを理解するには、

①「なぜ、金利が上がると投資と輸出が減るのか」
②「なぜ、『変動相場制のもとでは』という条件つきなのか」

「Product」の略であり、「国内総生産」の意であることは知っている
人も多いと思うが、
では、何をもって国内総生産と呼ぶのか。
　辞書的には「ある一定期間に国内で生み出されたモノやサービスの
付加価値の合計額」などと定義されるが、わかるような、わからない
ような、という印象を抱く人が大半だろう。
　ＧＤＰを理解するには、その内訳を知るのがいちばん手っ取り早い。
　国内では日々、さまざまな経済活動が行われている。人々は慟いて
モノやサービスを生産し、報酬として得たお金で消費したり投資した
りする。投資にはもちろん、企業の設備投資などもある。また、貿易
会社は海外との輸出事業と輸大事業を行っている。輸入は国内に大っ
てくるお金（を生み出すもと）、輸出は国外に出ていくお金（を生み出
すもと）だ。さらに公共事業など、政府が生み出す需要というのもあ
る。
　今までサラリと「ＧＤＰ」といってきたが、ＧＤＰの内訳は、今、
挙げたものすべてである。つまり「ＧＤＰ＝消費十投資十政府需要十
輸出－輸入」と定義できる。
　これを頭に入れることが、マンデル＝フレミングモデルを理解する
出発点だ。

財政出動すると何が起こるかーカギは「金利」
　では、マンデル＝フレミングモデルの一つ目のポイント、「なぜ金利
が上がると投資と輸出が下がるのか」を説明していこう。
　まず、そもそも金利とは、どんなときに上がるものなのか。もちろ
ん要因は一つではないが、ここで重要なのは、国債発行との因果関係
だ。いまもいったように、「ＧＤＰ＝消費十投資十政府需要十輸出－輸
入」だ。マンデル＝フレミングモデルは、経済政策の効果のメカニズ
ムを説明するものだから、このＧＤＰの内訳のうち、注目したいのは
「政府需要」の効果である。
　経済政策には、。財政政策タ（１５７ページ）と。金融政策÷（１５
２ページ）の二種類があるのは、先にも述べたとおりだ。景気が悪く
て成長が低迷しているとき、財政政策としては「減税」か「財政出動」
が行われる。このうち「財政出動」とは、公共投資などを行って世の
中に仕事を作り出すこととも説明した（１５８ページ）。これが「政府
需要」である。
　つまり、不景気対策としての財政政策は、「国民からとるお金を減
らすか」「国民に分配するお金を増やすか」の二択ということになる。
　ここで、財政出動つまり公共事業によって政府需要が増えると、失
業者は減り国民の所得は増える。すると、どうなるだろうか。
　より所得が多くなれば、より多く「消費」するのが人間だ。消費す
るのは国内で作られたものだけとは限らないから、当然、海外からの
「輸入」も増える。「輸出」は、ひとまず不動としておこう（その理由
は、読んでいけばわかる）。
　さらに、政府需要増によって経済がより活発になれば、民間の「投
資」もより盛んになるだろう。個人の株式投資や住宅投資、企業の設
備投資などだ。
　まとめると、ＧＤＰの内訳のうち「政府需要」が増えれば、必然的に
「消費」「投資」「輸入」も上がる。輸入は、ＧＤＰでマイナスされる
要素だが、だいたい消費の６割程度の額と考えていい。
　つまり、輸入は必ず消費より小さい額になるから、政府需要が増え
ることで消費と同時に輸入のマイナス分か増えても、すべての和であ
るＧＤＰは増えるわけだ（そのため、以降、ＧＤＰの内訳は「（消費－
輸入）十政府需要十投資十輸出」と表記する）。
　だとしたら、ＧＤＰを増やすには財政出動をどんどん行えばいい、と
いうことになるのだろうか。それが違うのである。カギは「金利」だ。
「政府需要が増えれば、（消費ー輸入）も投資も増えて、輸出は不動」
という話には、「金利が変わらなければ」という前提条件があるのだ。
　先に、財政出動は国債の発行などをして行うと説明した。そして現
実には国債が発行されると、金利は上がるのが通常だ。これがまさに、
マンデル＝フレミングモデルで「金利が上がると投資と輸出が減るた
め、変動相場制のもとでＧＤＰを増やすには、単独で行う財政政策（
財政出動）では効果がない」とされる理由なのだ。

　ここまで読めば、マンデル＝フレミングモデルのＩつめのポイント
「なぜ、金利が上がると投資と輸出が減るのか」も想像がつくのでは
ないか。
　まず理解しやすいのは、投資が抑えられることだろう。たとえば企
業にとっては、設備投資のために民間金融機関から借りるお金に、よ
り多くの利子がついてしまう。
個人の住宅投資なども同様だ。そうなれば、投資には歯止めがかかる。
　また、金利が上がると、輸出は減る。これは、金利が上がると「円」
の人気が高く
なり、円高になることによる。投資家は、金利が高いほどに儲かるこ
とになる。そのため、日本の金利が上がると円が好まれるようになる。
そして、為替も需要と供給のバランスで決まるから、円がより好まれ
れば、円の価格はより高く、つまり円高になる。
　輸出は、国内で生産されたものを海外に売るということだが、これ
は円を売るのと同じだ。買うほうからすれば、誰も、あえて高い買い
物はしたくない。だから、財政出動によって金利が上がり、円高にな
ると、輸出は減るのだ。
　では、金利上昇と円高によって、輸入はどうなるか。輸出とは逆の
メカニズムが慟き、輸入は増えそうだと思うかもしれないが、それは
微妙なところだ。
　これで、マンデル＝フレミングモデルのＩつめのポイントは理解で
きただろう。
　財政出動に、金利上昇はつきものであり、金利が上がると投資と輸
出が減る。したがって、「財政出動によってＧＤＰが増える」というロ
ジックは、あまり筋がよくないことになる。財政出動だけでは、効果
が出にくいのだ。
　もし金利が動かなければ、政府需要増によって（消費－輸入）も投
資も増える。しかし現実には、政府需要が増えると金利が上がる。その
ため、政府需要が増えることで（消費－輸入）は増えても、投資と輸
出は減る。いってみれば、投資と輸出の抑制に足を引っ張られる形と
なり、財政出動によってＧＤＰが増えるかどうかは微妙になってしま
うわけである。

財政出動は「金融緩和セッドで」が正解
では、どうすればいいか。
そこで登場するのが、もう一つの経済政策、金融政策だ。
ＧＤＰを増やしたいときには「金融緩和」という政策が実施される。
結論からいえば、この金融緩和が、財政出動の微妙なところをうまく
カバーして、ＧＤＰ増加につながるのだ。つまりＧＤＰを増やしたい
のなら、財政出動と金融緩和をセットで行うのが正解である。
　金融緩和が行われると、「お金が新たに刷られて、増え、金利が下が
る」のは先に述べた通りだ。
　金利が下がれば輸出にどういう影響が及ぶかは、もうわかるだろう。
先ほど説明し
た「金利上昇↓円高↓輸出減」と逆のメカニズムが働く。つまり、金融
政策によって金利が下がると、投資家の円買いが抑制され円高になり
にくくなるのだ。
　財政出動のＧＤＰ押し上げ効果が微妙になってしまう要因は、国債
発行による金利上昇だった。ということは、金利上昇という難点をう
まく抑えるのが望ましい。その効果を発揮するのが金融政策というわ
けである。
　財政出動には金利上昇作用があり、金融緩和には金利低下作用があ
る。セットで行うと、金利に対する作用が相殺されるようなものだと
いったら、イメージしやすいだろうか。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　この章つづく

✳️ｉＰＳ細胞でパーキンソン病改善
ｉＰＳ細胞でパーキンソン病改善、脳に移植し６人中４人…京大病院
発表・年度内にも承認申請へ© 読売新聞

パーキンソン病は、脳内で運動の調節に関わる物質ドーパミンを作る
神経細胞が減少して発症する難病で、手が震えたり歩行が困難になっ
たりする。国内患者数は推計２９万人、世界では１０００万人を超え
る。５０歳以上で発症することが多く、６５歳以上では１００人に１
人程度が患っているとされる。根本的な治療法はなく、ドーパミンの
分泌を促す薬で症状は抑えられるが、進行を止めるのは難しい。　今
回の治験の対象患者は転倒しやすいなどの症状があり、薬が十分に効
かない５０～６９歳の男女７人。