彦根藩二代当主である井伊直孝公をお寺の門前で手招き雷雨から救っ
たと伝えられる招き猫と、井伊軍団のシンボルとも言える赤備え(戦
国時代の軍団編成の一種、あらゆる武具を朱りにした部隊編成のこと
)と兜(かぶと)を合体させて生まれたキラクタ「ひこにゃん」
【季語と短歌:6月18日】
梅雨入りや晴れ雨曇り入り乱れ
風つのる春夜の闇よりきれぎれに鋭く啼く犬のこゑ遣りくる
このままに寝入りてしまへばわが魂も闇夜の犬となりて咆ゆべし
声の限り吼えてもみむか浮かびくるあの顔この顔うすら笑ひす
二〇二四年二月二四日先負 泥沼化の三年目に入る
つくづくと見上ぐる空より降りくるはミサイルに非ず 満天の星
船間和子
熊本県八代市
「短歌研究」
「研究詠草」東直子 選
※ 一気詠みし、胸が詰まりました。皆さんの研鑽にエール!
「気候変動対策を講じないことのコストは、
気候変動対策のコストよりも高い」
2023年は「史上最も暑い年」1.45℃上昇にWMOが警鐘壱
3月19日、世界気象機関(WMO)は2023年の地球の気温に関する報告
書「State of the Globbal Climate 2023」の中で、2023年の平均気温は18
50年観測開始以来、最高値となったことを正式に発表。WMOは,
「Red Alert」(レッド・アラート:非常警報)という言葉を用いて対策
を呼び掛けた。
2023年は異常気象・気象災害の1年
2023年の平均気温は、産業革命前の水準を1.45℃(±0.12℃)上回リ、
1850年観測開始以来、最高値となった。同年までの10年間も観測史上
最も暑い10年間だったという。
さらにCO2、メタン、窒素酸化物(Nox)などの温室効果ガス(GHG)
濃度、海洋温暖化と酸性化、海面上昇、海氷面積・氷河の減少において
も過去最高値を記録した。2023年は熱波・洪水・干ばつ・山火事・熱
帯低気圧などが何百万人もの生活に影響と数十徳ドルの経済的損失を
もたらした。GHG濃度には、2023年中に起こったカナダやハワイ、
ギリシャなどでの大規模な山火事が影響していると見られる。
1.5℃にこれほど近づいたことはない
WMO事務局長のセレステ・サウロ氏は、「パリ協定の下限気温1.5
℃まで、一時的とはいえ、これほど近づいたことはない。 WMOは世
界に向けてレッド・アラートを鳴らしていく」とコメントした。さらに、
気温だけではなく海の暖かさ、氷河の後退、南極の海氷の減少は特に
危惧するべき事態だと言う。2023年末には、海洋の90%以上が熱波に
見舞われ、重要な生態系と食料システムが被害を受けた。世界の氷河
は、北米西部と欧州での極端な融解によって、1950年以来過去最大の
減少に見舞われた。南極の海氷面積も過去最小を記録した。過去10年
間(2014~2023年)の海面上昇率は、衛星記録の最初の10年間(1993~
2002年)から2倍以上になっている。
この項つづく
【最新ペロブスカイト太陽電池製造技術④】
❏ 特開2024-058455 電圧整合タンデム太陽電池モジュール 株式会
社 豊田中央研究所
【発明を実施するための形態】
【0026】光電変換層14は、光を吸収して電気エネルギーに変換
する層である。光電変換層14は、第1導電層12上に形成される。
光電変換層14は、後述するボトムモジュール202の光電変換層2
4よりバンドギャップが広い材料から構成される。すなわち、光電変
換層14は、ボトムモジュール202の光電変換層24より短波長の
光を吸収する材料から構成される。光電変換層14は、バンドギャッ
プEg(t)が1.5eV以上1.8eV以下の材料から構成するこ
とが好適である。当該バンドギャップEg(t)の条件を満たす材料
は、例えば、有機無機ハイブリッドペロブスカイト(PVK)が挙げ
られる。PVKの組成を調整することによって当該バンドギャップE
g(t)の条件を満たす材料とすることができる。
【0027】第2導電層16は、ボトムモジュール202において光
電変換に利用される波長領域の光を透過する導電性の材料で構成され
る。第2導電層16は、例えば、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化錫、
または酸化チタンなどの金属酸化物を少なくとも1つとすることがで
きる。また、これらの金属酸化物に、錫、亜鉛、タングステン、アン
チモン、チタン、セリウム、ガリウムなどのドーパントがドープされ
ていてもよい。第2導電層16は、蒸着法、CVD法、スパッタリン
グ法等の薄膜形成方法により形成することができる。【0028】
第2導電層16は、光電変換層14を形成後、光電変換層14に間隙
18bを形成した後に形成される。これによって、間隙18bを介し
て、第2導電層16は隣のセルの第1導電層12と電気的に接続され
る。また、光電変換層14及び第2導電層16は、トップモジュール
200を構成するトップセル毎に間隙18cによって分離されている
。これによって、トップモジュール200を構成する各トップセルは
互いに直列接続された構成とされる。【0029】
なお、トップモジュール200は、光入射側から、第2導電層16、
光電変換層14、第1導電層12及び基板10の順に配置した構成と
してもよい。この場合、第2導電層16は、トップモジュール200
及びボトムモジュール202において光電変換に利用される波長領域
の光を透過する材料で構成することが好適である。また、第1導電層
12及び基板10は、ボトムモジュール202において光電変換に利
用される波長領域の光を透過する材料で構成することが好適である。
【0030】ボトムモジュール202は、複数のボトムセル(太陽電
池セル)を複数直列に接続して構成される。ボトムモジュール202
は、基板20、第3導電層22、光電変換層24及び第4導電層26
を含んで構成される。基板20、第3導電層22、光電変換層24及
び第4導電層26は、光入射側の反対側から順に積層されてボトムモ
ジュール202を構成し、入射された光を電気エネルギーに変換する
機能を発揮する。【0031】
基板20は、ボトムモジュール202を構造的に支持する部材である。
基板20の材料は、特に限定されるものではなく、例えば、ガラス、
プラスチック、セラミックス、金属等で構成することができる。
【0032】第3導電層22は、基板20上に形成される。第3導電
層22は、導電性の材料で構成される。第3導電層22は、例えば、
酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化錫、または酸化チタンなどの金属酸
化物を少なくとも1つとすることができる。また、これらの金属酸化
物に、錫、亜鉛、タングステン、アンチモン、チタン、セリウム、ガ
リウムなどのドーパントがドープされていてもよい。第3導電層22
は、モリブデンなどの金属としてもよい。第3導電層22は、蒸着法、
CVD法、スパッタリング法等の薄膜形成方法により形成することが
できる。第3導電層22は、ボトムモジュール202を構成するボト
ムセル毎に間隙28aによって分離されている。【0033】
光電変換層24は、光を吸収して電気エネルギーに変換する層である。
光電変換層24は、第3導電層22上に形成される。光電変換層24
は、トップモジュール200の光電変換層14よりバンドギャップが
狭い材料から構成される。すなわち、光電変換層24は、トップモジ
ュール200の光電変換層14より長波長の光を吸収する材料から構
成される。光電変換層24は、バンドギャップEg(b)が1.0e
V以上1.2eV以下の材料から構成することが好適である。当該バ
ンドギャップEg(b)の条件を満たす材料は、例えば、Cu(IN
,Ga)Se2、有機無機ハイブリッドペロブスカイト(PVK)が
挙げられる。Cu(IN,Ga)Se2やPVKの組成を調整するこ
とによって当該バンドギャップEg(b)の条件を満たす材料とする
ことができる。【0034】
第4導電層26は、ボトムモジュール202において光電変換に利用
される波長領域の光を透過する導電性の材料で構成される。第4導電
層26は、例えば、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化錫、または酸化
チタンなどの金属酸化物を少なくとも1つとすることができる。また、
これらの金属酸化物に、錫、亜鉛、タングステン、アンチモン、チタ
ン、セリウム、ガリウムなどのドーパントがドープされていてもよい。
第4導電層26は、蒸着法、CVD法、スパッタリング法等の薄膜形
成方法により形成することができる。【0035】
第4導電層26は、光電変換層24を形成後、光電変換層24に間隙
28bを形成した後に形成される。これによって、間隙28bを介し
て、第4導電層26は隣のセルの第3導電層22と電気的に接続され
る。また、光電変換層24及び第4導電層26は、ボトムモジュール
202を構成するボトムセル毎に間隙28cによって分離されている。
これによって、ボトムモジュール202を構成する各ボトムセルは互
いに直列接続された構成とされる。【0036】
なお、ボトムモジュール202は、光入射側から、基板20、第3導
電層22、光電変換層24及び第4導電層26の順に配置した構成と
してもよい。この場合、基板20及び第3導電層22は、ボトムモジ
ュール202において光電変換に利用される波長領域の光を透過する
材料で構成される。また、第4導電層26は、透光性は必要とされな
い。【0037】
トップモジュール200とボトムモジュール202は光入射面側から
みて互いに重なり合うように配置される。ここで、光入射面側からみ
たトップモジュール200とボトムモジュール202の大きさは同一
とすることが好適である。また、光入射面側からみたトップモジュー
ル200の基板10とボトムモジュール202の基板20の大きさを
同一にすることが好適である。また、光入射面側からみたトップモジ
ュール200の光電変換層14を形成した面積とボトムモジュール2
02の光電変換層24を形成した面積とを同一にすることが好適であ
る。ここで、同一とは、完全に等しいのみならず、ほぼ等しいことも
意味する。具体的には、同一であることが好適であるとは、互いに±
10%以内で等しいことが好適であることを意味する。
この項つづく