彦根藩二代当主である井伊直孝公をお寺の門前で手招き雷雨から救ったと伝えら
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生まれた
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１．特許第7442002号 太陽電池およびその製造方法、光起電力モジュール
【要約】
下図３のごとく、陽電池は、第１表面を備える基板と、第１表面に形成されるト
ンネル層と、トンネル層に形成される第１ドーピング導電層と、第１ドーピング
導電層に形成される第２ドーピング導電層であって、第２ドーピング導電層は、
複数の第１部分と複数の第２部分とを含み、ここで、第１ドーピング導電層のド
ーピング元素濃度が第１部分のドーピング元素濃度より小さく、且つ、第１部分
のドーピング元素濃度が第２部分のドーピング元素濃度より小さい第２ドーピン
グ導電層と、複数の第１電極であって、複数の第１電極のうちの各第１電極がい
ずれも予め設定された方向に沿って延び、１つの第１電極が１つの前記第２部分
と電気的と接触している第１電極と、を含む。本願実施例は、太陽電池の光電変
性能を向上させることに有利である。
図３．本願の一実施例によって提供される第１の太陽電池の断面構造を示す図
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１表面を備える基板と、前記第１表面に形成されるトンネル層と、前記トンネ
ル層の前記基板から離れた表面に形成される第１ドーピング導電層と、前記第１
ドーピング導電層の前記基板から離れた側に形成される第２ドーピング導電層であって、前記第２ドーピング導電層は、複数の第１部分と、複数の第２部分と、
を含み、各前記第１部分と各前記第２部分が予め設定された方向及び前記第２ド
ーピング導電層の厚さ方向に垂直な方向に沿って交互に配列され、各前記第１部
分と各前記第２部分がいずれも前記予め設定された方向に沿って延び、ここで、
前記第１ドーピング導電層のドーピング元素濃度が前記第１部分のドーピング元
濃度より小さく、且つ、前記第１部分のドーピング元素濃度が前記第２部分のドーピング元素濃度より小さい第２ドーピング導電層と、複数の第１電極であって、
前記複数の第１電極のうちの各第１電極がいずれも前記予め設定された方向に沿
って延び、各前記第１電極と各前記第２部分とが１対１で対応しており、１つの
前記第１電極が対応する前記第２部分と電気的と接触している第１電極と、を含み、前記予め設定された方向は、前記第１表面に平行でありかつ前記第１部分と
前記第２部分が交互に配列された方向と垂直な方向であり、前記基板の元素種類
Ｎ型ドーピング元素であり、前記第２部分は、Ｎ型ドーピング元素がドーピング
本体部と、前記本体部内に位置し、Ｐ型ドーピング元素がドーピングされた反転ドーピング部と、を含み、前記反転ドーピング部が前記本体部内に占める体積比
は１／２より小さい、ことを特徴とする太陽電池。
【請求項２】前記第１部分のドーピング元素濃度と前記第２部分のドーピング元
濃度の比は１：５０～３：４である、ことを特徴とする請求項１に記載の太陽電池。
【請求項３】前記第１ドーピング導電層のドーピング元素濃度と前記第２部分のドーピング元素濃度の比は１：１００～１：２である、ことを特徴とする請求項
に記載の太陽電池。
【請求項４】前記第１ドーピング導電層は、複数の第３部分と、複数の第４部分
と、を含み、各前記第３部分と各前記第４部分が前記予め設定された方向及び前
記第２ドーピング導電層の厚さ方向に垂直な方向に沿って交互に配列され、各前
第３部分と各前記第４部分がいずれも前記予め設定された方向に沿って延び、１
つの前記第３部分が１つの前記第１部分に正対し、１つの前記第４部分が１つの
前記第２部分に正対し、前記第３部分のドーピング元素濃度が前記第４部分の
元素濃度より小さい、ことを特徴とする請求項１に記載の太陽電池。
【請求項５】前記第１ドーピング導電層のドーピング元素種類がＮ型である場合、前記第３部分のドーピング元素濃度と前記第４部分のドーピング元素濃度の比は１：３０～５：６であり、前記第１ドーピング導電層のドーピング元素種類がＰ
型である場合、前記第３部分のドーピング元素濃度と前記第４部分のドーピング
素濃度の比は１：１００～２：３である、特徴とする請求項４に記載の太陽電池。
【請求項６】前記第４部分のドーピング元素濃度と前記第２部分のドーピング元
素濃度の比は１：１０～５：６である、ことを特徴とする請求項５に記載の太陽
電池。
【請求項７】遮断層をさらに含み、前記遮断層が前記第１ドーピング導電層と前
第２ドーピング導電層の間に位置し、前記遮断層の前記基板に向かう表面が前記
第１ドーピング導電層の前記基板から離れた表面と接触しており、前記遮断層の
前記基板から離れた表面が前記第２ドーピング導電層の前記基板に向かう表面と
接触している、ことを特徴とする請求項１～６のいずれか１項に記載の太陽電池。
【請求項８】前記遮断層の前記基板から離れた表面は各前記第２部分と接触して
おり、前記遮断層の前記第１表面における正射影は前記第２部分の前記第１表面における正射影と重なっている、ことを特徴とする請求項７に記載の太陽電池。
【請求項９】前記遮断層の前記基板から離れた表面は各前記第１部分および各前
記第２部分と接触しており、且つ前記遮断層の前記第１表面における正射影は各
前記第１部分の前記第１表面における正射影および各前記第２部分の前記第１表
面における正射影と重なっている、ことを特徴とする請求項７に記載の太陽電池。
【請求項１０】前記遮断層の材料は、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリ
コン、炭化ケイ素またはフッ化マグネシウムのうちの少なくとも１つを含む、こ
とを特徴とする請求項７に記載の太陽電池。
【請求項１１】第１ドーピング導電層の材料は、アモルファスシリコン、多結晶
シリコンまたは炭化ケイ素のうちの少なくとも１つを含み、前記第２ドーピング
電層の材料は、アモルファスシリコン、多結晶シリコンまたは炭化ケイ素のうち
の少なくとも１つを含む、ことを特徴とする請求項１０に記載の太陽電池。
【請求項１２】前記第１ドーピング導電層は第１多結晶シリコンから構成され、
前記第１部分は第２多結晶シリコンから構成され、前記第２部分は第３多結晶シ
リコンから構成され、前記第１多結晶シリコンの平均結晶粒径は、前記第２多結
晶シリコンの平均結晶粒径より大きく、且つ前記第３多結晶シリコンの平均結晶
粒径より大きい、ことを特徴とする請求項１１に記載の太陽電池。
【請求項１３】前記第３部分は第４多結晶シリコンから構成され、前記第４部分
は第５多結晶シリコンから構成され、前記第１部分は第２多結晶シリコンから構
成され、前記第２部分は第３多結晶シリコンから構成され、ここで、前記第４多
結晶シリコンの平均結晶粒径は前記第５多結晶シリコンの平均結晶粒径より大きく、前記第５多結晶シリコンの平均結晶粒径は前記第３多結晶シリコンの平均結
晶粒径より大きく、前記第２多結晶シリコンの平均結晶粒径は前記第３多結晶シ
リコンの平均結晶粒径より大きい、ことを特徴とする請求項４に記載の太陽電池。
【請求項１４】前記第１ドーピング導電層の厚さと前記第２ドーピング導電層の
厚さの比は２：１～１：１２である、ことを特徴とする請求項１～６のいずれか
１項に記載の太陽電池。
【請求項１５】複数の請求項１に記載された太陽電池を接続することで形成され
た少なくとも１つの電池ストリングと、前記少なくとも１つの電池ストリングを
覆うための少なくとも１つの封止層と、前記少なくとも１つの封止層を覆うため
の少なくとも１つのカバープレートと、を含む、ことを特徴とする光起電力モュ
ール。
【請求項１６】第１表面を備える基板を提供することと、前記第１表面にトンネ
ル層を形成することと、前記トンネル層の前記基板から離れた表面に第１ドーピ
ング導電層を形成することと、前記第１ドーピング導電層の前記基板から離れた
側に第２ドーピング導電層を形成することであって、前記第２ドーピング導電層は、複数の第１部分と、複数の第２部分とを含み、各前記第１部分と各前記第２
部分が予め設定された方向及び前記第２ドーピング導電層の厚さ方向に垂直な方
向に沿って交互に配列され、各前記第１部分と各前記第２部分がいずれも前記予
め設定された方向に沿って延び、ここで、前記第１ドーピング導電層のドーピン
グ元素濃度が前記第１部分のドーピング元素濃度より小さく、且つ前記第１部分
のドーピング元素濃度が前記第２部分のドーピング元素濃度より小さいことと、
複数の第１電極を形成することであって、前記複数の第１電極のうちの各第１電
極はいずれも前記予め設定された方向に沿って延びており、各前記第１電極は各
前記第２部分に１対１で対応し、１つの前記第１電極は対応する前記第２部分に
電気的と接触していることと、を含み、前記予め設定された方向は、前記第１表
面に平行でありかつ前記第１部分と前記第２部分が交互に配列された方向と垂直
な方向であり、前記基板のドーピング元素種類はＮ型ドーピング元素であり、前
記第２部分は、Ｎ型ドーピング元素がドーピングされた本体部と、前記本体部内
位置し、Ｐ型ドーピング元素がドーピングされた反転ドーピング部と、を含み、
前記反転ドーピング部が前記本体部内に占める体積比は１／２より小さい、
ことを特徴とする太陽電池の製造方法。
【請求項１７】前記第２ドーピング導電層を形成するステップの前に、さらに、
前記第１ドーピング導電層の前記基板から離れた表面に位置する遮断層を形成し
、前記遮断層の材料が酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコンまたは炭化
ケイ素のうちの少なくとも１つを含むことを含む、ことを特徴とする請求項１６
に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項１８】 前記重合工程後に実施される加熱工程を更に含む請求項１７に
記載の積層構造体の製造方法。
【請求項１９】 前記基材が電極基体上に予め形成された活物質層であり、前記
積層構造体が積層電極である、又は 前記基材がフィルムセパレータであり、前記
積層構造体が積層セパレータである請求項１６に記載の積層構造体の製造方法。
【請求項２０】 請求項１９に記載の積層構造体の製造方法により積層電極を製
造する電極製造工程と、 前記積層電極を用いて蓄電素子又は発電素子を製造す
る素子化工程と、を含むことを特徴とする蓄電素子又は発電素子の製造方法。
２．特開2024-28210 正極活物質および二次電池
【要約】
下図２８のごとく、リチウムと、遷移金属Ｍと、添加元素と、酸素と、を有する
正極活物質であって、温度１８０℃以上２００℃以下、０．３ＭＰａ以上２ＭＰ
ａ以下の圧力において、正極活物質の粉体における体積抵抗率が１．×１０５Ω・ｃｍ以上である、正極活物質。該正極活物質のメディアン径は３μｍ以上１０μ
ｍ以下であることが好ましい、充放電容量が大きく安全性の高い正極活物質およ
びこれを有する二次電池を提供する。
図２８．正極活物質の体積抵抗率と温度を示すグラフ
【特許請求範囲】
【請求項１】リチウムと、遷移金属Ｍと、添加元素と、酸素と、を有する正極活
物質であって、温度２０℃以上３０℃以下、かつ１０ＭＰａ以上２０ＭＰａ以下
の圧力において、前記正極活物質の粉体における体積抵抗率が１．×１０１０Ω
・ｃｍ以上である、正極活物質。
【請求項２】リチウムと、遷移金属Ｍと、添加元素と、酸素と、を有する正極活
物質であって、温度１８０℃以上２００℃以下、かつ０．３ＭＰａ以上２ＭＰａ
以下の圧力において、前記正極活物質の粉体における体積抵抗率が１×１０５Ω・ｃｍ以上である、正極活物質。
【請求項３】請求項１および請求項２において、前記正極活物質のメディアン径
は３μｍ以上１０μｍ以下である、正極活物質。
【請求項４】請求項３において、前記添加元素は、マグネシウム、フッ素、ニッ
ケルおよびアルミニウムから選択される一または二以上である、正極活物質。
【請求項５】リチウムと、遷移金属Ｍと、添加元素と、酸素と、を有する正極活
物質を有する正極と、電解液と、を有する二次電池であって、前記電解液は、作
用極にＡＢ：ＰＶｄＦ＝１：１で混合したものを炭素コートされたアルミニウム
箔に塗工したものを用い、対極にＬｉ金属を用い、ポリプロピレンのセパレータ
を用いたコインセルを、電圧の走査速度を１．０ｍＶ・ｓ－１とし、温度２５℃
でＬＳＶ測定したとき、５．０Ｖ以下のいずれの電圧においても電流密度が１．
０ｍＡ・ｃｍ－２以下である、二次電池。
【要約】
下図３のごとく、陽電池は、第１表面を備える基板と、第１表面に形成されるト
ンネル層と、トンネル層に形成される第１ドーピング導電層と、第１ドーピング
導電層に形成される第２ドーピング導電層であって、第２ドーピング導電層は、
複数の第１部分と複数の第２部分とを含み、ここで、第１ドーピング導電層のド
ーピング元素濃度が第１部分のドーピング元素濃度より小さく、且つ、第１部分
のドーピング元素濃度が第２部分のドーピング元素濃度より小さい第２ドーピン
グ導電層と、複数の第１電極であって、複数の第１電極のうちの各第１電極がい
ずれも予め設定された方向に沿って延び、１つの第１電極が１つの前記第２部分
と電気的と接触している第１電極と、を含む。本願実施例は、太陽電池の光電変
性能を向上させることに有利である。
図３．本願の一実施例によって提供される第１の太陽電池の断面構造を示す図
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１表面を備える基板と、前記第１表面に形成されるトンネル層と、前記トンネ
ル層の前記基板から離れた表面に形成される第１ドーピング導電層と、前記第１
ドーピング導電層の前記基板から離れた側に形成される第２ドーピング導電層であって、前記第２ドーピング導電層は、複数の第１部分と、複数の第２部分と、
を含み、各前記第１部分と各前記第２部分が予め設定された方向及び前記第２ド
ーピング導電層の厚さ方向に垂直な方向に沿って交互に配列され、各前記第１部
分と各前記第２部分がいずれも前記予め設定された方向に沿って延び、ここで、
前記第１ドーピング導電層のドーピング元素濃度が前記第１部分のドーピング元
濃度より小さく、且つ、前記第１部分のドーピング元素濃度が前記第２部分のドーピング元素濃度より小さい第２ドーピング導電層と、複数の第１電極であって、
前記複数の第１電極のうちの各第１電極がいずれも前記予め設定された方向に沿
って延び、各前記第１電極と各前記第２部分とが１対１で対応しており、１つの
前記第１電極が対応する前記第２部分と電気的と接触している第１電極と、を含み、前記予め設定された方向は、前記第１表面に平行でありかつ前記第１部分と
前記第２部分が交互に配列された方向と垂直な方向であり、前記基板の元素種類
Ｎ型ドーピング元素であり、前記第２部分は、Ｎ型ドーピング元素がドーピング
本体部と、前記本体部内に位置し、Ｐ型ドーピング元素がドーピングされた反転ドーピング部と、を含み、前記反転ドーピング部が前記本体部内に占める体積比
は１／２より小さい、ことを特徴とする太陽電池。
【請求項２】前記第１部分のドーピング元素濃度と前記第２部分のドーピング元
濃度の比は１：５０～３：４である、ことを特徴とする請求項１に記載の太陽電池。
【請求項３】前記第１ドーピング導電層のドーピング元素濃度と前記第２部分のドーピング元素濃度の比は１：１００～１：２である、ことを特徴とする請求項
に記載の太陽電池。
【請求項４】前記第１ドーピング導電層は、複数の第３部分と、複数の第４部分
と、を含み、各前記第３部分と各前記第４部分が前記予め設定された方向及び前
記第２ドーピング導電層の厚さ方向に垂直な方向に沿って交互に配列され、各前
第３部分と各前記第４部分がいずれも前記予め設定された方向に沿って延び、１
つの前記第３部分が１つの前記第１部分に正対し、１つの前記第４部分が１つの
前記第２部分に正対し、前記第３部分のドーピング元素濃度が前記第４部分の
元素濃度より小さい、ことを特徴とする請求項１に記載の太陽電池。
【請求項５】前記第１ドーピング導電層のドーピング元素種類がＮ型である場合、前記第３部分のドーピング元素濃度と前記第４部分のドーピング元素濃度の比は１：３０～５：６であり、前記第１ドーピング導電層のドーピング元素種類がＰ
型である場合、前記第３部分のドーピング元素濃度と前記第４部分のドーピング
素濃度の比は１：１００～２：３である、特徴とする請求項４に記載の太陽電池。
【請求項６】前記第４部分のドーピング元素濃度と前記第２部分のドーピング元
素濃度の比は１：１０～５：６である、ことを特徴とする請求項５に記載の太陽
電池。
【請求項７】遮断層をさらに含み、前記遮断層が前記第１ドーピング導電層と前
第２ドーピング導電層の間に位置し、前記遮断層の前記基板に向かう表面が前記
第１ドーピング導電層の前記基板から離れた表面と接触しており、前記遮断層の
前記基板から離れた表面が前記第２ドーピング導電層の前記基板に向かう表面と
接触している、ことを特徴とする請求項１～６のいずれか１項に記載の太陽電池。
【請求項８】前記遮断層の前記基板から離れた表面は各前記第２部分と接触して
おり、前記遮断層の前記第１表面における正射影は前記第２部分の前記第１表面における正射影と重なっている、ことを特徴とする請求項７に記載の太陽電池。
【請求項９】前記遮断層の前記基板から離れた表面は各前記第１部分および各前
記第２部分と接触しており、且つ前記遮断層の前記第１表面における正射影は各
前記第１部分の前記第１表面における正射影および各前記第２部分の前記第１表
面における正射影と重なっている、ことを特徴とする請求項７に記載の太陽電池。
【請求項１０】前記遮断層の材料は、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリ
コン、炭化ケイ素またはフッ化マグネシウムのうちの少なくとも１つを含む、こ
とを特徴とする請求項７に記載の太陽電池。
【請求項１１】第１ドーピング導電層の材料は、アモルファスシリコン、多結晶
シリコンまたは炭化ケイ素のうちの少なくとも１つを含み、前記第２ドーピング
電層の材料は、アモルファスシリコン、多結晶シリコンまたは炭化ケイ素のうち
の少なくとも１つを含む、ことを特徴とする請求項１０に記載の太陽電池。
【請求項１２】前記第１ドーピング導電層は第１多結晶シリコンから構成され、
前記第１部分は第２多結晶シリコンから構成され、前記第２部分は第３多結晶シ
リコンから構成され、前記第１多結晶シリコンの平均結晶粒径は、前記第２多結
晶シリコンの平均結晶粒径より大きく、且つ前記第３多結晶シリコンの平均結晶
粒径より大きい、ことを特徴とする請求項１１に記載の太陽電池。
【請求項１３】前記第３部分は第４多結晶シリコンから構成され、前記第４部分
は第５多結晶シリコンから構成され、前記第１部分は第２多結晶シリコンから構
成され、前記第２部分は第３多結晶シリコンから構成され、ここで、前記第４多
結晶シリコンの平均結晶粒径は前記第５多結晶シリコンの平均結晶粒径より大きく、前記第５多結晶シリコンの平均結晶粒径は前記第３多結晶シリコンの平均結
晶粒径より大きく、前記第２多結晶シリコンの平均結晶粒径は前記第３多結晶シ
リコンの平均結晶粒径より大きい、ことを特徴とする請求項４に記載の太陽電池。
【請求項１４】前記第１ドーピング導電層の厚さと前記第２ドーピング導電層の
厚さの比は２：１～１：１２である、ことを特徴とする請求項１～６のいずれか
１項に記載の太陽電池。
【請求項１５】複数の請求項１に記載された太陽電池を接続することで形成され
た少なくとも１つの電池ストリングと、前記少なくとも１つの電池ストリングを
覆うための少なくとも１つの封止層と、前記少なくとも１つの封止層を覆うため
の少なくとも１つのカバープレートと、を含む、ことを特徴とする光起電力モュ
ール。
【請求項１６】第１表面を備える基板を提供することと、前記第１表面にトンネ
ル層を形成することと、前記トンネル層の前記基板から離れた表面に第１ドーピ
ング導電層を形成することと、前記第１ドーピング導電層の前記基板から離れた
側に第２ドーピング導電層を形成することであって、前記第２ドーピング導電層は、複数の第１部分と、複数の第２部分とを含み、各前記第１部分と各前記第２
部分が予め設定された方向及び前記第２ドーピング導電層の厚さ方向に垂直な方
向に沿って交互に配列され、各前記第１部分と各前記第２部分がいずれも前記予
め設定された方向に沿って延び、ここで、前記第１ドーピング導電層のドーピン
グ元素濃度が前記第１部分のドーピング元素濃度より小さく、且つ前記第１部分
のドーピング元素濃度が前記第２部分のドーピング元素濃度より小さいことと、
複数の第１電極を形成することであって、前記複数の第１電極のうちの各第１電
極はいずれも前記予め設定された方向に沿って延びており、各前記第１電極は各
前記第２部分に１対１で対応し、１つの前記第１電極は対応する前記第２部分に
電気的と接触していることと、を含み、前記予め設定された方向は、前記第１表
面に平行でありかつ前記第１部分と前記第２部分が交互に配列された方向と垂直
な方向であり、前記基板のドーピング元素種類はＮ型ドーピング元素であり、前
記第２部分は、Ｎ型ドーピング元素がドーピングされた本体部と、前記本体部内
位置し、Ｐ型ドーピング元素がドーピングされた反転ドーピング部と、を含み、
前記反転ドーピング部が前記本体部内に占める体積比は１／２より小さい、
ことを特徴とする太陽電池の製造方法。
【請求項１７】前記第２ドーピング導電層を形成するステップの前に、さらに、
前記第１ドーピング導電層の前記基板から離れた表面に位置する遮断層を形成し
、前記遮断層の材料が酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコンまたは炭化
ケイ素のうちの少なくとも１つを含むことを含む、ことを特徴とする請求項１６
に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項１８】 前記重合工程後に実施される加熱工程を更に含む請求項１７に
記載の積層構造体の製造方法。
【請求項１９】 前記基材が電極基体上に予め形成された活物質層であり、前記
積層構造体が積層電極である、又は 前記基材がフィルムセパレータであり、前記
積層構造体が積層セパレータである請求項１６に記載の積層構造体の製造方法。
【請求項２０】 請求項１９に記載の積層構造体の製造方法により積層電極を製
造する電極製造工程と、 前記積層電極を用いて蓄電素子又は発電素子を製造す
る素子化工程と、を含むことを特徴とする蓄電素子又は発電素子の製造方法。
２．特開2024-28210 正極活物質および二次電池
【要約】
下図２８のごとく、リチウムと、遷移金属Ｍと、添加元素と、酸素と、を有する
正極活物質であって、温度１８０℃以上２００℃以下、０．３ＭＰａ以上２ＭＰ
ａ以下の圧力において、正極活物質の粉体における体積抵抗率が１．×１０５Ω・ｃｍ以上である、正極活物質。該正極活物質のメディアン径は３μｍ以上１０μ
ｍ以下であることが好ましい、充放電容量が大きく安全性の高い正極活物質およ
びこれを有する二次電池を提供する。
図２８．正極活物質の体積抵抗率と温度を示すグラフ
【特許請求範囲】
【請求項１】リチウムと、遷移金属Ｍと、添加元素と、酸素と、を有する正極活
物質であって、温度２０℃以上３０℃以下、かつ１０ＭＰａ以上２０ＭＰａ以下
の圧力において、前記正極活物質の粉体における体積抵抗率が１．×１０１０Ω
・ｃｍ以上である、正極活物質。
【請求項２】リチウムと、遷移金属Ｍと、添加元素と、酸素と、を有する正極活
物質であって、温度１８０℃以上２００℃以下、かつ０．３ＭＰａ以上２ＭＰａ
以下の圧力において、前記正極活物質の粉体における体積抵抗率が１×１０５Ω・ｃｍ以上である、正極活物質。
【請求項３】請求項１および請求項２において、前記正極活物質のメディアン径
は３μｍ以上１０μｍ以下である、正極活物質。
【請求項４】請求項３において、前記添加元素は、マグネシウム、フッ素、ニッ
ケルおよびアルミニウムから選択される一または二以上である、正極活物質。
【請求項５】リチウムと、遷移金属Ｍと、添加元素と、酸素と、を有する正極活
物質を有する正極と、電解液と、を有する二次電池であって、前記電解液は、作
用極にＡＢ：ＰＶｄＦ＝１：１で混合したものを炭素コートされたアルミニウム
箔に塗工したものを用い、対極にＬｉ金属を用い、ポリプロピレンのセパレータ
を用いたコインセルを、電圧の走査速度を１．０ｍＶ・ｓ－１とし、温度２５℃
でＬＳＶ測定したとき、５．０Ｖ以下のいずれの電圧においても電流密度が１．
０ｍＡ・ｃｍ－２以下である、二次電池。
特開2024-027324 ｐ型半導体膜の作製方法、ｐ型半導体膜、ペロブスカイト太
陽電池の製造方法、ペロブスカイト太陽電池
【要約】
下図２のごとく、Ｃｕを含むｐ型半導体、ＡｇまたはＰｂの硫化物を含むｐ型半
体のうち少なくとも一種を、オレイルアミン、オレイン酸、炭素数１２－２４の
トリアルキルホスフィン、トリフェニルホスフィン、炭素数５－１９の直鎖状ア
ルキルアミンのうち少なくとも一種の結晶化剤の存在下で結晶化させる工程を含み、当該工程は、基材上に形成されたｐ型半導体の膜に、結晶化剤を接触させて
結晶化させる工程である、ｐ型半導体膜の作製方法である。また、ペロブスカイ
ト太陽電池の正孔輸送層を形成する工程が、前記ｐ型半導体膜の作製方法により
ｐ型半導体を結晶化させる工程を含んでいてもよい。性能が向上した無機ｐ型半
導体膜の作製方法および当該ｐ型半導体膜の提供、また、前記ｐ型半導体膜を用
ペロブスカイト太陽電池の製造方法および当該ペロブスカイト太陽電池の提供で
ある。
図２．実施例１で得られたＣｕＳＣＮ膜のＸ線回折パターン
【特許請求範囲】
陽電池の製造方法、ペロブスカイト太陽電池
【要約】
下図２のごとく、Ｃｕを含むｐ型半導体、ＡｇまたはＰｂの硫化物を含むｐ型半
体のうち少なくとも一種を、オレイルアミン、オレイン酸、炭素数１２－２４の
トリアルキルホスフィン、トリフェニルホスフィン、炭素数５－１９の直鎖状ア
ルキルアミンのうち少なくとも一種の結晶化剤の存在下で結晶化させる工程を含み、当該工程は、基材上に形成されたｐ型半導体の膜に、結晶化剤を接触させて
結晶化させる工程である、ｐ型半導体膜の作製方法である。また、ペロブスカイ
ト太陽電池の正孔輸送層を形成する工程が、前記ｐ型半導体膜の作製方法により
ｐ型半導体を結晶化させる工程を含んでいてもよい。性能が向上した無機ｐ型半
導体膜の作製方法および当該ｐ型半導体膜の提供、また、前記ｐ型半導体膜を用
ペロブスカイト太陽電池の製造方法および当該ペロブスカイト太陽電池の提供で
ある。
図２．実施例１で得られたＣｕＳＣＮ膜のＸ線回折パターン
【特許請求範囲】
【請求項１】Ｃｕを含むｐ型半導体、ＡｇまたはＰｂの硫化物を含むｐ型半導体のうち少なく
とも一種を、オレイルアミン、オレイン酸、炭素数１２－２４のトリアルキルホスフィン、トリフェニルホスフィン、炭素数５－１９の直鎖状アルキルアミンのうち少なくとも一種の結晶
化剤の存在下で結晶化させる工程を含み、前記結晶化させる工程は、基材上に形成さ
れた前記ｐ型半導体の膜に、前記結晶化剤を接触させて結晶化させる工程である、ｐ
型半導体膜の作製方法。
【請求項２】前記ｐ型半導体の膜は、ＣｕＳＣＮ、ＣｕＩ、ＣｕＳｅＣＮ、ＣｕＳ、Ｃｕ２Ｓから選択
される少なくとも一種のｐ型半導体の膜である、請求項１に記載のｐ型半導体膜の作製
方法。
【請求項３】前記結晶化剤はオレイルアミンを含む、請求項１または請求項２に記載のｐ
型半導体膜の作製方法。
【請求項４】導電性基板と電極との間に、金属酸化物層と、ペロブスカイト層と、正孔輸
送層とを順次形成して太陽電池を製造する方法であって、前記正孔輸送層を形成する
工程は、Ｃｕを含むｐ型半導体、ＡｇまたはＰｂの硫化物を含むｐ型半導体のうち少なくと
も一種を用いてペロブスカイト層上に半導体膜を形成し、前記半導体膜にオレイルアミ
ン、オレイン酸、炭素数１２－２４のトリアルキルホスフィン、トリフェニルホスフィン、炭素
数５－１９の直鎖状アルキルアミンのうち少なくとも一種の結晶化剤を接触させて結晶
化させる工程を含む、ペロブスカイト太陽電池の製造方法。
【請求項５】 前記半導体膜のｐ型半導体として、ＣｕＳＣＮ、ＣｕＩ、ＣｕＳｅＣＮ、ＣｕＳ、Ｃｕ２
Ｓから選択される少なくとも一種を用いる、請求項４に記載のペロブスカイト太陽電池の
製造方法。
特開2024-18969 液体組成物、積層構造体、積層構造体の製造方法、及び蓄電素
子又は発電素子の製造方法
【要約】
図２のごとく、重合性化合物、及び液体を含む液体組成物であって、前記重合性化合物は、水酸基と共有結合可能な官能基を有する重合性化合物を含み、前記液体組成物は、重合により多孔質樹脂を形成し、前記液体組成物を攪拌しながら測定した波長５５０ｎｍにおける光透過率が、３０％以上であり、前記液体組成物を重合して前記多孔質樹脂としたときの、ヘイズ測定用素子の重合前後におけるヘイズ値の上昇率が、１．０％以上である液体組成物。
図２
【特許請求範囲】
【請求項１】重合性化合物、及び液体を含む液体組成物であって、前記重合性化
合物は、水酸基と共有結合可能な官能基を有する重合性化合物を含み、前記液体
組成物は、重合により多孔質樹脂を形成し、前記液体組成物を攪拌しながら測定
した波長５５０ｎｍにおける光透過率が、３０％以上であり、前記液体組成物を
重合して前記多孔質樹脂としたときの、ヘイズ測定用素子の重合前後におけるヘイズ値の上昇率が、１．０％以上であることを特徴とする液体組成物。
【請求項２】蓄電素子又は発電素子用の絶縁層形成用の液体組成物であり、前記
多孔質樹脂が、蓄電素子又は発電素子用の絶縁層である請求項１に記載の液体組
成物。
【請求項３】前記重合性化合物の重合性基が、（メタ）アクリロイル基、及びビ
ニル基の少なくともいずれかである請求項１に記載の液体組成物。
【請求項４】前記水酸基と共有結合可能な官能基が、イソシアネート基、カルボ
ジイミド基、エポキシ基、アルコキシシリル基、シラノール基、及びオキサゾリ
ン基から選択される少なくとも１種である請求項１に記載の液体組成物。
【請求項５】前記水酸基と共有結合可能な官能基が、イソシアネート基である請
項１に記載の液体組成物。
【請求項６】 前記重合性化合物が、水酸基を有する重合性化合物を含む請求項
１に記載の液体組成物。
【請求項７】 前記重合性化合物の含有量が、１０．０質量％以上５０．０質量
％以下であり、 前記液体の含有量が、５０．０質量％以上９０．０質量％以下
請求項１に記載の液体組成物。
【請求項８】 前記液体の沸点が、５０℃以上２５０℃以下である請求項１に記
載の液体組成物。
【請求項９】前記重合性化合物が、熱又は光により重合反応を開始する請求項
に記載の液体組成物。
【請求項１０】 ２５℃における粘度が、１ｍＰａ・ｓ以上１５０ｍＰａ・ｓ以
下である請求項１に記載の液体組成物。
【請求項１１】２５℃における粘度が、１ｍＰａ・ｓ以上３０ｍＰａ・ｓ以下で
ある請求項１に記載の液体組成物。
【請求項１２】前記重合性化合物が、水酸基を有する重合性化合物を含む請求項
１に記載の液体組成物。 前記多孔質樹脂が、孔径が０．０１μｍ以上１０μｍ以
下の空孔を有する請求項１に記載の液体組成物。
【請求項１３】前記多孔質樹脂の空隙率が、３０％以上である請求項１に記載の
液体組成物。
【請求項１４】前記多孔質樹脂が、複数の空孔が連続して連結している共連続構
造を有する請求項１に記載の液体組成物。
【請求項１５】
基材と、
前記基材上に、請求項１から１４のいずれかに記載の液体組成物が重合してなる
多孔質樹脂と、を有することを特徴とする積層構造体。
【請求項１６】請求項１から１４のいずれかに記載の液体組成物を基材上に付与する付与工程と、前記液体組成物に熱又は光を付与して重合させる重合工程と、を
含むことを特徴とする積層構造体の製造方法。
【請求項１７】前記液体組成物における前記重合性化合物が、水酸基を有する重
合性化合物を含み、
前記液体組成物又は前記多孔質樹脂に外部エネルギーを付与し、前記水酸基を有する重合性化合物における水酸基と、前記水酸基と共有結合可能な官能基を有する重合性化合物における水酸基と共有結合可能な官能基との間に共有結合を形成させる共有結合形成工程を更に含み、
前記共有結合形成工程は、前記重合工程と同時又は前記重合工程の実施後に実施される請求項１６に記載の積層構造体の製造方法。
とも一種を、オレイルアミン、オレイン酸、炭素数１２－２４のトリアルキルホスフィン、トリフェニルホスフィン、炭素数５－１９の直鎖状アルキルアミンのうち少なくとも一種の結晶
化剤の存在下で結晶化させる工程を含み、前記結晶化させる工程は、基材上に形成さ
れた前記ｐ型半導体の膜に、前記結晶化剤を接触させて結晶化させる工程である、ｐ
型半導体膜の作製方法。
【請求項２】前記ｐ型半導体の膜は、ＣｕＳＣＮ、ＣｕＩ、ＣｕＳｅＣＮ、ＣｕＳ、Ｃｕ２Ｓから選択
される少なくとも一種のｐ型半導体の膜である、請求項１に記載のｐ型半導体膜の作製
方法。
【請求項３】前記結晶化剤はオレイルアミンを含む、請求項１または請求項２に記載のｐ
型半導体膜の作製方法。
【請求項４】導電性基板と電極との間に、金属酸化物層と、ペロブスカイト層と、正孔輸
送層とを順次形成して太陽電池を製造する方法であって、前記正孔輸送層を形成する
工程は、Ｃｕを含むｐ型半導体、ＡｇまたはＰｂの硫化物を含むｐ型半導体のうち少なくと
も一種を用いてペロブスカイト層上に半導体膜を形成し、前記半導体膜にオレイルアミ
ン、オレイン酸、炭素数１２－２４のトリアルキルホスフィン、トリフェニルホスフィン、炭素
数５－１９の直鎖状アルキルアミンのうち少なくとも一種の結晶化剤を接触させて結晶
化させる工程を含む、ペロブスカイト太陽電池の製造方法。
【請求項５】 前記半導体膜のｐ型半導体として、ＣｕＳＣＮ、ＣｕＩ、ＣｕＳｅＣＮ、ＣｕＳ、Ｃｕ２
Ｓから選択される少なくとも一種を用いる、請求項４に記載のペロブスカイト太陽電池の
製造方法。
特開2024-18969 液体組成物、積層構造体、積層構造体の製造方法、及び蓄電素
子又は発電素子の製造方法
【要約】
図２のごとく、重合性化合物、及び液体を含む液体組成物であって、前記重合性化合物は、水酸基と共有結合可能な官能基を有する重合性化合物を含み、前記液体組成物は、重合により多孔質樹脂を形成し、前記液体組成物を攪拌しながら測定した波長５５０ｎｍにおける光透過率が、３０％以上であり、前記液体組成物を重合して前記多孔質樹脂としたときの、ヘイズ測定用素子の重合前後におけるヘイズ値の上昇率が、１．０％以上である液体組成物。
図２
【特許請求範囲】
【請求項１】重合性化合物、及び液体を含む液体組成物であって、前記重合性化
合物は、水酸基と共有結合可能な官能基を有する重合性化合物を含み、前記液体
組成物は、重合により多孔質樹脂を形成し、前記液体組成物を攪拌しながら測定
した波長５５０ｎｍにおける光透過率が、３０％以上であり、前記液体組成物を
重合して前記多孔質樹脂としたときの、ヘイズ測定用素子の重合前後におけるヘイズ値の上昇率が、１．０％以上であることを特徴とする液体組成物。
【請求項２】蓄電素子又は発電素子用の絶縁層形成用の液体組成物であり、前記
多孔質樹脂が、蓄電素子又は発電素子用の絶縁層である請求項１に記載の液体組
成物。
【請求項３】前記重合性化合物の重合性基が、（メタ）アクリロイル基、及びビ
ニル基の少なくともいずれかである請求項１に記載の液体組成物。
【請求項４】前記水酸基と共有結合可能な官能基が、イソシアネート基、カルボ
ジイミド基、エポキシ基、アルコキシシリル基、シラノール基、及びオキサゾリ
ン基から選択される少なくとも１種である請求項１に記載の液体組成物。
【請求項５】前記水酸基と共有結合可能な官能基が、イソシアネート基である請
項１に記載の液体組成物。
【請求項６】 前記重合性化合物が、水酸基を有する重合性化合物を含む請求項
１に記載の液体組成物。
【請求項７】 前記重合性化合物の含有量が、１０．０質量％以上５０．０質量
％以下であり、 前記液体の含有量が、５０．０質量％以上９０．０質量％以下
請求項１に記載の液体組成物。
【請求項８】 前記液体の沸点が、５０℃以上２５０℃以下である請求項１に記
載の液体組成物。
【請求項９】前記重合性化合物が、熱又は光により重合反応を開始する請求項
に記載の液体組成物。
【請求項１０】 ２５℃における粘度が、１ｍＰａ・ｓ以上１５０ｍＰａ・ｓ以
下である請求項１に記載の液体組成物。
【請求項１１】２５℃における粘度が、１ｍＰａ・ｓ以上３０ｍＰａ・ｓ以下で
ある請求項１に記載の液体組成物。
【請求項１２】前記重合性化合物が、水酸基を有する重合性化合物を含む請求項
１に記載の液体組成物。 前記多孔質樹脂が、孔径が０．０１μｍ以上１０μｍ以
下の空孔を有する請求項１に記載の液体組成物。
【請求項１３】前記多孔質樹脂の空隙率が、３０％以上である請求項１に記載の
液体組成物。
【請求項１４】前記多孔質樹脂が、複数の空孔が連続して連結している共連続構
造を有する請求項１に記載の液体組成物。
【請求項１５】
基材と、
前記基材上に、請求項１から１４のいずれかに記載の液体組成物が重合してなる
多孔質樹脂と、を有することを特徴とする積層構造体。
【請求項１６】請求項１から１４のいずれかに記載の液体組成物を基材上に付与する付与工程と、前記液体組成物に熱又は光を付与して重合させる重合工程と、を
含むことを特徴とする積層構造体の製造方法。
【請求項１７】前記液体組成物における前記重合性化合物が、水酸基を有する重
合性化合物を含み、
前記液体組成物又は前記多孔質樹脂に外部エネルギーを付与し、前記水酸基を有する重合性化合物における水酸基と、前記水酸基と共有結合可能な官能基を有する重合性化合物における水酸基と共有結合可能な官能基との間に共有結合を形成させる共有結合形成工程を更に含み、
前記共有結合形成工程は、前記重合工程と同時又は前記重合工程の実施後に実施される請求項１６に記載の積層構造体の製造方法。
特開2024-28171 太陽電池
【要約】
第1電池と、第2電池とを備え、第1電池の第1光電変換層１０と第2電池の第2光電
変換層２０との間に、第1電荷輸送層３１と、透明導電層３２と、第2電荷輸送層３３と、多結晶シリコン層３４とが設けられ、第2電荷輸送層が、多結晶シリコン
層と透明導電層との間に設けられ、前記第2電荷輸送層と前記多結晶シリコン層と
の電荷輸送特性が同じである太陽電池に関する。本発明に係る太陽電池では、第
1光電変換層と第2光電変換層との間に、第1電荷輸送層、透明導電層、第2電荷輸
送層及び多結晶シリコン層が順次設けられ、特に、第2電荷輸送層の設置は、多
結晶シリコン層を保護することができ、同一種類の電荷を効果的に輸送すること
ができ、界面又は薄膜内部での再結合現象の発生を回避し、電池効率を効果的に
向上させることができる。
【効果】本願の太陽電池は、構造が簡単で、製造プロセスが簡便で、コストが低
いなどの特徴を有する。
【選択図】図１
図１
特開2024-24793 太陽電池素子コーティング組成物ならびに太陽電池モジュール
およびその製造方法
【要約】
Ａ）下記式（１）で表されるオルガノハイドロジェンポリシロキサン、
（式中、Ｒ1はアルキル基、Ｒ2はアルキル基またはアリール基、Ｒ3は水素原子
またはメチル基、Ｍｅはメチル基を表す。ｍは１～１０の整数、ａおよびｂはそ
れぞれ１以上の整数、ａ＋ｂは３～８０の整数である。ａおよびｂが付された括
弧内のシロキサン単位の配列は、任意であってよい。）
（Ｂ）光重合開始剤、および、
（Ｃ）白金族金属系触媒
を含み、２３℃における表面張力が２３～３０ｍＮ／ｍであり、かつ２３℃における粘度が５～８０ｍＰａ・ｓである太陽電池素子コーティング組成物。
【要約】
第1電池と、第2電池とを備え、第1電池の第1光電変換層１０と第2電池の第2光電
変換層２０との間に、第1電荷輸送層３１と、透明導電層３２と、第2電荷輸送層３３と、多結晶シリコン層３４とが設けられ、第2電荷輸送層が、多結晶シリコン
層と透明導電層との間に設けられ、前記第2電荷輸送層と前記多結晶シリコン層と
の電荷輸送特性が同じである太陽電池に関する。本発明に係る太陽電池では、第
1光電変換層と第2光電変換層との間に、第1電荷輸送層、透明導電層、第2電荷輸
送層及び多結晶シリコン層が順次設けられ、特に、第2電荷輸送層の設置は、多
結晶シリコン層を保護することができ、同一種類の電荷を効果的に輸送すること
ができ、界面又は薄膜内部での再結合現象の発生を回避し、電池効率を効果的に
向上させることができる。
【効果】本願の太陽電池は、構造が簡単で、製造プロセスが簡便で、コストが低
いなどの特徴を有する。
【選択図】図１
図１
特開2024-24793 太陽電池素子コーティング組成物ならびに太陽電池モジュール
およびその製造方法
【要約】
Ａ）下記式（１）で表されるオルガノハイドロジェンポリシロキサン、
（式中、Ｒ1はアルキル基、Ｒ2はアルキル基またはアリール基、Ｒ3は水素原子
またはメチル基、Ｍｅはメチル基を表す。ｍは１～１０の整数、ａおよびｂはそ
れぞれ１以上の整数、ａ＋ｂは３～８０の整数である。ａおよびｂが付された括
弧内のシロキサン単位の配列は、任意であってよい。）
（Ｂ）光重合開始剤、および、
（Ｃ）白金族金属系触媒
を含み、２３℃における表面張力が２３～３０ｍＮ／ｍであり、かつ２３℃における粘度が５～８０ｍＰａ・ｓである太陽電池素子コーティング組成物。
● 今日の寸評：目標への道筋は平坦ばかりではありません。
それでも、ゴールを見失うことなく
あゆみ続けることが大切です。
Whether things are going well not､try your
best right now and have trust in the future，
浄土宗の月訓より
それでも、ゴールを見失うことなく
あゆみ続けることが大切です。
Whether things are going well not､try your
best right now and have trust in the future，
浄土宗の月訓より
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