量子スケールデバイス工学（５）

 

 

図１

●量子スケールデバイス工学（５）

【量子ドット太陽電池研究Ⅰ 下】  

図７に示したように、エネルギー選択移動部２１ｙは、キャリア発生部２１ｘと発光部２１ｚ
とを繋ぐ部位であり、キャリア発生部２１ｘで生成された様々なエネルギーを有する電子
及び正孔のうち、エネルギーがＥｃ１ｂである電子とエネルギーがＥｖ１ｑである正孔の
みを選択的に発光部２１ｚへと移動させる機能を有している。同様に、エネルギー選択移
動部２２ｙは、キャリア発生部２２ｘで生成された様々なエネルギーを有する電子及び正
孔のうち、エネルギーがＥｃ１ｂである電子とエネルギーがＥｖ１ｑである正孔のみを選
択的に発光部２２ｚへと移動させる機能を有している。また、エネルギー選択移動部２３
ｙは、キャリア発生部２３ｘで生成された様々なエネルギーを有する電子及び正孔のうち、
エネルギーがＥｃ１ｂである電子とエネルギーがＥｖ１ｑである正孔のみを選択的に発光
部２３ｚへと移動させる機能を有している。キャリア発生部２１ｘ、２２ｘ、２３ｘから
キャリア選択移動部２１ｙ、２２ｙ、２３ｙを経て発光部２１ｚ、２２ｚ、２３ｚへと移
動した電子及び正孔は、発光部２１ｚ、２２ｚ、２３ｚで結合する。かかる過程を経るこ
とにより、波長変換部２０は、エネルギーＥｇ２の単色光を発生させる。

　図７

 

キャリア発生部２１ｘで生成された電子のうち、エネルギーＥｃ１ｂの電子は、そのまま
エネルギー選択移動部２１ｙを通過して発光部２１ｚへと達する。また、キャリア発生部
２１ｘで生成された正孔のうち、エネルギーＥｖ１ｑの正孔は、そのままエネルギー選択
移動部２１ｙを通過して発光部２１ｚへと達する。そして、発光部２１ｚで電子及び正孔
が結合することにより、エネルギーＥｇ２の単色光になる。これに対し、キャリア発生部
２１ｘの伝導帯の電子分布においてＥｃ１ｂとは異なるエネルギーを有する電子は、相互
にエネルギーの授受を行い、一部の電子のエネルギーはＥｃ１ｂになる。同様に、キャリ
ア発生部２１ｘの価電子帯の正孔分布においてＥｖ１ｑとは異なるエネルギーを有する正
孔は、相互にエネルギーの授受を行い、一部の正孔のエネルギーはＥｖ１ｑになる。こう
して、エネルギーＥｃ１ｂになった電子、及び、エネルギーＥｖ１ｑになった正孔は、エ
ネルギー選択移動部２１ｙを経由して発光部２１ｚへと移動することができ、発光部２１ｚ
で結合することにより、エネルギーＥｇ２の単色光になる。

また、キャリア発生部２２ｘで生成された電子のうち、エネルギーＥｃ１ｂの電子は、そ
のままエネルギー選択移動部２２ｙを通過して発光部２２ｚへと達し、キャリア発生部２２ｘ
で生成された正孔のうち、エネルギーＥｖ１ｑの正孔は、そのままエネルギー選択移動部
２２ｙを通過して発光部２２ｚへと達する。そして、発光部２２ｚで電子及び正孔が結合
することにより、エネルギーＥｇ２の単色光になる。これに対し、キャリア発生部２２ｘ
の伝導帯の電子分布においてＥｃ１ｂとは異なるエネルギーを有する電子は、相互にエネ
ルギーの授受を行い、一部の電子のエネルギーはＥｃ１ｂになる。同様に、キャリア発生
部２２ｘの価電子帯の正孔分布においてＥｖ１ｑとは異なるエネルギーを有する正孔は、
相互にエネルギーの授受を行い、一部の正孔のエネルギーはＥｖ１ｑになる。こうして、
エネルギーＥｃ１ｂになった電子、及び、エネルギーＥｖ１ｑになった正孔は、エネルギ
ー選択移動部２２ｙを経由して発光部２２ｚへと移動することができ、発光部２２ｚで結
合することにより、エネルギーＥｇ２の単色光になる。

また、キャリア発生部２３ｘで生成された電子のうち、エネルギーＥｃ１ｂの電子は、そ
のままエネルギー選択移動部２３ｙを通過して発光部２３ｚへと達し、キャリア発生部２３ｘ
で生成された正孔のうち、エネルギーＥｖ１ｑの正孔は、そのままエネルギー選択移動部
２３ｙを通過して発光部２３ｚへと達する。そして、発光部２３ｚで電子及び正孔が結合
することにより、エネルギーＥｇ２の単色光になる。これに対し、キャリア発生部２３ｘ
の伝導帯の電子分布においてＥｃ１ｂとは異なるエネルギーを有する電子は、相互にエネ
ルギーの授受を行い、一部の電子のエネルギーはＥｃ１ｂになる。同様に、キャリア発生
部２３ｘの価電子帯の正孔分布においてＥｖ１ｑとは異なるエネルギーを有する正孔は、
相互にエネルギーの授受を行い、一部の正孔のエネルギーはＥｖ１ｑになる。こうして、
エネルギーＥｃ１ｂになった電子、及び、エネルギーＥｖ１ｑになった正孔は、エネルギ
ー選択移動部２３ｙを経由して発光部２３ｚへと移動することができ、発光部２３ｚで結
合することにより、エネルギーＥｇ２の単色光になる。

ここで、蛍光材料を用いている従来のダウンコンバージョン型の太陽電池では、相互作用
させることが可能な電子・正孔が、飛び飛びのエネルギー準位を有する電子・正孔に限ら
れていた。これに対し、キャリア発生部２１ｘ、２２ｘ、２３ｘは、半導体材料によって
構成されているので、様々なエネルギーを有する電子同士・正孔同士を相互作用させるこ
とにより、エネルギーＥｃ１ｂの電子、及び、エネルギーＥｖ１ｑの正孔を生じさせるこ
とができる。さらに、波長変換部２０は、互いに異なる離散準位が形成された波長変換粒
子２１、２２、２３を有しているので、単一形態の波長変換粒子が用いられる場合と比較
して、エネルギーがＥｇ１ａ以上である様々なエネルギーの光を吸収することができる。
加えて、互いに異なる離散準位が形成された波長変換粒子２１、２２、２３において、量
子井戸層２１ｙｂ、２２ｙｂ、２３ｙｂの伝導帯側に形成されている離散準位のエネルギ
ーは、すべてＥｃ１ｂとされており、量子井戸層２１ｙｂ、２２ｙｂ、２３ｙｂの価電子
帯側に形成されている離散準位のエネルギーは、すべてＥｖ１ｑとされている。このよう
な形態とすることにより、波長変換粒子２１、２２、２３のすべてから、エネルギーＥｇ２
の単色光を生成させることができる。こうして波長変換部２０で発生させた単色光は、光
電変換部３０へと向かう。

光電変換部３０は、バンドギャップがＥｇ３であるｎ層３１及びｐ層３２を有している。
ここで、Ｅｇ３はＥｇ２よりも約０．１ｅＶ小さい。それゆえ、波長変換部２０で発生さ
せたエネルギーＥｇ２の単色光は、光電変換部３０に吸収され、電子及び正孔が生成され
る。こうして生成された電子及び正孔は、Ｅｇ２とＥｇ３との差が約０．１ｅＶと小さい
ため、ほとんどエネルギーを失うことなく、ｐｎ接合３３によって形成された内部電界に
より分離され、電子はｎ層３１側へと移動し、ｎ層３１に接続されている表面電極１５へ
と収集される。また、正孔はｐ層３２側へと移動し、ｐ層３２に接続されている裏面電極
１４へと収集される。

0072
このように、太陽電池２００では、キャリア発生部２１ｘ、２２ｘ、２３ｘで発生させた
キャリアを、エネルギー選択移動部２１ｙ、２２ｙ、２３ｙを経由して発光部２１ｚ、２２ｚ、
２３ｚへと移動させ、発光部２１ｚ、２２ｚ、２３ｚでこれらを結合させることにより、
単色光を発生させる。かかる形態とすることにより、キャリア発生部２１ｘ、２２ｘ、２３ｘ
で高いエネルギーへと励起された電子及び正孔を、エネルギーが失われる前に発光部２１ｚ、
２２ｚ、２３ｚへと移動させて結合させることが可能になるので、エネルギー損失を低減
することが可能になる。また、波長変換部２０は、キャリア発生部２１ｘ、２２ｘ、２３ｘ
で発生させたキャリアを発光部２１ｚ、２２ｚ、２３ｚで結合させることを目的としてお
り、発生させたキャリアをそのまま外部へ取り出すことを意図していない。それゆえ、波
長変換部２０では、従来のホットキャリア型太陽電池のように、キャリアを電極まで移動
させる必要がないので、移動時に失われるエネルギーを大幅に低減することが可能になる。
特に、キャリア発生部２１ｘ、２２ｘ、２３ｘの大きさ・厚さを制御して、キャリア発生
部２１ｘ、２２ｘ、２３ｘで発生させたキャリアがエネルギー選択移動部２１ｙ、２２ｙ、
２３ｙへと達するまでの移動距離を１０ｎｍ以下程度にすることにより、移動時に失われ
るエネルギーを大幅に低減することが可能になる。さらに、キャリア発生部２１ｘ、２２ｘ、
２３ｘに半導体材料を用いる形態とすることにより、蛍光材料を用いている従来のダウン
コンバージョン型の太陽電池よりも、キャリアを生じさせるために利用可能な光の波長範
囲を大幅に広げることが可能になる。さらに、波長変換部２０が、大きさが異なるキャリ
ア発生部２１ｘ、２２ｘ、２３ｘを有する波長変換粒子２１、２２、２３を有する形態と
することにより、単一形態の波長変換粒子が用いられる場合と比較して、エネルギーがＥｇ１ａ
以上である幅広い帯域の光を、キャリア発生部２１ｘ、２２ｘ、２３ｘで吸収しやすくな
る。加えて、波長変換部２０に用いられている波長変換粒子２１、２２、２３は、量子井
戸層２１ｙｂ、２２ｙｂ、２３ｙｂの伝導帯側に形成されている離散準位のエネルギーを
等しくし、且つ、価電子帯側に形成されている離散準位のエネルギーを等しくするように
調整されている。かかる形態とすることにより、波長変換部２０から発生させる単色光の
エネルギーをＥｇ２に特定することができるので、ｎ層３１及びｐ層３２を構成する半導
体材料のバンドギャップを、エネルギーＥｇ２の単色光を低損失で吸収可能なように調整
することで、エネルギー損失を低減することが容易になる。したがって、本発明によれば、
光電変換効率を高めることが可能な太陽電池２００を提供することができる。太陽電池200
では、光を単色光へと変換させる波長変換部２０の効率を高めることにより、光電変換効
率を高めることが容易になる。また、エネルギー選択移動部２１ｙ、２２ｙ、２３ｙや発
生部２１ｚ、２２ｚ、２３ｚに用いる半導体材料の組成や形状を調節することにより、太
陽電池２００では、波長変換部２０で発生させる単色光のエネルギーを自在に調節するこ
とができる。

太陽電池２００において、キャリア発生部２１ｘ、２２ｘ、２３ｘを構成する半導体材料
のバンドギャップは、キャリア発生部１６ｘａ、１６ｙａ、１６ｚａを構成する半導体材
料のバンドギャップと同程度にすることができる。キャリア発生部２１ｘの直径及びバン
ドギャップは、キャリア発生部１６ｘａの直径及びバンドギャップと同程度にすることが
でき、キャリア発生部２２ｘの直径及びバンドギャップは、キャリア発生部１６ｙａの直
径及びバンドギャップと同程度にすることができ、キャリア発生部２３ｘの直径及びバン
ドギャップは、キャリア発生部１６ｚａの直径及びバンドギャップと同程度にすることが
できる。また、キャリア発生部２１ｘ、２２ｘ、２３ｘは、キャリア発生部１６ｘａ、
１６ｙａ、１６ｚａと同様の材料によって構成することができ、キャリア発生部１６ｘａ
１６ｙａ、１６ｚａと同様の方法によって作製することができる。

また、第１障壁層２１ｙａ、２２ｙａ、２３ｙａ、及び、第２障壁層２１ｙｃ、２２ｙｃ、
２３ｙｃを構成する半導体材料のバンドギャップは、第１障壁層１６ｘｂａ、１６ｙｂａ、
１６ｚｂａや第２障壁層１６ｘｂｂ、１６ｙｂｂ、１６ｚｂｂを構成する半導体材料のバ
ンドギャップと同程度にすることができる。第１障壁層２１ｙａ、２２ｙａ、２３ｙａ、
及び、第２障壁層２１ｙｃ、２２ｙｃ、２３ｙｃの厚さは、第１障壁層１６ｘｂａ、１６
ｙｂａ、１６ｚｂａや第２障壁層１６ｘｂｂ、１６ｙｂｂ、１６ｚｂｂの厚さと同程度に
することができる。また、第１障壁層２１ｙａ、２２ｙａ、２３ｙａ、及び、第２障壁層
２１ｙｃ、２２ｙｃ、２３ｙｃは、第１障壁層１６ｘｂａ、１６ｙｂａ、１６ｚｂａや第
２障壁層１６ｘｂｂ、１６ｙｂｂ、１６ｚｂｂと同様の材料によって構成することができ、
第１障壁層１６ｘｂａ、１６ｙｂａ、１６ｚｂａや第２障壁層１６ｘｂｂ、１６ｙｂｂ、
１６ｚｂｂと同様の方法によって作製することができる。

また、発光部２１ｚ、２２ｚ、２３ｚを構成する半導体材料のバンドギャップは、例えば、
０．６ｅＶ以上３．０ｅＶ以下とすることができ、発光部２１ｚ、２２ｚ、２３ｚの厚さ
は、例えば２ｎｍ以上２０ｎｍ以下とすることができる。発光部２１ｚ、２２ｚ、２３ｚ
を構成可能な半導体材料としては、Ｇｅ、ＧａＳｂ、ＩｎＰＡｓ、ＧａＡｓＳｂ、Ｇａ
ＩｎＡｓ、Ｓｉ、ＩｎＰ、ＧａＡｓ、ＣｄＴｅ、ＣｄＳｅ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＩｎＰ、
ＡｌＡｓ、ＺｎＴｅ、ＧａＰ、ＣｄＳ、ＺｎＳｅ等を例示することができる。発光部２１ｚ、
２２ｚ、２３ｚを、Ｇｅ、Ｓｉ等のＩＶ族元素や、ＩｎＡｓ、ＧａＳｂ、ＧａＡｓＳｂ、
ＧａＩｎＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＩｎＰ、ＡｌＡｓ、ＧａＰ等のⅢ
－Ｖ族化合物で構成する場合、発光部２１ｚ、２２ｚ、２３ｚは有機金属気相成長法（Ｍ
ＯＣＶＤ）や分子線エピタキシ法（ＭＢＥ）等の気相成長法によって作製することができ
る。また、発光部２１ｚ、２２ｚ、２３ｚを、ＰｂＳｅ、ＰｂＳ等のⅣ－Ⅵ族化合物や、
ＣｄＴｅ、ＣｄＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＳ等のⅡ－Ⅵ族化合物で構成す
る場合、発光部２１ｚ、２２ｚ、２３ｚはイオンプレーティングを含む真空蒸着法や、ス
パッタ法等の気相成長法や、ゾルゲル法、ソルボサーマル法等の化学的合成法によって作
製することができる。

また、光電変換部３０に用いる半導体材料のバンドギャップＥｇ３は、例えば、０．５ｅ
Ｖ以上１．６ｅＶ以下とすることができる。光電変換部３０を構成可能な半導体材料とし
ては、Ｇｅ、ＧａＳｂ、ＧａＡｓＳｂ、ＧａＩｎＡｓ、Ｓｉ、ＩｎＰ、ＧａＡｓ、ＣｄＴｅ
等を例示することができる。光電変換部３０において、ｎ層３１は、これらの半導体材料
に公知のｎ型不純物を添加することによって作製することができ、ｐ層３２は、これらの
半導体材料に公知のｐ型不純物を添加することによって作製することができる。ｎ層３１
の厚さは例えば１００ｎｍ程度とすることができ、ｐ層３２の厚さは例えば２μｍ程度と
することができる。また、光電変換部３０を、Ｇｅ、Ｓｉ等のＩＶ族元素や、ＩｎＡｓ、
ＧａＳｂ、ＧａＡｓＳｂ、ＧａＩｎＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＡｓ等のⅢ－Ⅴ族化合物で構成す
る場合、光電変換部３０は有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）や分子線エピタキシ法（Ｍ
ＢＥ）等の気相成長法によって作製することができる。また、光電変換部３０を、ＰｂＳｅ、
ＰｂＳ等のⅣ－Ⅵ族化合物や、ＣｄＴｅ等のⅡ－Ⅵ族化合物で構成する場合には、イオン
プレーティングを含む真空蒸着法や、スパッタ法等の気相成長法や、ゾルゲル法、ソルボ
サーマル法等の化学的合成法によって作製することができる。

図８

図８は、第２実施形態にかかる本発明の光電変換素子の、波長変換部に使用可能な波長変
換粒子４１、４２、４３を説明する断面図であり、図９は、波長変換粒子４１、４２、４３
のバンド構造を説明する、図７に対応した図である。

図８に示したように、波長変換粒子４１は、キャリア発生部４１ｘと、該キャリア発生部
４１ｘの表面を覆うように配置されたエネルギー選択移動部４１ｙと、該エネルギー選択
移動部４１ｙの表面を覆うように配置された半導体部４１ｚと、を有している。キャリア
発生部４１ｘ、エネルギー選択移動部４１ｙ、及び、半導体部４１ｚは、何れも、半導体
材料によって構成されている。エネルギー選択移動部４１ｙは、キャリア発生部４１ｘの
表面に形成された第１障壁層４１ｙａ、該第１障壁層４１ｙａの表面に形成された量子井
戸層４１ｙｂ、及び、該量子井戸層４１ｙｂの表面に形成された第２障壁層４１ｙｃを有
している。波長変換粒子４１では、その中心側から外側へ向かって、キャリア発生部４１ｘ、
第１障壁層４１ｙａ、量子井戸層４１ｙｂ、第２障壁層４１ｙｃ、及び、半導体部４１ｚ
が同心円状に配置されている。波長変換粒子４１において、第１障壁層４１ｙａ及び第２
障壁層４１ｙｃは、キャリアがトンネル伝導により通過可能な厚さとされており、半導体
部４１ｚは、キャリアがトンネル伝導により通過できない厚さとされている。

図９
図９に示したように、波長変換粒子４１は、キャリア発生部４１ｘを構成する半導体材料
の伝導帯側に６つの離散準位が形成されており、キャリア発生部４１ｘを構成する半導体
材料の価電子帯側には離散準位が形成されていない。キャリア発生部４１ｘの伝導帯側に
形成されている離散準位のうち最も低エネルギーの離散準位と、キャリア発生部４１ｘの
価電子帯上端のエネルギーＥｖ１ａとのエネルギー差はＥｇ１ａである。また、波長変換
粒子４１は、量子井戸層４１ｙｂを構成する半導体材料の伝導帯側に１つの離散準位が形
成されており、量子井戸層４１ｙｂの価電子帯側には離散準位が形成されていない。量子
井戸層４１ｙｂの伝導帯側に形成されている離散準位のエネルギーＥｃ１ｂは、キャリア
発生部４１ｘの伝導帯側に形成されている離散準位のうち、最も高エネルギーでもなく最
も低エネルギーでもない離散準位のエネルギーと同一である。Ｅｃ１ｂは、半導体部４１ｚ
の伝導帯下端のエネルギーＥｃｚよりも図９の紙面下側に位置し、ＥｃｚとＥｃ１ｂとの
差は、波長変換粒子４１を有する光電変換素子の使用時に量子井戸層４１ｙｂに存在する
電子へと付与されるエネルギー（例えば、熱エネルギー等）よりも大きくなるように調整
されている。また、量子井戸層４１ｙｂの価電子帯上端のエネルギーＥｖ１ｂは、Ｅｖ１ａ
及び半導体部４１ｚの価電子帯上端のエネルギーＥｖｚよりも図９の紙面上側に位置して
いる。Ｅｖ１ｂとＥｖ１ａとの差は、０．０５ｅＶ以上０．２ｅＶ以下程度とされており、
ＥｖｚとＥｖ１ｂとの差は、波長変換粒子４１を有する光電変換素子の使用時に量子井戸
層４１ｙｂに存在する正孔へと付与されるエネルギー（例えば、熱エネルギー等）よりも
大きくなるように調整されている。波長変換粒子４１において、Ｅｃ１ｂとＥｖ１ｂとの
差はＥｇ２である。

  　　　　　　　　　　　  　　　　　「特開2014-017420 光電変換素子」　第79項まで
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　　　　　　株式会社 豊田中央研究所

 

   

【フード・ファントム・メナス（15）】 

   お茶

　●「国産茶」はやめ、西日本の銘柄茶に

　　２０１２年４月、一般食品中の放射性セシウムは１㎏当たり５００ベクレルから
　百ベクレルに規制が強化された。ところが、お茶だけは規制が緩和されていたのに、
　まったく報道されなかった。
　　測定対象を「茶菓」から「飲む状態」へと変更し、その基準を１０ベクレルに厳し
　くしたのだが、ここに基準緩和が隠されていたのである。
　　基準どおりにお茶を俺れ、業界が主張しているように成分が抽出されると、放射性
　セシウムの濃度は茶菓の６０分の１になる。ということは、お茶の液体が１０ベクレ
　ルなら、茶菓は６００ベクレルになる。
　　つまり、お茶は、５００から６００ベクレルに規制が緩和されていたのである。
　　２０１２年の新茶からは、「飲む状態」で検査されている。その結果、基準の１０
　ベクレルを超え、かつ各県で最も値が高かったのは、栃木県２４ベクレル、茨城県
　１９ベクレル、千葉県１４ベクレル、岩手県１１ベクレルである。
　　この水準の食事を食べ続けると、体や頭に痛みが出てくる。
　　飲む状態の値を茶菓に換算すると、栃木県１４４０ベクレル、茨城県１１４０ベク
　レル、千葉県８４０ベクレル、岩手県６６０ベクレルとなる。
　　事故から１年経過したのに、まだあなどれない数値の放射能が出ているのだ。
　　また、チェルノブイリ原発事故から１３年経過して、ウクライナの南に位置するト
　ルコ産輸入紅茶で６０～１００ベクレル検出されている。このことからお茶は、３年
　目以降も基準を超えた放射能汚染が続く可能性がある。
　　一方、三重県の「わたらい茶」は、県の調査によると、２０１１年の茶葉で９ベク
　レルだったが、２０１２年の茶菓は１ベクレルになっている。
　　茶葉でこのくらいの数値なら、安心してお茶を飲んでいいだろう。
　　愛知県は三重県より放射能汚染が少なかったので、愛知県から西のお茶を選べば安
　心して飲むことができる。
　　２０１１年産でも京都府を中心とする宇治茶、福岡県のハ女茶、鹿児島県の知覧茶
　などは、この銘柄茶が１００％の商品なら安心して飲んでいい。


　●放射能汚染がついて回る静岡茶

　　静岡県産のお茶は、放射能で汚染されているかどうかが、わかりにくい。
　　静岡県は震災後、お茶の検査をできるだけしないようにし、少数の検査結果も「す
　べて基準をクリアしている」と言うだけで、数値の公表を拒んだ。
　　そこヘパリから、静岡産の緑茶が１㎏当たり１０３８ベクレルだったという情報が
　入ってきた。それは、ＥＵ基準の２倍の数値だった。
　　これが大問題になったので、静岡県もお茶の検査に励むようになったが、その検査
　データを基に、古いお茶や、他産地のお茶とうまくブレンドするようになったのであ
　る。
　　新茶はその年にとれたものだが、それ以外は、冷蔵庫で貯蔵し、数年のうちに出荷
　しているので、古いお茶に不自由することはない。
　　したがって違反は出ないが、数年たっても、放射能の量が減らない静岡茶が存在す
　ることになる。こうして、静岡茶には放射能汚染がついて回るようになったのだ。
　　２０１２年の新茶はすべて不検出、と静岡県は公表している。この検出限界は「飲
　む状態」で２ベクレルだから、茶菓では１００ベクレルを超えている可能性がある。
　　放射能は、集団が取り込んだ総量に応じて、遺伝的な被害者を出す。個人のリスク
　は無視できるほど小さいが、日本人全体では将来にわたって被害者が出てくる。
　　被害者は１０００年たっても出続けるが、国や静岡県は、業者を守り、補償金を減
　らすように努力はしても、将来の被害者を減らすことには努力していない。それどこ
　ろか、将来に遺伝的な被害者が増えるような施策を取っているのである。 

  ●売られている茶葉を測定すると

　　消費者は、市販茶の実態を知らねば自衛できない。われわれは２０１２年８月に
　スーパーなどで、煎茶、ほうじ茶、玄米茶など１３種類を購入し、さいたま市の民間
　放射能測定所「さいたまラボ」に依頼して検査した。高い数値の茶菓があるかどうか
　を見つけるための検査なのでに検出限界は二〇ベクレル／㎏とした。
　　その結果は上表Ｉのとおりだ。
　「不検出」の茶菓は、飲む状態では０．４ベクレルを下回るので、安心して飲むこと
　ができるだろう。　
　　最も高かったのは静岡県産の煎茶で、２１１ベクレルだった。
　　原発の中では、１００ベクレルを超えると「低レベル放射性廃棄物」としてドラム
　缶に詰められ、許可がないと人が入れない倉庫に貯蔵されている。ところが、原発の
　外では、１００ベクレルを超えた茶菓が販売されているのである。国は、国民にでき
　るだけ放射能をとらせないように、少なくとも１００ベクレルを超えた茶菓は、貯蔵
　分も探し出して処分し、生産者、飲料メーカーに損害分を補償すべきだ。
　　静岡県産でも「不検出」が一つあった。
　番茶は、「国産」は不検出で、「静岡県産」だと３２．４ベクレルだった。
　ほうじ茶は、２種類とも「国産」で、不検出と、１１９ベクレルだ。この値もドラ
　ム缶に詰めて廃棄してもらいたいレベルである。
　　玄米茶は、２種類とも「抹茶入り」の「国産」で、不検出と、３１ベクレルだった。
　「国産」と害かれただけのお茶は産地がわからない。これでは放射能レベルを推定で
　きないため、消費者は避けるのが賢明だろう。

　●勇気ある生産者「杉本園」

　　放射能値が高かった２０１１年産の茶菓は、本来なら県が買い上げて処分すべき
　だったが、それを自ら率先して焼却処分した生産者を紹介しよう。
　　静岡県島田市の牧ノ原台地で１９９３年から無農薬・無化学肥料で、お茶を有機・
　自然栽培してきた「杉本園」の杉本芳樹さん（６０歳）と、その家族だ。
　　２０１１年５月に収穫したお茶を荒茶にして検査すると１５２ベクレル、６月は
　８５ベクレル、１１月が１９ベクレルだった。このときの基準は５００ベクレルだ
　ったので問題はなく、数値を公表して販売を続けた。
　その後、二〇１２年４月から新基準になり、お茶は飲む状態で１０ベクレルと規制
　されるようになった。杉本さんのお茶は、庵れると最大でも２．５ベクレルにしかな
　らない。
　　ところが、一般食品が１００ベクレルで規制されるときに、１５２ベクレルの茶葉
　が混ざったお茶をお客さんに売ることはできないとして、杉本さんは思い切って、２
　０１１年に生産したお茶の二ｔ強をすべて、焼却処分してしまったのだ。
　　２０１２年５月のお茶は、荒茶で１２ベクレルと１０ベクレルだ。このお茶を淹れ
　ると、０．２ベクレル以下になる。
　　７月になると、荒茶でもついに「不検出」となった。
　　２０１１年はまた収穫を始め、販売を再開している。こういう生産者をみんなで応
　援しようではないか。「杉本園」「お茶畑からこんにちは」でネット検索すれば、ホ
　ームページがあり、そこから通信販売で購入することができる。

　
　麦茶

　●１０ベクレル／kgを超える放射能が含まれるものが多い

　　麦茶の原料は六条大麦だ。生産量が多い県は、福井、富山、栃木、茨城、宮城、石
　川、新潟各県などだ。
　　２０１１年に収穫した六条大麦は、栃木県産で１㎏当たり８９ベクレル、茨城県産
　で３４０ベクレルだった。
　　麦茶は、抽出液でなく、麦の線量が１００ベクレルを超えると違反になる。規準を
　超えた麦茶は、市場に出ていない。

　　全国麦茶工業協同組合による国産麦茶の検査では、２０１１年産から６８ベクレル
　検出されている。２０１２年のデータが見つからなかったので、スーパーで茨城県産
　大麦を使用した麦茶を購入して検査すると、１７ベクレルだった。茨城県と栃木県の
　シェアは、国産原料を用いている麦茶の３割で、これらには１０ベクレル／㎏を超え
　る放射能が含まれていることが多いだろう。
　　伊藤は、国産とカナダ産を原料にしていたが、震災後は、原料麦をカナダ産だけ
　にしている。カナダ産の麦なら農薬の心配もないから、安全である。

　
　ペットボトルのお茶

　●宇治茶をベースにした「伊右衛門」はおすすめ
　
　　茶菓のお茶は、産地を選んで買えば、放射能を避けることができる。
　　ところが、大手ペットボトルメーカーのお茶は「国産茶葉１００％」で、表示を見
　ても産地がわからない。基準を満たしているかどうかの検査はパスしているが、それ
　でも、放射能汚染ができるだけ少ない産地のお茶を選びたい。

　　大手メーカーは、年間生産量の少なくとも半分以上の茶菓を確保した上で、ペット
　ボトルのお茶を生産している。
　　そのため、原発事故後に新茶が生産されるようになっても、ごく一部の新茶ブラン
　ドを除けば、前年の茶菓を用いてペットボトルのお茶は生産されていた。
　　ところが、お茶に放射能の不安があることが繰り返し報道されたので、ペットボト
　ルの水を飲む人が増えてお茶は売れなかった。そのため、どのメーカーも前年度の茶
　葉を年末までは用いていた。年が明けると、２０１１年産の茶葉に切り替えるメーカー
　が増えたが、皮肉なことに最後まで二〇一〇年産を使っていたのは静岡県産の茶菓を
　用いたペットボトルだった。震災前の一番安全な茶菓が、最も敬遠されたのである。
　　だが、表示を見ても、いつ生産された茶菓かは書いていないので、消費者がこのよ
　うな行動を取るのはやむを得ない。
　　すべてのペットボトル茶が震災後の茶菓になった今は、大手のペットボトルのお茶
　では、「伊右衛門」をおすすめする。真っ先に静岡茶の使用をやめて、宇治茶をべー
　スにしたお茶に切り替えたからだ。
　　西日本では、産地名を冠したご当地茶を買うのがいい。

　　　　　　　　　　　　　　  　小若順一 著 『食べるな危険！』、PP.168－177

 

【快適ライフ・マリネ】

（１）５百ミリリットル広口瓶
（２）野菜：ゆで大豆５０グラム、にんじん１／２本、ピーマン１個、ミニトマト５個、
　赤カブ２個
（３）マリネ：食酢／２５０ミリリットル、水／７５ミリリットル、砂糖／２～３杯、塩
　／小さじ　１、黒胡椒／５～１０粒、クローブ／２～３個、月桂樹／１枚

●つくり方

（２）をサイコロに切る（にんじんはあらかじめボイル）→鍋に（３）を入れ沸騰し
放冷し→（１）に大豆、野菜とマリネ入れ→一晩放置