沸騰大変動時代（六十三）

彦根藩二代当主である井伊直孝公をお寺の門前で手招き雷雨から救っ
たと伝えられる招き猫と、井伊軍団のシンボルとも言える赤備え（戦
国時代の軍団編成の一種、あらゆる武具を朱りにした部隊編成のこと
）と兜（かぶと）を合体させて生まれたキラクタ「ひこにゃん」

【季語と短歌：６月１８日】

　　　　　　　　梅雨入りや晴れ雨曇り入り乱れ　

　　　　　風つのる春夜の闇よりきれぎれに鋭く啼く犬のこゑ遣りくる
　　　　　このままに寝入りてしまへばわが魂も闇夜の犬となりて咆ゆべし
　　　　　声の限り吼えてもみむか浮かびくるあの顔この顔うすら笑ひす
　　　　　二〇二四年二月二四日先負　泥沼化の三年目に入る
　　　　　つくづくと見上ぐる空より降りくるはミサイルに非ず　満天の星

　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　船間和子
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　熊本県八代市
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　「短歌研究」
　　　　　　　　　　　　　　　　　「研究詠草」東直子　選
　　　※　一気詠みし、胸が詰まりました。皆さんの研鑽にエール！

｢気候変動対策を講じないことのコストは、
　　　　　　気候変動対策のコストよりも高い｣

2023年は｢史上最も暑い年」1.45℃上昇にＷＭＯが警鐘壱

3月19日、世界気象機関(ＷＭＯ)は2023年の地球の気温に関する報告
書｢State of the Globbal Climate 2023｣の中で、2023年の平均気温は18
50年観測開始以来、最高値となったことを正式に発表。ＷＭＯは,
｢Red Alert｣(レッド・アラート：非常警報)という言葉を用いて対策
を呼び掛けた。



2023年は異常気象・気象災害の１年
2023年の平均気温は、産業革命前の水準を1.45℃(±0.12℃)上回ﾘ、
1850年観測開始以来、最高値となった。同年までの10年間も観測史上
最も暑い10年間だったという。
さらにＣＯ２､メタン､窒素酸化物(Nox)などの温室効果ガス(ＧＨＧ)
濃度､海洋温暖化と酸性化、海面上昇、海氷面積・氷河の減少において
も過去最高値を記録した。2023年は熱波・洪水・干ばつ・山火事・熱
帯低気圧などが何百万人もの生活に影響と数十徳ドルの経済的損失を
もたらした。ＧＨＧ濃度には、2023年中に起こったカナダやハワイ、
ギリシャなどでの大規模な山火事が影響していると見られる。

1.5℃にこれほど近づいたことはない
ＷＭＯ事務局長のセレステ・サウロ氏は、｢パリ協定の下限気温1.5
℃まで、一時的とはいえ､これほど近づいたことはない｡　ＷＭＯは世
界に向けてレッド・アラートを鳴らしていく｣とコメントした。さらに、
気温だけではなく海の暖かさ、氷河の後退、南極の海氷の減少は特に
危惧するべき事態だと言う。2023年末には、海洋の90％以上が熱波に
見舞われ、重要な生態系と食料システムが被害を受けた。世界の氷河
は、北米西部と欧州での極端な融解によって、1950年以来過去最大の
減少に見舞われた。南極の海氷面積も過去最小を記録した。過去10年
間(2014～2023年)の海面上昇率は、衛星記録の最初の10年間(1993～
2002年)から2倍以上になっている。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　この項つづく



【最新ペロブスカイト太陽電池製造技術④】
❏ 特開2024-058455 電圧整合タンデム太陽電池モジュール 株式会
社 豊田中央研究所 
【発明を実施するための形態】
【００２６】光電変換層１４は、光を吸収して電気エネルギーに変換
する層である。光電変換層１４は、第１導電層１２上に形成される。
光電変換層１４は、後述するボトムモジュール２０２の光電変換層２
４よりバンドギャップが広い材料から構成される。すなわち、光電変
換層１４は、ボトムモジュール２０２の光電変換層２４より短波長の
光を吸収する材料から構成される。光電変換層１４は、バンドギャッ
プＥｇ（ｔ）が１．５ｅＶ以上１．８ｅＶ以下の材料から構成するこ
とが好適である。当該バンドギャップＥｇ（ｔ）の条件を満たす材料
は、例えば、有機無機ハイブリッドペロブスカイト（ＰＶＫ）が挙げ
られる。ＰＶＫの組成を調整することによって当該バンドギャップＥ
ｇ（ｔ）の条件を満たす材料とすることができる。

【００２７】第２導電層１６は、ボトムモジュール２０２において光
電変換に利用される波長領域の光を透過する導電性の材料で構成され
る。第２導電層１６は、例えば、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化錫、
または酸化チタンなどの金属酸化物を少なくとも１つとすることがで
きる。また、これらの金属酸化物に、錫、亜鉛、タングステン、アン
チモン、チタン、セリウム、ガリウムなどのドーパントがドープされ
ていてもよい。第２導電層１６は、蒸着法、ＣＶＤ法、スパッタリン
グ法等の薄膜形成方法により形成することができる。【００２８】

第２導電層１６は、光電変換層１４を形成後、光電変換層１４に間隙
１８ｂを形成した後に形成される。これによって、間隙１８ｂを介し
て、第２導電層１６は隣のセルの第１導電層１２と電気的に接続され
る。また、光電変換層１４及び第２導電層１６は、トップモジュール
２００を構成するトップセル毎に間隙１８ｃによって分離されている
。これによって、トップモジュール２００を構成する各トップセルは
互いに直列接続された構成とされる。【００２９】

なお、トップモジュール２００は、光入射側から、第２導電層１６、
光電変換層１４、第１導電層１２及び基板１０の順に配置した構成と
してもよい。この場合、第２導電層１６は、トップモジュール２００
及びボトムモジュール２０２において光電変換に利用される波長領域
の光を透過する材料で構成することが好適である。また、第１導電層
１２及び基板１０は、ボトムモジュール２０２において光電変換に利
用される波長領域の光を透過する材料で構成することが好適である。

【００３０】ボトムモジュール２０２は、複数のボトムセル（太陽電
池セル）を複数直列に接続して構成される。ボトムモジュール２０２
は、基板２０、第３導電層２２、光電変換層２４及び第４導電層２６
を含んで構成される。基板２０、第３導電層２２、光電変換層２４及
び第４導電層２６は、光入射側の反対側から順に積層されてボトムモ
ジュール２０２を構成し、入射された光を電気エネルギーに変換する
機能を発揮する。【００３１】

基板２０は、ボトムモジュール２０２を構造的に支持する部材である。
基板２０の材料は、特に限定されるものではなく、例えば、ガラス、
プラスチック、セラミックス、金属等で構成することができる。

【００３２】第３導電層２２は、基板２０上に形成される。第３導電
層２２は、導電性の材料で構成される。第３導電層２２は、例えば、
酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化錫、または酸化チタンなどの金属酸
化物を少なくとも１つとすることができる。また、これらの金属酸化
物に、錫、亜鉛、タングステン、アンチモン、チタン、セリウム、ガ
リウムなどのドーパントがドープされていてもよい。第３導電層２２
は、モリブデンなどの金属としてもよい。第３導電層２２は、蒸着法、
ＣＶＤ法、スパッタリング法等の薄膜形成方法により形成することが
できる。第３導電層２２は、ボトムモジュール２０２を構成するボト
ムセル毎に間隙２８ａによって分離されている。【００３３】

光電変換層２４は、光を吸収して電気エネルギーに変換する層である。
光電変換層２４は、第３導電層２２上に形成される。光電変換層２４
は、トップモジュール２００の光電変換層１４よりバンドギャップが
狭い材料から構成される。すなわち、光電変換層２４は、トップモジ
ュール２００の光電変換層１４より長波長の光を吸収する材料から構
成される。光電変換層２４は、バンドギャップＥｇ（ｂ）が１．０ｅ
Ｖ以上１．２ｅＶ以下の材料から構成することが好適である。当該バ
ンドギャップＥｇ（ｂ）の条件を満たす材料は、例えば、Ｃｕ（ＩＮ
，Ｇａ）Ｓｅ２、有機無機ハイブリッドペロブスカイト（ＰＶＫ）が
挙げられる。Ｃｕ（ＩＮ，Ｇａ）Ｓｅ２やＰＶＫの組成を調整するこ
とによって当該バンドギャップＥｇ（ｂ）の条件を満たす材料とする
ことができる。【００３４】

第４導電層２６は、ボトムモジュール２０２において光電変換に利用
される波長領域の光を透過する導電性の材料で構成される。第４導電
層２６は、例えば、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化錫、または酸化
チタンなどの金属酸化物を少なくとも１つとすることができる。また、
これらの金属酸化物に、錫、亜鉛、タングステン、アンチモン、チタ
ン、セリウム、ガリウムなどのドーパントがドープされていてもよい。
第４導電層２６は、蒸着法、ＣＶＤ法、スパッタリング法等の薄膜形
成方法により形成することができる。【００３５】

第４導電層２６は、光電変換層２４を形成後、光電変換層２４に間隙
２８ｂを形成した後に形成される。これによって、間隙２８ｂを介し
て、第４導電層２６は隣のセルの第３導電層２２と電気的に接続され
る。また、光電変換層２４及び第４導電層２６は、ボトムモジュール
２０２を構成するボトムセル毎に間隙２８ｃによって分離されている。
これによって、ボトムモジュール２０２を構成する各ボトムセルは互
いに直列接続された構成とされる。【００３６】

なお、ボトムモジュール２０２は、光入射側から、基板２０、第３導
電層２２、光電変換層２４及び第４導電層２６の順に配置した構成と
してもよい。この場合、基板２０及び第３導電層２２は、ボトムモジ
ュール２０２において光電変換に利用される波長領域の光を透過する
材料で構成される。また、第４導電層２６は、透光性は必要とされな
い。【００３７】

トップモジュール２００とボトムモジュール２０２は光入射面側から
みて互いに重なり合うように配置される。ここで、光入射面側からみ
たトップモジュール２００とボトムモジュール２０２の大きさは同一
とすることが好適である。また、光入射面側からみたトップモジュー
ル２００の基板１０とボトムモジュール２０２の基板２０の大きさを
同一にすることが好適である。また、光入射面側からみたトップモジ
ュール２００の光電変換層１４を形成した面積とボトムモジュール２
０２の光電変換層２４を形成した面積とを同一にすることが好適であ
る。ここで、同一とは、完全に等しいのみならず、ほぼ等しいことも
意味する。具体的には、同一であることが好適であるとは、互いに±
１０％以内で等しいことが好適であることを意味する。
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　この項つづく