反強磁性が開く多値化MRAMへの道

反強磁性体による不揮発性メモリの実用化に前進、東大などが信号増幅に成功

東京大学(東大)などは、反強磁性体であるマンガン化合物と、重金属からなる多層薄膜デバイスの膜界面構造を最適化することで、電気的に読み書き可能な信号を従来よりも3倍大きくすることに成功したと発表した。

反強磁性体による不揮発性メモリの実用化に前進、東大などが信号増幅に成功

　反磁性体材料に関するUpdate。強磁性体では形状磁気異方性に打ち勝つために大きな結晶磁気異方性が必要となり、読み出し信号は基本的には2値化しますが磁化の小さい反強磁性体では、形状磁気異方性の影響がほぼ無視でき、比較的弱い結晶磁気異方性を利用することによって多値の読み出しを行える可能性もありそう。反強磁性体自体は漏れ磁場の低さや応答速度の速さなど注目点はいくらかあるのでこれからも注目されそうです。