BJT、J-FETに続き今回はMOS-FETの特性測定をしてみた。
サンプルのデバイスは2N7000とBS170の二種類。
デバイスの判定結果は以下のとおり
■2N7000 ■BS170
![](https://blogimg.goo.ne.jp/user_image/61/a7/7abf5584ea3d1e00d9ea1710599bb0cc.jpg)
![](https://blogimg.goo.ne.jp/user_image/5a/37/3a7d8d1d1a9accc95f76662bbd9ce78d.jpg)
Id/Vgsの特性・・・Vdsを4パターン設定して計測している
![](https://blogimg.goo.ne.jp/user_image/2a/12/be5f645f3d7ec79a427d6d4c3db18001.jpg)
Id/Vdsの特性・・・トレースラインの下側が2N7000、上がBS170
Vgs(ON)電圧の前後が測定開始点、Vgsの最終測定値はId/Vgs測定時の終了点と同じ
![](https://blogimg.goo.ne.jp/user_image/1c/8f/6f56de16774661a1d8e4b8bb80ed1813.jpg)
今回の2サンプル、定格の似た(先輩、後輩の関係?)ものを選定してみた。
大きく違うのはピン配置ぐらい。 どちらも入手については問題ないデバイスである。
参考:D-MOSを試してみたが何回試してもLEDの判定であった。
サンプルのデバイスは2N7000とBS170の二種類。
デバイスの判定結果は以下のとおり
■2N7000 ■BS170
![](https://blogimg.goo.ne.jp/user_image/61/a7/7abf5584ea3d1e00d9ea1710599bb0cc.jpg)
![](https://blogimg.goo.ne.jp/user_image/5a/37/3a7d8d1d1a9accc95f76662bbd9ce78d.jpg)
Id/Vgsの特性・・・Vdsを4パターン設定して計測している
![](https://blogimg.goo.ne.jp/user_image/2a/12/be5f645f3d7ec79a427d6d4c3db18001.jpg)
Id/Vdsの特性・・・トレースラインの下側が2N7000、上がBS170
Vgs(ON)電圧の前後が測定開始点、Vgsの最終測定値はId/Vgs測定時の終了点と同じ
![](https://blogimg.goo.ne.jp/user_image/1c/8f/6f56de16774661a1d8e4b8bb80ed1813.jpg)
今回の2サンプル、定格の似た(先輩、後輩の関係?)ものを選定してみた。
大きく違うのはピン配置ぐらい。 どちらも入手については問題ないデバイスである。
参考:D-MOSを試してみたが何回試してもLEDの判定であった。