反強磁性体による不揮発性メモリの実用化に前進、東大などが信号増幅に成功東京大学(東大)などは、反強磁性体であるマンガン化合物と、重金属からなる多層薄膜デバイスの膜界面構造を最適化することで、電気的に読み書き可能な信号を従来よりも3倍大きくすることに成功したと発表した。反強磁性体による不揮発性メモリの実用化に前進、東大などが信号増幅に成功 反磁性体材料に関するUpdate。強磁性体では形状磁気異方性 . . . Read more
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