奈良先端科学技術大学院大学の浦岡行治教授らは、たんぱく質を利用して半導体メモリーを作製することに成功した。
室温でできるため、低コスト化か期待できる。研究成果は8日付の米物理学専門紙「アプライド・フィジックス・エクスプレス」に掲載される。
研究グループは、直径が13ナノ(ナノは10億分の1)メートルで内部が空洞になった粒子状のたんぱく質を利用した。
内部に半導体電極となる酸化コバルトを詰め込み、シリコン基板上に塗った。たんぱく質は「自己組織化」という反応で表面に均等に並び、熱を加えてたんぱく質を取り除くと酸化コバルトだけが残った。
従来はセ氏1000度以上で加熱する必要があったため、新技術は電極を安価にできるようになる。
室温でできるため、低コスト化か期待できる。研究成果は8日付の米物理学専門紙「アプライド・フィジックス・エクスプレス」に掲載される。
研究グループは、直径が13ナノ(ナノは10億分の1)メートルで内部が空洞になった粒子状のたんぱく質を利用した。
内部に半導体電極となる酸化コバルトを詰め込み、シリコン基板上に塗った。たんぱく質は「自己組織化」という反応で表面に均等に並び、熱を加えてたんぱく質を取り除くと酸化コバルトだけが残った。
従来はセ氏1000度以上で加熱する必要があったため、新技術は電極を安価にできるようになる。