3SK60という、デュアルゲートMOS FET
いまいち特性がわからず、規格表をヤフオクにてゲット
FETの教科書には、「FETにはデプレッション型とエンハンスメント型があります」
と、書いてあるのだが、
3SK60は、なんと
「デプレッション＋エンハンスメント型」
らしい。（図左参照）
すなわち、G１、2が、ー１Vから１Vまでスイングすれば、IDが増減するってことらしい。
（図右参照）
バイアスいらんので、こりゃ便利だな
電気的特性から、データシートのグラフ作ってみた
G2はー１Vから３Vぐらいで使えばいいのかな？
ゼロバイアスで、－１Vから＋１Vで使えば一番便利かも
