パワー半導体に世代交代の波が押し寄せている。電気自動車(EV)を中心に、電力損失が小さい次世代材料のシリコンカーバイド(SiC)が2025年ごろから普及していく。EVへの採用で量産効果によってコストが下がり、再生可能エネルギーや産業機器、データセンター、白物家電といった分野にもSiCが広がる。さらに、業界地図も変わりそうだ。欧米企業や中国企業が積極的な投資で台頭しており、現行のシリコン(Si)で優位に立っていた日本企業は劣勢になりつつある。

 特にパワー半導体最大手のドイツInfineon Technologies(インフィニオンテクノロジーズ)はSiCを最初に製品化し、現在もSiC事業への積極的な投資を続けている。その同社が新たな手を打った。SiCで中国企業とタッグを組んだのである。

 2023年5月、インフィニオンは山東天岳先進科技(SICC)および北京天科合達半導体(タンケブルー)の2社とそれぞれ調達契約を締結した。SiCパワー半導体素子(パワー素子)に必要なSiCウエハー、および「ブール」と呼ばれるウエハーを切り出す前のSiC単結晶を入手するのが目的だ。

 インフィニオンはこれまで、SiCウエハー最大手の米Wolfspeed(ウルフスピード)や米Coherent(コヒレント、旧II-VI)、レゾナックなどと同様の契約を結んできた。今回新たに中国2社と契約したのは、SiCパワー素子への旺盛な需要に応えるためである。

SiCは2030年にパワー半導体市場の3割を占めると予測されている(出所:富士経済のデータを基に日経クロステックが作成)